Reliable Powerdown for Industrial Drives

Informazioni relative al progetto

R-PODID

ID dell’accordo di sovvenzione: 101112338

DOI

10.3030/101112338

Data della firma CE 12 Maggio 2023

Data di avvio 1 Settembre 2023

Data di completamento 31 Agosto 2026

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 23 440 004,16

Contributo UE

€ 7 183 297,85

Coordinato da

ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA DI BOLOGNA
Italy

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Risultati finali

Websites, patent fillings, videos etc. (2)

D5.1: Communication channels and project website - Project website, and communication channels (LinkedIn, Twitter, YouTube)

Deliverable 5.1 - DEC – PU – M3 (Owner: TGL) Communication channels and project website - Project website, and communication channels (LinkedIn, Twitter, YouTube) (linked to T5.1, T5.2)

D5.3: Project newsletter No 1 - Report on recent news and activities from the project, the first year

Deliverable 5.3 - DEC – PU – M12 (Owner: TGL) Project newsletter No. 1 - Report on recent news and activities from the project, the first year (linked to T5.1, T5.2)

Pubblicazioni

Conference proceedings (3)

Thermal Modeling of SiC Power Module: A CFD-Based Approach for Junction-to-Fluid Resistance Estimate

Autori: Jacopo Ferretti; Lorenzo Colombini; Mariano Nerone; Igor Valic; Filippo Ferrarese; Giacomo Piero Schiapparelli
Pubblicato in: 2025
Editore: VDE
DOI: 10.30420/566541305

Integrated Hall-Effect Broadband Current Sensor for SiC Traction Inverter

Autori: M. Mengozzi; G. P. Gibiino ;J. Ferretti ;M. Nerone ;I. Valic;F. Ferrarese;S. F. Syeda;M. Crescentini;P. A. Traverso
Pubblicato in: 2025
Editore: IEEE

Intelligent Electrical Assessment of Silicon and Silicon Carbide Wafers for Power Applications in Automotive Field

Autori: F. Rundo et al
Pubblicato in: 2024
Editore: IEEE

Peer reviewed articles (1)

HTRB effects on threshold instability of 4H-SiC PowerMOSFET with carrots defects

Autori: L. Anoldo, G. Tosto, Z. Dahrouch, S. Bevilacqua, E. Schroer, S. Patanè, A. Russo
Pubblicato in: Microelectronics Reliability, Numero 170, 2025, ISSN 0026-2714
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICROREL.2025.115781