Reliable Powerdown for Industrial Drives

Projektinformationen

R-PODID

ID Finanzhilfevereinbarung: 101112338

DOI

10.3030/101112338

EK-Unterschriftsdatum 12 Mai 2023

Startdatum 1 September 2023

Enddatum 31 August 2026

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 23 440 004,16

EU-Beitrag

€ 7 183 297,85

Koordiniert durch

ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA DI BOLOGNA
Italy

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Leistungen

Websites, patent fillings, videos etc. (2)

D5.1: Communication channels and project website - Project website, and communication channels (LinkedIn, Twitter, YouTube)

Deliverable 5.1 - DEC – PU – M3 (Owner: TGL) Communication channels and project website - Project website, and communication channels (LinkedIn, Twitter, YouTube) (linked to T5.1, T5.2)

D5.3: Project newsletter No 1 - Report on recent news and activities from the project, the first year

Deliverable 5.3 - DEC – PU – M12 (Owner: TGL) Project newsletter No. 1 - Report on recent news and activities from the project, the first year (linked to T5.1, T5.2)

Veröffentlichungen

Conference proceedings (3)

Thermal Modeling of SiC Power Module: A CFD-Based Approach for Junction-to-Fluid Resistance Estimate

Autoren: Jacopo Ferretti; Lorenzo Colombini; Mariano Nerone; Igor Valic; Filippo Ferrarese; Giacomo Piero Schiapparelli
Veröffentlicht in: 2025
Herausgeber: VDE
DOI: 10.30420/566541305

Integrated Hall-Effect Broadband Current Sensor for SiC Traction Inverter

Autoren: M. Mengozzi; G. P. Gibiino ;J. Ferretti ;M. Nerone ;I. Valic;F. Ferrarese;S. F. Syeda;M. Crescentini;P. A. Traverso
Veröffentlicht in: 2025
Herausgeber: IEEE

Intelligent Electrical Assessment of Silicon and Silicon Carbide Wafers for Power Applications in Automotive Field

Autoren: F. Rundo et al
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: IEEE

Peer reviewed articles (1)

HTRB effects on threshold instability of 4H-SiC PowerMOSFET with carrots defects

Autoren: L. Anoldo, G. Tosto, Z. Dahrouch, S. Bevilacqua, E. Schroer, S. Patanè, A. Russo
Veröffentlicht in: Microelectronics Reliability, Ausgabe 170, 2025, ISSN 0026-2714
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICROREL.2025.115781