Boosting the European Value Chain for Sustainable Power Electronics

Informations projet

FastLane

N° de convention de subvention: 101139788

DOI

10.3030/101139788

Date de signature de la CE 22 Mai 2024

Date de début 1 Mai 2024

Date de fin 30 Avril 2027

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 96 869 925,89

Contribution de l’UE

€ 23 002 522,05

Coordonné par

VALEO ELECTRIFICATION SAS
France

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Documents, reports (1)

Data Management Plan

First version of the data management plan (DMP), with description of methods and processes to manage the relevant research data to make them findable, accessible, interoperable and reusable

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

Project Website

Setup of the FASTLANE project website

Publications

Conference proceedings (22)

Analýza výsledkov cyklického výkonového testu MOS tranzistora podporená 3D elektrotepelnými simuláciami

Auteurs: P. Suhaj, A. Chvala,
Publié dans: """Studentská vedecká a odborná činnost’ (ŠVOČ), 2025""", 2025
Éditeur: ŠVOČ
DOI: 10.5281/ZENODO.15774808

Implementácia meracieho systému pre testovanie spoľahlivosti výkonových prvkov

Auteurs: M. Hraňo, A. Chvála,
Publié dans: """Studentská vedecká a odborná činnost’ (ŠVOČ), 2026""", 2026
Éditeur: ŠVOČ

Design of Packaging of Power DMOS Transistor

Auteurs: P. Príbytný, A. Chvála, J. Marek
Publié dans: International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT), 2024
Éditeur: Zenodo
DOI: 10.5281/ZENODO.14974727

Neural Network for Calibration of Electrical Models of Semiconductor Devices

Auteurs: M. Amira, A. Chvála
Publié dans: 2024 15th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ASDAM63148.2024.10844606

Design of Power SiC Transistor Embedded in PCB Supported by 3D Simulations

Auteurs: A. Chvála, J. Marek
Publié dans: International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT), 2024
Éditeur: Zenodo
DOI: 10.5281/ZENODO.14974467

Semiconductor-Focused Simulation Environment for Emitted Noise Sensitivity of MOSFET Parameters

Auteurs: Robert Kragl, Steffen Beushausen, Karl Oberdieck, Konstantin Spanos, Ingmar Kallfass
Publié dans: 2025 International Symposium on Electromagnetic Compatibility – EMC Europe, 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/EMCEUROPE61644.2025.11176251

Optimization of Packaging for Power DMOS Transistor

Auteurs: P. Pribytný, M. Amira, J. Marek, A. Chvála
Publié dans: 13th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, 2025, 2025
Éditeur: ADEPT
DOI: 10.5281/ZENODO.15774710

Neural Network-Based Calibration of Electrical Models for MOSFETs and Diode

Auteurs: M. Amira, A. Chvala
Publié dans: ELITECH`25 27th Conference of Doctoral Students Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, 2025
Éditeur: ELITECH`26
DOI: 10.5281/ZENODO.15774850

TCAD Study on Parallel SiC Two-Pole SSCB Chips Integrated into a 900 V Power Module

Auteurs: M. Keck, N. Boettcher, R. Domes, J. Lindner, H. Rauh and J. Schulze
Publié dans: International Conference on Integrated Power Electronics (CIPS), Dresden, Germany, 2026
Éditeur: IEEE

Plasma Behavior of SiC MOSFETs with Engineered Substrates During Reverse Recovery

Auteurs: Alaluss, Mohamed; Mysore, Madhu Lakshman; Herrmann, Clemens; Goel, Shubhanshu; Elsayed, Ahmed; Basler, Thomas
Publié dans: 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/ISPSD62843.2025.11117512

FastLane: Life Cycle Analysis of SiC from Substrate to Converter

Auteurs: Elise Chaumat
Publié dans: Nanoelec Symposium on Sustainable Electronics and Digital Technologies, 2024
Éditeur: Zenodo
DOI: 10.5281/ZENODO.14988627

A Novel Design Variation of a Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker

Auteurs: A. Hartmann, N. Boettcher
Publié dans: International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics, 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.5281/ZENODO.15681864

Design of Power SiC Transistor Embedded in PCB Supported by 3D Thermo-Mechanical Simulations

Auteurs: A. Chvála, P. Suhaj, M. Florovič, J. Marek
Publié dans: 2024 15th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ASDAM63148.2024.10844645

Active Voltage Probe for Direct Measurement of EMC-Relevant Noise of Power Semiconductors

Auteurs: Robert Kragl, Konstantin Spanos, Karl Oberdieck, Steffen Beushausen, Ingmar Kallfass
Publié dans: 2025 IEEE Energy Conversion Conference Congress and Exposition (ECCE), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ECCE58356.2025.11259863

Design of Packaging of Power DMOS Transistor

Auteurs: P. Príbytný, M. Amira, J. Marek, A. Chvála
Publié dans: 2024 15th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ASDAM63148.2024.10844597

Neural Network-Based Calibration of Electrical Models for Silicon Carbide Diodes

Auteurs: M. Amira, A. Chvála
Publié dans: WOCSDICE-EXMATEC, 2025, Cadiz, Spain 16-20 June 2025, 2025
Éditeur: WOCSDICE-EXMATEC
DOI: 10.5281/ZENODO.20024223

Thermal Simulation with Model Order Reduction for Improved Computational Speed

Auteurs: A. Chvala, M. Florovic, J. Marek
Publié dans: 13th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, 2025, 2025
Éditeur: ADEPT
DOI: 10.5281/ZENODO.15774465

"Effiziente SiC-Leistungsmodule – Herausforderungen und Lösungsansätze zum großflächigen Silber-Sintern von ""Active Metal Brazed""- Substraten auf Aluminium-Bodenplatten"

Auteurs: Sebastian Fritzsche, Katja Stenger, Felix Koser, Noah Glaab, Benjamin Fabian, Florian Seifert
Publié dans: The 13th DVS/GMM Conference EBL 2026, 2026
Éditeur: EBL 2026
DOI: 10.5281/ZENODO.18983130

Analysis of Power Cyclic Test Results of Power MOS Transistor Supported by 3D Electro-Thermal Simulations

Auteurs: P. Suhaj, A. Chvala
Publié dans: 13th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, 2025, 2025
Éditeur: ADEPT
DOI: 10.5281/ZENODO.15774774

Improving Device Behavior Prediction Using Neural Networks for MOSFET and Diode Modeling

Auteurs: M. Amira, A. Chvála
Publié dans: 7th International Conference on Microelectronic Devices and Technologies, (MicDAT 2025), 2025
Éditeur: IFSA Publishing
DOI: 10.13140/RG.2.2.25110.61767

Measurements at High Temperature for Thermal Resisstance of MOSFETs

Auteurs: C. R. Mitulescu (Sandulescu), N. Codreanu, C. Ionescu, P. Svasta, M. Branzei, B. Enache
Publié dans: 25th European Microelectronics and Packaging Conference&Exibition (EMPC), 2025, ISBN 9798331565756
Éditeur: IEEE

Impact of Switching Behavior on the Noise Emission of Power Semiconductors

Auteurs: Robert Kragl, Karl Oberdieck, Konstantin Spanos, Steffen Beushausen, Ingmar Kallfass
Publié dans: 2024 IEEE 9th Southern Power Electronics Conference (SPEC), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/SPEC62217.2024.10893134

Peer reviewed articles (1)

Introducing a modified sample preparation and straightforward elemental ratio determination strategy with LA-ICP-MS to expand the nanoparticle probing toolkit

Auteurs: Olga Lanaridi, Yan Chen, Jakob Nils Blaschke, Pablo Ayala, Bernhard C. Bayer, Dominik Eder, Andreas Limbeck
Publié dans: Advances in Sample Preparation, Numéro 16, 2025, ISSN 2772-5820
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SAMPRE.2025.100223