AdvanSiC - Advances in Cost-Effective HV SiC Power Devices for Europe’s Medium Voltage Grids

Informations projet

AdvanSiC

N° de convention de subvention: 101075709

DOI

10.3030/101075709

Date de signature de la CE 5 Decembre 2022

Date de début 1 Janvier 2023

Date de fin 30 Septembre 2026

Financé au titre de

• Climate, Energy and Mobility

Coût total

€ 3 956 595,00

Contribution de l’UE

€ 3 242 373,00

Coordonné par

IKERLAN S. COOP
Spain

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Documents, reports (3)

Specifications on standard and Advanced SiC MOSFET designs

Report with the specifications on standard and Advanced SiC MOSFET designs

Report on the Communication and Dissemination Activities_1

Report on the Communication and Dissemination Activities. Month 12 update

Plan for communication, dissemination, and exploitation

Publications

Peer reviewed articles (3)

Epitaxial trench refill of 4H-SiC by chlorinated chemistry

Auteurs: Gerard Colston; Kelly Turner; Arne Renz; Peter Gammon; Marina Antoniou; Philip A. Mawby; Vishal A. Shah
Publié dans: Appl. Phys. Lett., Numéro 124, 2024, ISSN 1077-3118
Éditeur: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0210680

3.3 kV 4H-SiC Trench Semi-Superjunction Schottky Diode With Improved ON-State Resistance

Auteurs: Kyrylo Melnyk, Arne Benjamin Renz, Qinze Cao, Peter Michael Gammon, Neophytos Lophitis, Luca Maresca, Andrea Irace, Iulian Nistor, Munaf Rahimo, Marina Antoniou
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, Numéro 71, 2024, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2024.3435181

4H-SiC MOSFET Threshold Voltage Instability Evaluated via Pulsed High-Temperature Reverse Bias and Negative Gate Bias Stresses

Auteurs: Laura Anoldo, Edoardo Zanetti, Walter Coco, Alfio Russo, Patrick Fiorenza, Fabrizio Roccaforte
Publié dans: Materials, Numéro 17, 2024, ISSN 1996-1944
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/ma17081908

Conference proceedings (4)

Complementary two dimensional carrier profiles of 4H-SiC MOSFETs by Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy

Auteurs: Patrick Fiorenza, Marco Zignale, Edoardo. Zanetti, Mario S. Alessandrino, Beatrice Carbone, Alfio Guarnera, Mario Saggio, Filippo Giannazzo, Fabrizio Roccaforte
Publié dans: 2024
Éditeur: Solid State Phenomena
DOI: 10.48550/arXiv.2407.13370

Design and optimization of 3.3 kV silicon carbide semi-superjunction schottky power devices

Auteurs: Melnyk, Kyrylo, Renz, Arne Benjamin, Cao, Qinze, Gammon, Peter M., Shah, Vishal, Lophitis, Neophytos, Rahimo, Munaf, Nistor, Iulian, Borghese, Alessandro, Maresca, Luca, Irace, Andrea and Antoniou, Marina
Publié dans: 2024, ISSN 1946-0201
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ISPSD59661.2024.10579567

Behavioural SiC IGBT Modelling Using Non-Linear Voltage and Current Dependent Capacitances

Auteurs: Almpanis, Ioannis; Evans, Paul; Li, Ke; Lophitis, Neophytos
Publié dans: 2023, ISBN 979-8-3503-1554-7
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/DMC58182.2023.10412584

Robust and area efficient 4H-SiC 1.2 and 3.3 kV Floating Field Ring (FFR) and Trench-FFR termination designs and analysis

Auteurs: Melnyk, Kyrylo, Gammon, Peter M., Renz, Arne Benjamin, Cao, Quize, Lophitis, Neophytos and Antoniou, Marina
Publié dans: IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE, 2023, ISSN 2329-3748
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ECCE53617.2023.10362098