10 Angstrom CMOS exploration

Informazioni relative al progetto

10ACe

ID dell’accordo di sovvenzione: 101139972

DOI

10.3030/101139972

Data della firma CE 17 Maggio 2024

Data di avvio 1 Maggio 2024

Data di completamento 30 Aprile 2027

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 97 951 886,50

Contributo UE

€ 23 912 755,63

Coordinato da

ASML NETHERLANDS B.V.
Netherlands

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

Conference proceedings (4)

OPC and modeling solution to support 0.55NA EUV stitching

Autori: Qinglin Zeng, Dongbo Xu, Xuefeng Zeng, Werner Gillijns, Edita Tejnil, Yuyang Sun, Germain Fenger
Pubblicato in: International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography 2024, 2024
Editore: SPIE
DOI: 10.1117/12.3034957

OPC model accuracy of dry resist readiness for 0.55NA EUVL by using low-n bright field mask

Autori: Dongbo Xu, Werner Gillijns, Shruti Jambaldinni, Soobin Hwang, Anuja De Silva, Germain Fenger
Pubblicato in: DTCO and Computational Patterning IV, 2025
Editore: SPIE
DOI: 10.1117/12.3051855

High-NA EUV single patterning of advanced metal logic nodes: inverse lithography techniques in combination with alternative mask absorbers

Autori: Ana-Maria Armeanu, Nick Pellens, Vicky Philipsen, Evgeny Malankin, Dongbo Xu, Keisuke Mizuuchi, Gabriel Curvacho, Chih-I Wei, Neal V. Lafferty, Germain L. Fenger
Pubblicato in: 39th European Mask and Lithography Conference (EMLC 2024), 2024
Editore: SPIE
DOI: 10.1117/12.3031718

Enablement of 0.55NA EUV bright field mask stitching

Autori: Dongbo Xu, Qinglin Zeng, Werner Gillijns, Xuefeng Zeng, Yuyang Sun, Germain L. Fenger
Pubblicato in: Optical and EUV Nanolithography XXXVIII, 2025
Editore: SPIE
DOI: 10.1117/12.3051285

Peer reviewed articles (1)

"Influence of water background pressure on removal rates of SiO<mml:math xmlns:mml=""http://www.w3.org/1998/Math/MathML"" altimg=""si5.svg"" display=""inline"" id=""d1e651""><mml:msub><mml:mrow/><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:math>, Si and photo resist in reactive ion beam etching"

Autori: Peter Birtel, Erik Rohkamm, Jens Bauer, Frank Frost
Pubblicato in: Surfaces and Interfaces, Numero 64, 2025, ISSN 2468-0230
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SURFIN.2025.106306