FD-SOI Pilot Line for Applications with embedded non-volatile Memories, RF, 3D integration and PMIC, to ensure European Sovereignty

Informations projet

FAMES

N° de convention de subvention: 101182279

DOI

10.3030/101182279

Date de signature de la CE 3 Decembre 2024

Date de début 1 Decembre 2023

Date de fin 31 Decembre 2028

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 433 622 083,00

Contribution de l’UE

€ 216 811 041,50

Coordonné par

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Documents, reports (3)

D1.4.3: Non-volatile memory and 3D integration Process Design-Kit add-on for MAD305 MPW test vehicle

Delivery of the Process Design-Kit add-on to set-up the MAD305 maskset

D11.1.1: LCA methods

Definition of the relevant LCA methodology

D13.2: Initial Dissemination and Communication Plan

The Communication and Dissemination plan will include dissemination goals, information to be disseminated, targeted stakeholders, timelines and KPIs.

Publications

Peer reviewed articles (2)

Selective Epitaxial Growth of SiGe(:B) for Advanced p-Type Fd-SOI

Auteurs: Justine Lespiaux, Joël Kanyandekwe, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Alan Thouvard, Tim Biet
Publié dans: ECS Transactions, Numéro Volume 114, Number 2, 2024, ISSN 1938-5862
Éditeur: IOP Publishing
DOI: 10.1149/11402.0271ECST

Selective Epitaxy of Tensile, Highly Doped SiP for Planar NMOS FD-SOI Devices

Auteurs: Joel Kanyandekwe, Jean-Michel Hartmann, Justine Lespiaux, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Nicolas Gauthier, Alan Thouvard, Tim Biet, Ludovic Couture, Adrien Blot-Saby, Agathe Andre, Jérémy Marchand, Christophe Licitra, Remi Coquand, Alexis Royer, Tristan Dewolf, Haidar Al Dujaili, Andrea Lassenberger, Olivier Glorieux
Publié dans: ECS Transactions, Numéro 114, 2024, ISSN 1938-5862
Éditeur: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/11402.0253ECST

Conference proceedings (6)

Process challenges of the STRASS technique to increase the electron mobility in advanced FDSOI nMOSFETs

Auteurs: Milesi, F., Rodriguez, P., Zouknakl, L.D.M. et al.
Publié dans: MRS Advances, Numéro 10, 174-178, 2025
Éditeur: MRS Advances
DOI: 10.1557/S43580-025-01148-4

Calibration Insights of Phosphorus Diffusion Model for NMOS FDSOI : Pathway to Advanced Technology Nodes

Auteurs: A-S. Royet; R. Chouk; O. Cueto; J. Kanyandekwe; V. Lapras; M-A. Jaud
Publié dans: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733008

Analysis of the key parameters of box creep process for advanced FDSOI devices

Auteurs: Jarjayes, Sylvie; Brunet, Laurent; Rodriguez, Philippe
Publié dans: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), 2024, ISSN 2833-8596
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/EUROSIME60745.2024.10491442

DTCO of advanced FDSOI CMOS technology by process emulation

Auteurs: Aicha Boujnah; Olga Cueto; Marie-Anne Jaud; Sebastien Martinie; Franck Nallet; Claire Fenouillet-Beranger
Publié dans: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733323

Silicidation of Next Generation of FD-SOI Devices: Effect of P Doping Level in epitaxial Si:P Films

Auteurs: H. Grampeix
Publié dans: 2024
Éditeur: MAM2024

Analysis of the key parameters of box creep process for advanced FDSOI devices

Auteurs: S. Jarjayes, Laurent Brunet, Philippe Rodriguez
Publié dans: 2024
Éditeur: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE)
DOI: 10.1109/EuroSimE60745.2024.10491442