Boosting the European Value Chain for Sustainable Power Electronics

Informacje na temat projektu

FastLane

Identyfikator umowy o grant: 101139788

DOI

10.3030/101139788

Data podpisania przez KE 22 Maja 2024

Data rozpoczęcia 1 Maja 2024

Data zakończenia 30 Kwietnia 2027

Finansowanie w ramach

• Digital, Industry and Space

Koszt całkowity

€ 96 869 925,89

Wkład UE

€ 23 002 522,05

Koordynowany przez

VALEO ELECTRIFICATION SAS
France

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Rezultaty

Documents, reports (1)

Data Management Plan

First version of the data management plan (DMP), with description of methods and processes to manage the relevant research data to make them findable, accessible, interoperable and reusable

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

Project Website

Setup of the FASTLANE project website

Publikacje

Conference proceedings (22)

Analýza výsledkov cyklického výkonového testu MOS tranzistora podporená 3D elektrotepelnými simuláciami

Autorzy: P. Suhaj, A. Chvala,
Opublikowane w: """Studentská vedecká a odborná činnost’ (ŠVOČ), 2025""", 2025
Wydawca: ŠVOČ
DOI: 10.5281/ZENODO.15774808

Implementácia meracieho systému pre testovanie spoľahlivosti výkonových prvkov

Autorzy: M. Hraňo, A. Chvála,
Opublikowane w: """Studentská vedecká a odborná činnost’ (ŠVOČ), 2026""", 2026
Wydawca: ŠVOČ

Design of Packaging of Power DMOS Transistor

Autorzy: P. Príbytný, A. Chvála, J. Marek
Opublikowane w: International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT), 2024
Wydawca: Zenodo
DOI: 10.5281/ZENODO.14974727

Neural Network for Calibration of Electrical Models of Semiconductor Devices

Autorzy: M. Amira, A. Chvála
Opublikowane w: 2024 15th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ASDAM63148.2024.10844606

Design of Power SiC Transistor Embedded in PCB Supported by 3D Simulations

Autorzy: A. Chvála, J. Marek
Opublikowane w: International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT), 2024
Wydawca: Zenodo
DOI: 10.5281/ZENODO.14974467

Semiconductor-Focused Simulation Environment for Emitted Noise Sensitivity of MOSFET Parameters

Autorzy: Robert Kragl, Steffen Beushausen, Karl Oberdieck, Konstantin Spanos, Ingmar Kallfass
Opublikowane w: 2025 International Symposium on Electromagnetic Compatibility – EMC Europe, 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/EMCEUROPE61644.2025.11176251

Optimization of Packaging for Power DMOS Transistor

Autorzy: P. Pribytný, M. Amira, J. Marek, A. Chvála
Opublikowane w: 13th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, 2025, 2025
Wydawca: ADEPT
DOI: 10.5281/ZENODO.15774710

Neural Network-Based Calibration of Electrical Models for MOSFETs and Diode

Autorzy: M. Amira, A. Chvala
Opublikowane w: ELITECH`25 27th Conference of Doctoral Students Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, 2025
Wydawca: ELITECH`26
DOI: 10.5281/ZENODO.15774850

TCAD Study on Parallel SiC Two-Pole SSCB Chips Integrated into a 900 V Power Module

Autorzy: M. Keck, N. Boettcher, R. Domes, J. Lindner, H. Rauh and J. Schulze
Opublikowane w: International Conference on Integrated Power Electronics (CIPS), Dresden, Germany, 2026
Wydawca: IEEE

Plasma Behavior of SiC MOSFETs with Engineered Substrates During Reverse Recovery

Autorzy: Alaluss, Mohamed; Mysore, Madhu Lakshman; Herrmann, Clemens; Goel, Shubhanshu; Elsayed, Ahmed; Basler, Thomas
Opublikowane w: 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/ISPSD62843.2025.11117512

FastLane: Life Cycle Analysis of SiC from Substrate to Converter

Autorzy: Elise Chaumat
Opublikowane w: Nanoelec Symposium on Sustainable Electronics and Digital Technologies, 2024
Wydawca: Zenodo
DOI: 10.5281/ZENODO.14988627

A Novel Design Variation of a Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker

Autorzy: A. Hartmann, N. Boettcher
Opublikowane w: International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics, 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.5281/ZENODO.15681864

Design of Power SiC Transistor Embedded in PCB Supported by 3D Thermo-Mechanical Simulations

Autorzy: A. Chvála, P. Suhaj, M. Florovič, J. Marek
Opublikowane w: 2024 15th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ASDAM63148.2024.10844645

Active Voltage Probe for Direct Measurement of EMC-Relevant Noise of Power Semiconductors

Autorzy: Robert Kragl, Konstantin Spanos, Karl Oberdieck, Steffen Beushausen, Ingmar Kallfass
Opublikowane w: 2025 IEEE Energy Conversion Conference Congress and Exposition (ECCE), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ECCE58356.2025.11259863

Design of Packaging of Power DMOS Transistor

Autorzy: P. Príbytný, M. Amira, J. Marek, A. Chvála
Opublikowane w: 2024 15th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ASDAM63148.2024.10844597

Neural Network-Based Calibration of Electrical Models for Silicon Carbide Diodes

Autorzy: M. Amira, A. Chvála
Opublikowane w: WOCSDICE-EXMATEC, 2025, Cadiz, Spain 16-20 June 2025, 2025
Wydawca: WOCSDICE-EXMATEC
DOI: 10.5281/ZENODO.20024223

Thermal Simulation with Model Order Reduction for Improved Computational Speed

Autorzy: A. Chvala, M. Florovic, J. Marek
Opublikowane w: 13th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, 2025, 2025
Wydawca: ADEPT
DOI: 10.5281/ZENODO.15774465

"Effiziente SiC-Leistungsmodule – Herausforderungen und Lösungsansätze zum großflächigen Silber-Sintern von ""Active Metal Brazed""- Substraten auf Aluminium-Bodenplatten"

Autorzy: Sebastian Fritzsche, Katja Stenger, Felix Koser, Noah Glaab, Benjamin Fabian, Florian Seifert
Opublikowane w: The 13th DVS/GMM Conference EBL 2026, 2026
Wydawca: EBL 2026
DOI: 10.5281/ZENODO.18983130

Analysis of Power Cyclic Test Results of Power MOS Transistor Supported by 3D Electro-Thermal Simulations

Autorzy: P. Suhaj, A. Chvala
Opublikowane w: 13th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, 2025, 2025
Wydawca: ADEPT
DOI: 10.5281/ZENODO.15774774

Improving Device Behavior Prediction Using Neural Networks for MOSFET and Diode Modeling

Autorzy: M. Amira, A. Chvála
Opublikowane w: 7th International Conference on Microelectronic Devices and Technologies, (MicDAT 2025), 2025
Wydawca: IFSA Publishing
DOI: 10.13140/RG.2.2.25110.61767

Measurements at High Temperature for Thermal Resisstance of MOSFETs

Autorzy: C. R. Mitulescu (Sandulescu), N. Codreanu, C. Ionescu, P. Svasta, M. Branzei, B. Enache
Opublikowane w: 25th European Microelectronics and Packaging Conference&Exibition (EMPC), 2025, ISBN 9798331565756
Wydawca: IEEE

Impact of Switching Behavior on the Noise Emission of Power Semiconductors

Autorzy: Robert Kragl, Karl Oberdieck, Konstantin Spanos, Steffen Beushausen, Ingmar Kallfass
Opublikowane w: 2024 IEEE 9th Southern Power Electronics Conference (SPEC), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/SPEC62217.2024.10893134

Peer reviewed articles (1)

Introducing a modified sample preparation and straightforward elemental ratio determination strategy with LA-ICP-MS to expand the nanoparticle probing toolkit

Autorzy: Olga Lanaridi, Yan Chen, Jakob Nils Blaschke, Pablo Ayala, Bernhard C. Bayer, Dominik Eder, Andreas Limbeck
Opublikowane w: Advances in Sample Preparation, Numer 16, 2025, ISSN 2772-5820
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SAMPRE.2025.100223