Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

Reliable Powerdown for Industrial Drives

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Rezultaty

D5.1: Communication channels and project website - Project website, and communication channels (LinkedIn, Twitter, YouTube) (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Deliverable 5.1 - DEC – PU – M3 (Owner: TGL) Communication channels and project website - Project website, and communication channels (LinkedIn, Twitter, YouTube) (linked to T5.1, T5.2)

D5.3: Project newsletter No 1 - Report on recent news and activities from the project, the first year (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Deliverable 5.3 - DEC – PU – M12 (Owner: TGL) Project newsletter No. 1 - Report on recent news and activities from the project, the first year (linked to T5.1, T5.2)

Publikacje

Thermal Modeling of SiC Power Module: A CFD-Based Approach for Junction-to-Fluid Resistance Estimate (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Jacopo Ferretti; Lorenzo Colombini; Mariano Nerone; Igor Valic; Filippo Ferrarese; Giacomo Piero Schiapparelli
Opublikowane w: 2025
Wydawca: VDE
DOI: 10.30420/566541305

Integrated Hall-Effect Broadband Current Sensor for SiC Traction Inverter

Autorzy: M. Mengozzi; G. P. Gibiino ;J. Ferretti ;M. Nerone ;I. Valic;F. Ferrarese;S. F. Syeda;M. Crescentini;P. A. Traverso
Opublikowane w: 2025
Wydawca: IEEE

Intelligent Electrical Assessment of Silicon and Silicon Carbide Wafers for Power Applications in Automotive Field

Autorzy: F. Rundo et al
Opublikowane w: 2024
Wydawca: IEEE

HTRB effects on threshold instability of 4H-SiC PowerMOSFET with carrots defects (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: L. Anoldo, G. Tosto, Z. Dahrouch, S. Bevilacqua, E. Schroer, S. Patanè, A. Russo
Opublikowane w: Microelectronics Reliability, Numer 170, 2025, ISSN 0026-2714
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICROREL.2025.115781

Wyszukiwanie danych OpenAIRE...

Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd

Brak wyników

Moja broszura 0 0