Reliable Powerdown for Industrial Drives

Información del proyecto

R-PODID

Identificador del acuerdo de subvención: 101112338

DOI

10.3030/101112338

Fecha de la firma de la CE 12 Mayo 2023

Fecha de inicio 1 Septiembre 2023

Fecha de finalización 31 Agosto 2026

Financiado con arreglo a

• Digital, Industry and Space

Coste total

€ 23 440 004,16

Aportación de la UE

€ 7 183 297,85

Coordinado por

ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA DI BOLOGNA
Italy

CORDIS proporciona enlaces a los documentos públicos y las publicaciones de los proyectos de los programas marco HORIZONTE.

Los enlaces a los documentos y las publicaciones de los proyectos del Séptimo Programa Marco, así como los enlaces a algunos tipos de resultados específicos, como conjuntos de datos y «software», se obtienen dinámicamente de OpenAIRE .

Resultado final

Websites, patent fillings, videos etc. (2)

D5.1: Communication channels and project website - Project website, and communication channels (LinkedIn, Twitter, YouTube)

Deliverable 5.1 - DEC – PU – M3 (Owner: TGL) Communication channels and project website - Project website, and communication channels (LinkedIn, Twitter, YouTube) (linked to T5.1, T5.2)

D5.3: Project newsletter No 1 - Report on recent news and activities from the project, the first year

Deliverable 5.3 - DEC – PU – M12 (Owner: TGL) Project newsletter No. 1 - Report on recent news and activities from the project, the first year (linked to T5.1, T5.2)

Publicaciones

Conference proceedings (3)

Thermal Modeling of SiC Power Module: A CFD-Based Approach for Junction-to-Fluid Resistance Estimate

Autores: Jacopo Ferretti; Lorenzo Colombini; Mariano Nerone; Igor Valic; Filippo Ferrarese; Giacomo Piero Schiapparelli
Publicado en: 2025
Editor: VDE
DOI: 10.30420/566541305

Integrated Hall-Effect Broadband Current Sensor for SiC Traction Inverter

Autores: M. Mengozzi; G. P. Gibiino ;J. Ferretti ;M. Nerone ;I. Valic;F. Ferrarese;S. F. Syeda;M. Crescentini;P. A. Traverso
Publicado en: 2025
Editor: IEEE

Intelligent Electrical Assessment of Silicon and Silicon Carbide Wafers for Power Applications in Automotive Field

Autores: F. Rundo et al
Publicado en: 2024
Editor: IEEE

Peer reviewed articles (1)

HTRB effects on threshold instability of 4H-SiC PowerMOSFET with carrots defects

Autores: L. Anoldo, G. Tosto, Z. Dahrouch, S. Bevilacqua, E. Schroer, S. Patanè, A. Russo
Publicado en: Microelectronics Reliability, Edición 170, 2025, ISSN 0026-2714
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICROREL.2025.115781