Boosting the European Value Chain for Sustainable Power Electronics

Projektinformationen

FastLane

ID Finanzhilfevereinbarung: 101139788

DOI

10.3030/101139788

EK-Unterschriftsdatum 22 Mai 2024

Startdatum 1 Mai 2024

Enddatum 30 April 2027

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 96 869 925,89

EU-Beitrag

€ 23 002 522,05

Koordiniert durch

VALEO ELECTRIFICATION SAS
France

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Leistungen

Documents, reports (1)

Data Management Plan

First version of the data management plan (DMP), with description of methods and processes to manage the relevant research data to make them findable, accessible, interoperable and reusable

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

Project Website

Setup of the FASTLANE project website

Veröffentlichungen

Conference proceedings (22)

Analýza výsledkov cyklického výkonového testu MOS tranzistora podporená 3D elektrotepelnými simuláciami

Autoren: P. Suhaj, A. Chvala,
Veröffentlicht in: """Studentská vedecká a odborná činnost’ (ŠVOČ), 2025""", 2025
Herausgeber: ŠVOČ
DOI: 10.5281/ZENODO.15774808

Implementácia meracieho systému pre testovanie spoľahlivosti výkonových prvkov

Autoren: M. Hraňo, A. Chvála,
Veröffentlicht in: """Studentská vedecká a odborná činnost’ (ŠVOČ), 2026""", 2026
Herausgeber: ŠVOČ

Design of Packaging of Power DMOS Transistor

Autoren: P. Príbytný, A. Chvála, J. Marek
Veröffentlicht in: International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT), 2024
Herausgeber: Zenodo
DOI: 10.5281/ZENODO.14974727

Neural Network for Calibration of Electrical Models of Semiconductor Devices

Autoren: M. Amira, A. Chvála
Veröffentlicht in: 2024 15th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ASDAM63148.2024.10844606

Design of Power SiC Transistor Embedded in PCB Supported by 3D Simulations

Autoren: A. Chvála, J. Marek
Veröffentlicht in: International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADEPT), 2024
Herausgeber: Zenodo
DOI: 10.5281/ZENODO.14974467

Semiconductor-Focused Simulation Environment for Emitted Noise Sensitivity of MOSFET Parameters

Autoren: Robert Kragl, Steffen Beushausen, Karl Oberdieck, Konstantin Spanos, Ingmar Kallfass
Veröffentlicht in: 2025 International Symposium on Electromagnetic Compatibility – EMC Europe, 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/EMCEUROPE61644.2025.11176251

Optimization of Packaging for Power DMOS Transistor

Autoren: P. Pribytný, M. Amira, J. Marek, A. Chvála
Veröffentlicht in: 13th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, 2025, 2025
Herausgeber: ADEPT
DOI: 10.5281/ZENODO.15774710

Neural Network-Based Calibration of Electrical Models for MOSFETs and Diode

Autoren: M. Amira, A. Chvala
Veröffentlicht in: ELITECH`25 27th Conference of Doctoral Students Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, 2025
Herausgeber: ELITECH`26
DOI: 10.5281/ZENODO.15774850

TCAD Study on Parallel SiC Two-Pole SSCB Chips Integrated into a 900 V Power Module

Autoren: M. Keck, N. Boettcher, R. Domes, J. Lindner, H. Rauh and J. Schulze
Veröffentlicht in: International Conference on Integrated Power Electronics (CIPS), Dresden, Germany, 2026
Herausgeber: IEEE

Plasma Behavior of SiC MOSFETs with Engineered Substrates During Reverse Recovery

Autoren: Alaluss, Mohamed; Mysore, Madhu Lakshman; Herrmann, Clemens; Goel, Shubhanshu; Elsayed, Ahmed; Basler, Thomas
Veröffentlicht in: 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.23919/ISPSD62843.2025.11117512

FastLane: Life Cycle Analysis of SiC from Substrate to Converter

Autoren: Elise Chaumat
Veröffentlicht in: Nanoelec Symposium on Sustainable Electronics and Digital Technologies, 2024
Herausgeber: Zenodo
DOI: 10.5281/ZENODO.14988627

A Novel Design Variation of a Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker

Autoren: A. Hartmann, N. Boettcher
Veröffentlicht in: International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics, 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.5281/ZENODO.15681864

Design of Power SiC Transistor Embedded in PCB Supported by 3D Thermo-Mechanical Simulations

Autoren: A. Chvála, P. Suhaj, M. Florovič, J. Marek
Veröffentlicht in: 2024 15th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ASDAM63148.2024.10844645

Active Voltage Probe for Direct Measurement of EMC-Relevant Noise of Power Semiconductors

Autoren: Robert Kragl, Konstantin Spanos, Karl Oberdieck, Steffen Beushausen, Ingmar Kallfass
Veröffentlicht in: 2025 IEEE Energy Conversion Conference Congress and Exposition (ECCE), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ECCE58356.2025.11259863

Design of Packaging of Power DMOS Transistor

Autoren: P. Príbytný, M. Amira, J. Marek, A. Chvála
Veröffentlicht in: 2024 15th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ASDAM63148.2024.10844597

Neural Network-Based Calibration of Electrical Models for Silicon Carbide Diodes

Autoren: M. Amira, A. Chvála
Veröffentlicht in: WOCSDICE-EXMATEC, 2025, Cadiz, Spain 16-20 June 2025, 2025
Herausgeber: WOCSDICE-EXMATEC
DOI: 10.5281/ZENODO.20024223

Thermal Simulation with Model Order Reduction for Improved Computational Speed

Autoren: A. Chvala, M. Florovic, J. Marek
Veröffentlicht in: 13th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, 2025, 2025
Herausgeber: ADEPT
DOI: 10.5281/ZENODO.15774465

"Effiziente SiC-Leistungsmodule – Herausforderungen und Lösungsansätze zum großflächigen Silber-Sintern von ""Active Metal Brazed""- Substraten auf Aluminium-Bodenplatten"

Autoren: Sebastian Fritzsche, Katja Stenger, Felix Koser, Noah Glaab, Benjamin Fabian, Florian Seifert
Veröffentlicht in: The 13th DVS/GMM Conference EBL 2026, 2026
Herausgeber: EBL 2026
DOI: 10.5281/ZENODO.18983130

Analysis of Power Cyclic Test Results of Power MOS Transistor Supported by 3D Electro-Thermal Simulations

Autoren: P. Suhaj, A. Chvala
Veröffentlicht in: 13th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, 2025, 2025
Herausgeber: ADEPT
DOI: 10.5281/ZENODO.15774774

Improving Device Behavior Prediction Using Neural Networks for MOSFET and Diode Modeling

Autoren: M. Amira, A. Chvála
Veröffentlicht in: 7th International Conference on Microelectronic Devices and Technologies, (MicDAT 2025), 2025
Herausgeber: IFSA Publishing
DOI: 10.13140/RG.2.2.25110.61767

Measurements at High Temperature for Thermal Resisstance of MOSFETs

Autoren: C. R. Mitulescu (Sandulescu), N. Codreanu, C. Ionescu, P. Svasta, M. Branzei, B. Enache
Veröffentlicht in: 25th European Microelectronics and Packaging Conference&Exibition (EMPC), 2025, ISBN 9798331565756
Herausgeber: IEEE

Impact of Switching Behavior on the Noise Emission of Power Semiconductors

Autoren: Robert Kragl, Karl Oberdieck, Konstantin Spanos, Steffen Beushausen, Ingmar Kallfass
Veröffentlicht in: 2024 IEEE 9th Southern Power Electronics Conference (SPEC), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/SPEC62217.2024.10893134

Peer reviewed articles (1)

Introducing a modified sample preparation and straightforward elemental ratio determination strategy with LA-ICP-MS to expand the nanoparticle probing toolkit

Autoren: Olga Lanaridi, Yan Chen, Jakob Nils Blaschke, Pablo Ayala, Bernhard C. Bayer, Dominik Eder, Andreas Limbeck
Veröffentlicht in: Advances in Sample Preparation, Ausgabe 16, 2025, ISSN 2772-5820
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SAMPRE.2025.100223