10 Angstrom CMOS exploration

Informacje na temat projektu

10ACe

Identyfikator umowy o grant: 101139972

DOI

10.3030/101139972

Data podpisania przez KE 17 Maja 2024

Data rozpoczęcia 1 Maja 2024

Data zakończenia 30 Kwietnia 2027

Finansowanie w ramach

• Digital, Industry and Space

Koszt całkowity

€ 97 951 886,50

Wkład UE

€ 23 912 755,63

Koordynowany przez

ASML NETHERLANDS B.V.
Netherlands

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Publikacje

Conference proceedings (4)

OPC and modeling solution to support 0.55NA EUV stitching

Autorzy: Qinglin Zeng, Dongbo Xu, Xuefeng Zeng, Werner Gillijns, Edita Tejnil, Yuyang Sun, Germain Fenger
Opublikowane w: International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography 2024, 2024
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.3034957

OPC model accuracy of dry resist readiness for 0.55NA EUVL by using low-n bright field mask

Autorzy: Dongbo Xu, Werner Gillijns, Shruti Jambaldinni, Soobin Hwang, Anuja De Silva, Germain Fenger
Opublikowane w: DTCO and Computational Patterning IV, 2025
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.3051855

High-NA EUV single patterning of advanced metal logic nodes: inverse lithography techniques in combination with alternative mask absorbers

Autorzy: Ana-Maria Armeanu, Nick Pellens, Vicky Philipsen, Evgeny Malankin, Dongbo Xu, Keisuke Mizuuchi, Gabriel Curvacho, Chih-I Wei, Neal V. Lafferty, Germain L. Fenger
Opublikowane w: 39th European Mask and Lithography Conference (EMLC 2024), 2024
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.3031718

Enablement of 0.55NA EUV bright field mask stitching

Autorzy: Dongbo Xu, Qinglin Zeng, Werner Gillijns, Xuefeng Zeng, Yuyang Sun, Germain L. Fenger
Opublikowane w: Optical and EUV Nanolithography XXXVIII, 2025
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.3051285

Peer reviewed articles (1)

"Influence of water background pressure on removal rates of SiO<mml:math xmlns:mml=""http://www.w3.org/1998/Math/MathML"" altimg=""si5.svg"" display=""inline"" id=""d1e651""><mml:msub><mml:mrow/><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:math>, Si and photo resist in reactive ion beam etching"

Autorzy: Peter Birtel, Erik Rohkamm, Jens Bauer, Frank Frost
Opublikowane w: Surfaces and Interfaces, Numer 64, 2025, ISSN 2468-0230
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SURFIN.2025.106306