AdvanSiC - Advances in Cost-Effective HV SiC Power Devices for Europe’s Medium Voltage Grids

Informacje na temat projektu

AdvanSiC

Identyfikator umowy o grant: 101075709

DOI

10.3030/101075709

Data podpisania przez KE 5 Grudnia 2022

Data rozpoczęcia 1 Stycznia 2023

Data zakończenia 30 Września 2026

Finansowanie w ramach

• Climate, Energy and Mobility

Koszt całkowity

€ 3 956 595,00

Wkład UE

€ 3 242 373,00

Koordynowany przez

IKERLAN S. COOP
Spain

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Rezultaty

Documents, reports (3)

Specifications on standard and Advanced SiC MOSFET designs

Report with the specifications on standard and Advanced SiC MOSFET designs

Report on the Communication and Dissemination Activities_1

Report on the Communication and Dissemination Activities. Month 12 update

Plan for communication, dissemination, and exploitation

Publikacje

Peer reviewed articles (3)

Epitaxial trench refill of 4H-SiC by chlorinated chemistry

Autorzy: Gerard Colston; Kelly Turner; Arne Renz; Peter Gammon; Marina Antoniou; Philip A. Mawby; Vishal A. Shah
Opublikowane w: Appl. Phys. Lett., Numer 124, 2024, ISSN 1077-3118
Wydawca: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0210680

3.3 kV 4H-SiC Trench Semi-Superjunction Schottky Diode With Improved ON-State Resistance

Autorzy: Kyrylo Melnyk, Arne Benjamin Renz, Qinze Cao, Peter Michael Gammon, Neophytos Lophitis, Luca Maresca, Andrea Irace, Iulian Nistor, Munaf Rahimo, Marina Antoniou
Opublikowane w: IEEE Transactions on Electron Devices, Numer 71, 2024, ISSN 0018-9383
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2024.3435181

4H-SiC MOSFET Threshold Voltage Instability Evaluated via Pulsed High-Temperature Reverse Bias and Negative Gate Bias Stresses

Autorzy: Laura Anoldo, Edoardo Zanetti, Walter Coco, Alfio Russo, Patrick Fiorenza, Fabrizio Roccaforte
Opublikowane w: Materials, Numer 17, 2024, ISSN 1996-1944
Wydawca: MDPI AG
DOI: 10.3390/ma17081908

Conference proceedings (4)

Complementary two dimensional carrier profiles of 4H-SiC MOSFETs by Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy

Autorzy: Patrick Fiorenza, Marco Zignale, Edoardo. Zanetti, Mario S. Alessandrino, Beatrice Carbone, Alfio Guarnera, Mario Saggio, Filippo Giannazzo, Fabrizio Roccaforte
Opublikowane w: 2024
Wydawca: Solid State Phenomena
DOI: 10.48550/arXiv.2407.13370

Design and optimization of 3.3 kV silicon carbide semi-superjunction schottky power devices

Autorzy: Melnyk, Kyrylo, Renz, Arne Benjamin, Cao, Qinze, Gammon, Peter M., Shah, Vishal, Lophitis, Neophytos, Rahimo, Munaf, Nistor, Iulian, Borghese, Alessandro, Maresca, Luca, Irace, Andrea and Antoniou, Marina
Opublikowane w: 2024, ISSN 1946-0201
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ISPSD59661.2024.10579567

Behavioural SiC IGBT Modelling Using Non-Linear Voltage and Current Dependent Capacitances

Autorzy: Almpanis, Ioannis; Evans, Paul; Li, Ke; Lophitis, Neophytos
Opublikowane w: 2023, ISBN 979-8-3503-1554-7
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/DMC58182.2023.10412584

Robust and area efficient 4H-SiC 1.2 and 3.3 kV Floating Field Ring (FFR) and Trench-FFR termination designs and analysis

Autorzy: Melnyk, Kyrylo, Gammon, Peter M., Renz, Arne Benjamin, Cao, Quize, Lophitis, Neophytos and Antoniou, Marina
Opublikowane w: IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE, 2023, ISSN 2329-3748
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ECCE53617.2023.10362098