AdvanSiC - Advances in Cost-Effective HV SiC Power Devices for Europe’s Medium Voltage Grids

Información del proyecto

AdvanSiC

Identificador del acuerdo de subvención: 101075709

DOI

10.3030/101075709

Fecha de la firma de la CE 5 Diciembre 2022

Fecha de inicio 1 Enero 2023

Fecha de finalización 30 Septiembre 2026

Financiado con arreglo a

• Climate, Energy and Mobility

Coste total

€ 3 956 595,00

Aportación de la UE

€ 3 242 373,00

Coordinado por

IKERLAN S. COOP
Spain

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Resultado final

Documents, reports (3)

Specifications on standard and Advanced SiC MOSFET designs

Report with the specifications on standard and Advanced SiC MOSFET designs

Report on the Communication and Dissemination Activities_1

Report on the Communication and Dissemination Activities. Month 12 update

Plan for communication, dissemination, and exploitation

Publicaciones

Peer reviewed articles (3)

Epitaxial trench refill of 4H-SiC by chlorinated chemistry

Autores: Gerard Colston; Kelly Turner; Arne Renz; Peter Gammon; Marina Antoniou; Philip A. Mawby; Vishal A. Shah
Publicado en: Appl. Phys. Lett., Edición 124, 2024, ISSN 1077-3118
Editor: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0210680

3.3 kV 4H-SiC Trench Semi-Superjunction Schottky Diode With Improved ON-State Resistance

Autores: Kyrylo Melnyk, Arne Benjamin Renz, Qinze Cao, Peter Michael Gammon, Neophytos Lophitis, Luca Maresca, Andrea Irace, Iulian Nistor, Munaf Rahimo, Marina Antoniou
Publicado en: IEEE Transactions on Electron Devices, Edición 71, 2024, ISSN 0018-9383
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2024.3435181

4H-SiC MOSFET Threshold Voltage Instability Evaluated via Pulsed High-Temperature Reverse Bias and Negative Gate Bias Stresses

Autores: Laura Anoldo, Edoardo Zanetti, Walter Coco, Alfio Russo, Patrick Fiorenza, Fabrizio Roccaforte
Publicado en: Materials, Edición 17, 2024, ISSN 1996-1944
Editor: MDPI AG
DOI: 10.3390/ma17081908

Conference proceedings (4)

Complementary two dimensional carrier profiles of 4H-SiC MOSFETs by Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy

Autores: Patrick Fiorenza, Marco Zignale, Edoardo. Zanetti, Mario S. Alessandrino, Beatrice Carbone, Alfio Guarnera, Mario Saggio, Filippo Giannazzo, Fabrizio Roccaforte
Publicado en: 2024
Editor: Solid State Phenomena
DOI: 10.48550/arXiv.2407.13370

Design and optimization of 3.3 kV silicon carbide semi-superjunction schottky power devices

Autores: Melnyk, Kyrylo, Renz, Arne Benjamin, Cao, Qinze, Gammon, Peter M., Shah, Vishal, Lophitis, Neophytos, Rahimo, Munaf, Nistor, Iulian, Borghese, Alessandro, Maresca, Luca, Irace, Andrea and Antoniou, Marina
Publicado en: 2024, ISSN 1946-0201
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/ISPSD59661.2024.10579567

Behavioural SiC IGBT Modelling Using Non-Linear Voltage and Current Dependent Capacitances

Autores: Almpanis, Ioannis; Evans, Paul; Li, Ke; Lophitis, Neophytos
Publicado en: 2023, ISBN 979-8-3503-1554-7
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/DMC58182.2023.10412584

Robust and area efficient 4H-SiC 1.2 and 3.3 kV Floating Field Ring (FFR) and Trench-FFR termination designs and analysis

Autores: Melnyk, Kyrylo, Gammon, Peter M., Renz, Arne Benjamin, Cao, Quize, Lophitis, Neophytos and Antoniou, Marina
Publicado en: IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE, 2023, ISSN 2329-3748
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/ECCE53617.2023.10362098