Reliable Powerdown for Industrial Drives

Informations projet

R-PODID

N° de convention de subvention: 101112338

DOI

10.3030/101112338

Date de signature de la CE 12 Mai 2023

Date de début 1 Septembre 2023

Date de fin 31 Août 2026

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 23 440 004,16

Contribution de l’UE

€ 7 183 297,85

Coordonné par

ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA DI BOLOGNA
Italy

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Websites, patent fillings, videos etc. (2)

D5.1: Communication channels and project website - Project website, and communication channels (LinkedIn, Twitter, YouTube)

Deliverable 5.1 - DEC – PU – M3 (Owner: TGL) Communication channels and project website - Project website, and communication channels (LinkedIn, Twitter, YouTube) (linked to T5.1, T5.2)

D5.3: Project newsletter No 1 - Report on recent news and activities from the project, the first year

Deliverable 5.3 - DEC – PU – M12 (Owner: TGL) Project newsletter No. 1 - Report on recent news and activities from the project, the first year (linked to T5.1, T5.2)

Publications

Conference proceedings (3)

Thermal Modeling of SiC Power Module: A CFD-Based Approach for Junction-to-Fluid Resistance Estimate

Auteurs: Jacopo Ferretti; Lorenzo Colombini; Mariano Nerone; Igor Valic; Filippo Ferrarese; Giacomo Piero Schiapparelli
Publié dans: 2025
Éditeur: VDE
DOI: 10.30420/566541305

Integrated Hall-Effect Broadband Current Sensor for SiC Traction Inverter

Auteurs: M. Mengozzi; G. P. Gibiino ;J. Ferretti ;M. Nerone ;I. Valic;F. Ferrarese;S. F. Syeda;M. Crescentini;P. A. Traverso
Publié dans: 2025
Éditeur: IEEE

Intelligent Electrical Assessment of Silicon and Silicon Carbide Wafers for Power Applications in Automotive Field

Auteurs: F. Rundo et al
Publié dans: 2024
Éditeur: IEEE

Peer reviewed articles (1)

HTRB effects on threshold instability of 4H-SiC PowerMOSFET with carrots defects

Auteurs: L. Anoldo, G. Tosto, Z. Dahrouch, S. Bevilacqua, E. Schroer, S. Patanè, A. Russo
Publié dans: Microelectronics Reliability, Numéro 170, 2025, ISSN 0026-2714
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICROREL.2025.115781