10 Angstrom CMOS exploration

Informations projet

10ACe

N° de convention de subvention: 101139972

DOI

10.3030/101139972

Date de signature de la CE 17 Mai 2024

Date de début 1 Mai 2024

Date de fin 30 Avril 2027

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 97 951 886,50

Contribution de l’UE

€ 23 912 755,63

Coordonné par

ASML NETHERLANDS B.V.
Netherlands

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Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Conference proceedings (4)

OPC and modeling solution to support 0.55NA EUV stitching

Auteurs: Qinglin Zeng, Dongbo Xu, Xuefeng Zeng, Werner Gillijns, Edita Tejnil, Yuyang Sun, Germain Fenger
Publié dans: International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography 2024, 2024
Éditeur: SPIE
DOI: 10.1117/12.3034957

OPC model accuracy of dry resist readiness for 0.55NA EUVL by using low-n bright field mask

Auteurs: Dongbo Xu, Werner Gillijns, Shruti Jambaldinni, Soobin Hwang, Anuja De Silva, Germain Fenger
Publié dans: DTCO and Computational Patterning IV, 2025
Éditeur: SPIE
DOI: 10.1117/12.3051855

High-NA EUV single patterning of advanced metal logic nodes: inverse lithography techniques in combination with alternative mask absorbers

Auteurs: Ana-Maria Armeanu, Nick Pellens, Vicky Philipsen, Evgeny Malankin, Dongbo Xu, Keisuke Mizuuchi, Gabriel Curvacho, Chih-I Wei, Neal V. Lafferty, Germain L. Fenger
Publié dans: 39th European Mask and Lithography Conference (EMLC 2024), 2024
Éditeur: SPIE
DOI: 10.1117/12.3031718

Enablement of 0.55NA EUV bright field mask stitching

Auteurs: Dongbo Xu, Qinglin Zeng, Werner Gillijns, Xuefeng Zeng, Yuyang Sun, Germain L. Fenger
Publié dans: Optical and EUV Nanolithography XXXVIII, 2025
Éditeur: SPIE
DOI: 10.1117/12.3051285

Peer reviewed articles (1)

"Influence of water background pressure on removal rates of SiO<mml:math xmlns:mml=""http://www.w3.org/1998/Math/MathML"" altimg=""si5.svg"" display=""inline"" id=""d1e651""><mml:msub><mml:mrow/><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:math>, Si and photo resist in reactive ion beam etching"

Auteurs: Peter Birtel, Erik Rohkamm, Jens Bauer, Frank Frost
Publié dans: Surfaces and Interfaces, Numéro 64, 2025, ISSN 2468-0230
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SURFIN.2025.106306