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AdvanSiC - Advances in Cost-Effective HV SiC Power Devices for Europe’s Medium Voltage Grids

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Publications

Epitaxial trench refill of 4H-SiC by chlorinated chemistry (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Gerard Colston; Kelly Turner; Arne Renz; Peter Gammon; Marina Antoniou; Philip A. Mawby; Vishal A. Shah
Publié dans: Appl. Phys. Lett., Numéro 124, 2024, ISSN 1077-3118
Éditeur: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0210680

3.3 kV 4H-SiC Trench Semi-Superjunction Schottky Diode With Improved ON-State Resistance (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Kyrylo Melnyk, Arne Benjamin Renz, Qinze Cao, Peter Michael Gammon, Neophytos Lophitis, Luca Maresca, Andrea Irace, Iulian Nistor, Munaf Rahimo, Marina Antoniou
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, Numéro 71, 2024, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2024.3435181

4H-SiC MOSFET Threshold Voltage Instability Evaluated via Pulsed High-Temperature Reverse Bias and Negative Gate Bias Stresses (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Laura Anoldo, Edoardo Zanetti, Walter Coco, Alfio Russo, Patrick Fiorenza, Fabrizio Roccaforte
Publié dans: Materials, Numéro 17, 2024, ISSN 1996-1944
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/ma17081908

Complementary two dimensional carrier profiles of 4H-SiC MOSFETs by Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Patrick Fiorenza, Marco Zignale, Edoardo. Zanetti, Mario S. Alessandrino, Beatrice Carbone, Alfio Guarnera, Mario Saggio, Filippo Giannazzo, Fabrizio Roccaforte
Publié dans: 2024
Éditeur: Solid State Phenomena
DOI: 10.48550/arXiv.2407.13370

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