FD-SOI Pilot Line for Applications with embedded non-volatile Memories, RF, 3D integration and PMIC, to ensure European Sovereignty

Informations projet

FAMES

N° de convention de subvention: 101182279

DOI

10.3030/101182279

Date de signature de la CE 3 Decembre 2024

Date de début 1 Decembre 2023

Date de fin 31 Decembre 2028

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 433 622 083,00

Contribution de l’UE

€ 216 811 041,50

Coordonné par

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Documents, reports (3)

D1.4.3: Non-volatile memory and 3D integration Process Design-Kit add-on for MAD305 MPW test vehicle

Delivery of the Process Design-Kit add-on to set-up the MAD305 maskset

D11.1.1: LCA methods

Definition of the relevant LCA methodology

D13.2: Initial Dissemination and Communication Plan

The Communication and Dissemination plan will include dissemination goals, information to be disseminated, targeted stakeholders, timelines and KPIs.

Publications

Peer reviewed articles (16)

Ising-inspired invertible adders using coupled phase-locked CMOS ring oscillators

Auteurs: Ali Bazzi, Hugo Levices, Philippe Talatchian, Franck Badets, Louis Hutin
Publié dans: Physical Review Applied, Numéro 24, 2025, ISSN 2331-7019
Éditeur: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/8XC2-VKK3

300 Mm sSOI engineering with ultra thin buried oxide

Auteurs: D. Barge; M. Gallard; J.-M. Hartmann; F. Fournel; V. Loup; F. Mazen; E. Nolot; P. Hauchecorne; J. Sturm; V.H. Le; I. Huyet; D. Delprat; F. Boedt; F. Servant
Publié dans: Solid-State Electronics, 2026, ISSN 0000-0000
Éditeur: EuroSOI-ULIS 2025’ published in Solid State Electronics.
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109307

Toward full relaxation of sSOI substrates for PFET device fabrication

Auteurs: N-P. Tran; F. Milesi; V-H. Le; L-D. Mohgouk Zouknak; P. Dezest; Ph. Rodriguez; L. Brunet; B. Duriez; M-C. Cyrille; C. Fenouillet-Beranger
Publié dans: Solid-State Electronics, Numéro Volume 229, November 2025, 109196, 2025, ISSN 0000-0000
Éditeur: 2025 Elsevier Ltd for EuroSOI-ULIS 2025’ published in Solid State Electronics.
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109196

Bayesian continual learning and forgetting in neural networks

Auteurs: Djohan Bonnet, Kellian Cottart, Tifenn Hirtzlin, Tarcisius Januel, Thomas Dalgaty, Elisa Vianello, Damien Querlioz
Publié dans: Nature Communications, Numéro 16, 2025, ISSN 2041-1723
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41467-025-64601-W

Selective Epitaxial Growth of SiGe(:B) for Advanced p-Type Fd-SOI

Auteurs: Justine Lespiaux, Joël Kanyandekwe, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Alan Thouvard, Tim Biet
Publié dans: ECS Transactions, Numéro Volume 114, Number 2, 2024, ISSN 1938-5862
Éditeur: IOP Publishing
DOI: 10.1149/11402.0271ECST

Modeling of RRAM based PUF: a case study

Auteurs: Kamil Ber, Piotr Wiśniewski
Publié dans: Solid-State Electronics, Numéro 231, 2026, ISSN 0038-1101
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109267

Influence of Dopant and Si:B Cap on Ni(Pt)-Based Silicidation of SiGe:B for Next Generation PMOS FDSOI Devices

Auteurs: Helen Grampeix; Théo Cabaret; Justine Lespiaux; Patrice Gergaud; Nicolas Gauthier; Philippe Rodriguez
Publié dans: 2025 22nd International Workshop on Junction Technology (IWJT), 2025, ISSN 0000-0000
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/IWJT66253.2025.11072894

On the Enhanced p‐Type Performance of Back‐Gated WS₂ Devices

Auteurs: Carlos Marquez, Farzan Gity, Jose C. Galdon, Alberto Martinez, Norberto Salazar, Lida Ansari, Hazel Neill, Luca Donetti, Francisco Lorenzo, Manuel Caño‐Garcia, Ruben Ortega, Carlos Navarro, Carlos Sampedro, Paul K. Hurley, Francisco Gamiz
Publié dans: Advanced Electronic Materials, Numéro 11, 2025, ISSN 2199-160X
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.202500079

Dual-Mode Wideband Receiver Operating with Frequency Modulated Impulse Radar Waveform

Auteurs: Mykhailo Zarudniev; Laurent Ouvry; Gilles Masson; Arthur Paviot; Cedric Dehos; Pierre Courouve; David Lachartre
Publié dans: 2025 IEEE Radar Conference (RadarConf25), 2025, ISSN 2375-5318
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/RADARCONF2559087.2025.11205075

Selective Epitaxy of Tensile, Highly Doped SiP for Planar NMOS FD-SOI Devices

Auteurs: Joel Kanyandekwe, Jean-Michel Hartmann, Justine Lespiaux, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Nicolas Gauthier, Alan Thouvard, Tim Biet, Ludovic Couture, Adrien Blot-Saby, Agathe Andre, Jérémy Marchand, Christophe Licitra, Remi Coquand, Alexis Royer, Tristan Dewolf, Haidar Al Dujaili, Andrea Lassenberger, Olivier Glorieux
Publié dans: ECS Transactions, Numéro 114, 2024, ISSN 1938-5862
Éditeur: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/11402.0253ECST

Wafer-Scale Demonstration of BEOL-Compatible Ambipolar MoS₂ Devices Enabled by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition

Auteurs: Alberto Martínez; Carlos Márquez; Francisco Lorenzo; Francisco Gutiérrez; Manuel Caño-García; Jorge Ávila; José Carlos Galdón Gil; Ruben Ortega Lopez; Carlos Navarro; Luca Donetti; Francisco Gámiz
Publié dans: ACS Applied Materials & Interfaces, 2025, ISSN 0000-0000
Éditeur: ACS Publications
DOI: 10.1021/ACSAMI.5C12014

Europe’s pilot line on fully depleted silicon-on-insulator technology (FAMES)

Auteurs: Jean-René Lèquepeys, Dominique Noguet, Bruno Paing, Xavier Lemoine, Christophe Wyon, Marie-Claire Cyrille, Claire Fenouillet-Béranger, Eric Dupont-Nivet, Chrystel Deguet, Susana Bonnetier
Publié dans: Nature Reviews Electrical Engineering, Numéro 2, 2025, ISSN 2948-1201
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S44287-025-00144-Y

Nanoscale SOI strain engineering: STRASS-enabled local stress optimization

Auteurs: L.D. Mohgouk Zouknak; V-H. Le; N-P. Tran; F. Milesi; J.-M. Hartmann; S. Jarjayes; J. Lespiaux; A. Jannaud; F. Aussenac; N. Bernier; Ph. Rodriguez; L. Brunet; B. Duriez; M.C. Cyrille; C. Fenouillet-Beranger
Publié dans: Solid-State Electronics, 2025, ISSN 0000-0000
Éditeur: EuroSOI-ULIS 2025’ published in Solid State Electronics.
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109215

Investigation of compliance current effect on resistive switching properties in Ag/SiOx/Cr RRAM devices

Auteurs: Piotr Wiśniewski, Piotr Jeżak, Aleksander Małkowski, Alicja Kądziela, Jakub Krzemiński, Robert Mroczyński
Publié dans: Solid-State Electronics, Numéro 231, 2026, ISSN 0038-1101
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109288

Wafer‐Scale Demonstration of Polycrystalline MoS₂ Growth on 200 mm Glass and SiO₂/Si Substrates by Plasma‐Enhanced Atomic Layer Deposition

Auteurs: Julia Jagosz, Leander Willeke, Nils Gerke, Malte J. M. J. Becher, Paul Plate, Aleksander Kostka, Detlef Rogalla, Andreas Ostendorf, Claudia Bock
Publié dans: Advanced Materials Technologies, Numéro 9, 2025, ISSN 2365-709X
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/ADMT.202400492

Pursuing the FD-SOI roadmap down to 10 nm and 7 nm nodes for high energy efficient, low power and RF/mmWave applications

Auteurs: C. Fenouillet-Beranger; O. Rozeau; R. Chouk; O. Cueto; A-S. Royet; M. Charbonneau; B. Mohamad; L. Brévard; Z. Chalupa; A. Bond; F. Baudin; L. Brunet; P. Rodriguez; R. Gassilloud; T. Mota-Frutuoso; P. Pimenta-Barros; S. Beaurepaire; V. Lapras; J. Kanyandekwe; E. Petitprez; P. Brianceau; R. Segaud; null S.Verrun; D. Barge; P. Chausse; O. Billoint; W. Vandendaele; K. Romanjek; V. Loup; J-M. Hartmann; A. Magalhaes-Lucas; G. Garnier; A. Souhaité; G. Cibrario; B. Duriez; T. Poiroux; M-C. Cyrille; D. Noguet
Publié dans: Solid-State Electronics, 2026, ISSN 0000-0000
Éditeur: Solid-State Electronics SSRN
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109264

Conference proceedings (11)

Ultra-Thin-Body and Buried Oxide FD-SOI next generation nodes and eNVM technologies for advanced IC design

Auteurs: Claire Fenouillet-Beranger, Laurent Fesquet, Rihab Chouk, Gabriel Pares, Baudoin Martineau, Marie-Claire Cyrille, Thierry Poiroux, Olivier Billoint, Dominique Noguet
Publié dans: 2025 IEEE 28th International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits and Systems (DDECS), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/DDECS63720.2025.11006678

Breakthrough Processes for Si CMOS Devices with BEOL Compatibility for 3D Sequential Integrated more than Moore Analog Applications

Auteurs: D. Bosch, A. Viey, T. Mota Frutuoso, P. Lheritier, C. Licitra, N. Zerhouni, A. Albouy, L. Brunet, A. Magalhaes-Lucas, L. M. B. da Silva, H. Boutry, M. Husien Fahmy Taha Abdelrahman, F. Cristiano, R. G
Publié dans: 2024 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/VLSITECHNOLOGYANDCIR46783.2024.10631398

Process challenges of the STRASS technique to increase the electron mobility in advanced FDSOI nMOSFETs

Auteurs: Milesi, F., Rodriguez, P., Zouknakl, L.D.M. et al.
Publié dans: MRS Advances, Numéro 10, 174-178, 2025
Éditeur: MRS Advances
DOI: 10.1557/S43580-025-01148-4

Calibration Insights of Phosphorus Diffusion Model for NMOS FDSOI : Pathway to Advanced Technology Nodes

Auteurs: A-S. Royet; R. Chouk; O. Cueto; J. Kanyandekwe; V. Lapras; M-A. Jaud
Publié dans: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733008

DTCO of advanced FDSOI CMOS technology by process emulation

Auteurs: Aicha Boujnah; Olga Cueto; Marie-Anne Jaud; Sebastien Martinie; Franck Nallet; Claire Fenouillet-Beranger
Publié dans: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733323

High Performance 2.5V n&p 400°C SOI MOSFETs: a Breakthrough for versatile 3D Sequential Integration

Auteurs: D. Bosch, W. Vandendaele, E-A Diallo, A-S Royet, A. Albouy, M. Opprecht, F-X Darras, V. Benevent, P. Maillard, O. Adami, M. Ribotta, S. Kerdilès, R. Gassilloud, X. Garros, P. Batude
Publié dans: 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM50572.2025.11353514

Comparative study of ALD MoS₂ on high-k dielectrics for the fabrication of nanowire FETs

Auteurs: M. Rodriguez-Fano, J.M. Pedini, S. Cadot, H. Grampeix, T. Magis, F. Laulagnet, R. Souil, S. Barraud
Publié dans: 2024 IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ESSERC62670.2024.10719452

First Radio-Frequency Circuits Fabricated in Top-Tier of a Full 3D Sequential Integration Process at mmW for 5G Applications

Auteurs: J. Lugo-Alvarez, J.B. David, A. Siligaris, V. Puyal, G. Moritz, T. Mota-Frutuoso, V. Lapras, C. Fenouillet-Beranger, L. Brunet, P. Vincent, D. Lattard, X. Garros, F. Andrieu, P. Batude
Publié dans: 2024 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/VLSITECHNOLOGYANDCIR46783.2024.10631483

ITO Contact Optimization for Enhancement Mode BEOL MOSFETs

Auteurs: Karl-Magnus Persson, Patrik Eskelinen, Oscar Kaatranen, Olli-Pekka Kilpi
Publié dans: 2025 Device Research Conference (DRC), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/DRC66027.2025.11105747

Silicidation of Next Generation of FD-SOI Devices: Effect of P Doping Level in epitaxial Si:P Films

Auteurs: H. Grampeix
Publié dans: 2024
Éditeur: MAM2024

Analysis of the key parameters of box creep process for advanced FDSOI devices

Auteurs: Sylvie Jarjayes, Laurent Brunet, Philippe Rodriguez
Publié dans: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/EUROSIME60745.2024.10491442