10 Angstrom CMOS exploration

Informazioni relative al progetto

10ACe

ID dell’accordo di sovvenzione: 101139972

DOI

10.3030/101139972

Data della firma CE 17 Maggio 2024

Data di avvio 1 Maggio 2024

Data di completamento 30 Aprile 2027

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 97 951 886,50

Contributo UE

€ 23 912 755,63

Coordinato da

ASML NETHERLANDS B.V.
Netherlands

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I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (2)

OPC and modeling solution to support 0.55 NA EUV stitching

Autori: Dongbo Xu, Qinglin Zeng, Xuefeng Zeng, Werner Gillijns, Vicky Philipsen, Kalaivanan Loganathan, Shubhankar Das, Kia Woon Mah, Victor Blanco, Anuja De Silva, Yuyang Sun, Germain Fenger
Pubblicato in: Journal of Micro/Nanopatterning, Materials, and Metrology, Numero 24, 2025, ISSN 2708-8340
Editore: SPIE-Intl Soc Optical Eng
DOI: 10.1117/1.JMM.24.4.041203

"Influence of water background pressure on removal rates of SiO<mml:math xmlns:mml=""http://www.w3.org/1998/Math/MathML"" altimg=""si5.svg"" display=""inline"" id=""d1e651""><mml:msub><mml:mrow/><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:math>, Si and photo resist in reactive ion beam etching"

Autori: Peter Birtel, Erik Rohkamm, Jens Bauer, Frank Frost
Pubblicato in: Surfaces and Interfaces, Numero 64, 2025, ISSN 2468-0230
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SURFIN.2025.106306

Conference proceedings (6)

Analytical methods for SEM image enhancement: noise and charging effect reduction for precise contour extraction

Autori: Mohamed Abaidi, XiaoChun Yang, Hawren Fang, Chris Clifford, Renyang Meng, Werner Gillijns
Pubblicato in: 40th European Mask and Lithography Conference (EMLC 2025), 2025, ISSN 1996-756X
Editore: SPIE
DOI: 10.1117/12.3063008

OPC and modeling solution to support 0.55NA EUV stitching

Autori: Qinglin Zeng, Dongbo Xu, Xuefeng Zeng, Werner Gillijns, Edita Tejnil, Yuyang Sun, Germain Fenger
Pubblicato in: International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography 2024, 2024
Editore: SPIE
DOI: 10.1117/12.3034957

OPC model accuracy of dry resist readiness for 0.55NA EUVL by using low-n bright field mask

Autori: Dongbo Xu, Werner Gillijns, Shruti Jambaldinni, Soobin Hwang, Anuja De Silva, Germain Fenger
Pubblicato in: DTCO and Computational Patterning IV, 2025
Editore: SPIE
DOI: 10.1117/12.3051855

High-NA EUV single patterning of advanced metal logic nodes: inverse lithography techniques in combination with alternative mask absorbers

Autori: Ana-Maria Armeanu, Nick Pellens, Vicky Philipsen, Evgeny Malankin, Dongbo Xu, Keisuke Mizuuchi, Gabriel Curvacho, Chih-I Wei, Neal V. Lafferty, Germain L. Fenger
Pubblicato in: 39th European Mask and Lithography Conference (EMLC 2024), 2024
Editore: SPIE
DOI: 10.1117/12.3031718

Enablement of 0.55NA EUV bright field mask stitching

Autori: Dongbo Xu, Qinglin Zeng, Werner Gillijns, Xuefeng Zeng, Yuyang Sun, Germain L. Fenger
Pubblicato in: Optical and EUV Nanolithography XXXVIII, 2025
Editore: SPIE
DOI: 10.1117/12.3051285

High-NA stitching: model and OPC assessment for logic metal printing with a low-n mask

Autori: Qinglin Zeng, Dongbo Xu, Werner Gillijns, Xuefeng Zeng, Roel Gronheid, Sandip Halder, Fan Jiang, Shibing Wang, Yuyang Sun, Germain Fenger
Pubblicato in: International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography 2025, 2025
Editore: SPIE
DOI: 10.1117/12.3071948