FD-SOI Pilot Line for Applications with embedded non-volatile Memories, RF, 3D integration and PMIC, to ensure European Sovereignty

Projektinformationen

FAMES

ID Finanzhilfevereinbarung: 101182279

DOI

10.3030/101182279

EK-Unterschriftsdatum 3 Dezember 2024

Startdatum 1 Dezember 2023

Enddatum 31 Dezember 2028

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 433 622 083,00

EU-Beitrag

€ 216 811 041,50

Koordiniert durch

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Leistungen

Documents, reports (3)

D1.4.3: Non-volatile memory and 3D integration Process Design-Kit add-on for MAD305 MPW test vehicle

Delivery of the Process Design-Kit add-on to set-up the MAD305 maskset

D11.1.1: LCA methods

Definition of the relevant LCA methodology

D13.2: Initial Dissemination and Communication Plan

The Communication and Dissemination plan will include dissemination goals, information to be disseminated, targeted stakeholders, timelines and KPIs.

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (2)

Selective Epitaxial Growth of SiGe(:B) for Advanced p-Type Fd-SOI

Autoren: Justine Lespiaux, Joël Kanyandekwe, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Alan Thouvard, Tim Biet
Veröffentlicht in: ECS Transactions, Ausgabe Volume 114, Number 2, 2024, ISSN 1938-5862
Herausgeber: IOP Publishing
DOI: 10.1149/11402.0271ECST

Selective Epitaxy of Tensile, Highly Doped SiP for Planar NMOS FD-SOI Devices

Autoren: Joel Kanyandekwe, Jean-Michel Hartmann, Justine Lespiaux, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Nicolas Gauthier, Alan Thouvard, Tim Biet, Ludovic Couture, Adrien Blot-Saby, Agathe Andre, Jérémy Marchand, Christophe Licitra, Remi Coquand, Alexis Royer, Tristan Dewolf, Haidar Al Dujaili, Andrea Lassenberger, Olivier Glorieux
Veröffentlicht in: ECS Transactions, Ausgabe 114, 2024, ISSN 1938-5862
Herausgeber: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/11402.0253ECST

Conference proceedings (6)

Process challenges of the STRASS technique to increase the electron mobility in advanced FDSOI nMOSFETs

Autoren: Milesi, F., Rodriguez, P., Zouknakl, L.D.M. et al.
Veröffentlicht in: MRS Advances, Ausgabe 10, 174-178, 2025
Herausgeber: MRS Advances
DOI: 10.1557/S43580-025-01148-4

Calibration Insights of Phosphorus Diffusion Model for NMOS FDSOI : Pathway to Advanced Technology Nodes

Autoren: A-S. Royet; R. Chouk; O. Cueto; J. Kanyandekwe; V. Lapras; M-A. Jaud
Veröffentlicht in: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733008

Analysis of the key parameters of box creep process for advanced FDSOI devices

Autoren: Jarjayes, Sylvie; Brunet, Laurent; Rodriguez, Philippe
Veröffentlicht in: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), 2024, ISSN 2833-8596
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/EUROSIME60745.2024.10491442

DTCO of advanced FDSOI CMOS technology by process emulation

Autoren: Aicha Boujnah; Olga Cueto; Marie-Anne Jaud; Sebastien Martinie; Franck Nallet; Claire Fenouillet-Beranger
Veröffentlicht in: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733323

Silicidation of Next Generation of FD-SOI Devices: Effect of P Doping Level in epitaxial Si:P Films

Autoren: H. Grampeix
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: MAM2024

Analysis of the key parameters of box creep process for advanced FDSOI devices

Autoren: S. Jarjayes, Laurent Brunet, Philippe Rodriguez
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE)
DOI: 10.1109/EuroSimE60745.2024.10491442