FD-SOI Pilot Line for Applications with embedded non-volatile Memories, RF, 3D integration and PMIC, to ensure European Sovereignty

Projektinformationen

FAMES

ID Finanzhilfevereinbarung: 101182279

DOI 10.3030/101182279

EK-Unterschriftsdatum 3 Dezember 2024

Startdatum 1 Dezember 2023

Enddatum 31 Dezember 2028

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten € 433 622 083,00

EU-Beitrag € 216 811 041,50

Koordiniert durch

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
Frankreich

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Veröffentlichungen

Fachlich begutachtete Artikel (2)

Selective Epitaxial Growth of SiGe(:B) for Advanced p-Type Fd-SOI

Autoren: Justine Lespiaux, Joël Kanyandekwe, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Alan Thouvard, Tim Biet
Veröffentlicht in: ECS Transactions, Volume 114, Number 2, 2024, ISSN 1938-5862
Herausgeber: IOP Publishing
DOI: 10.1149/11402.0271ecst

Selective Epitaxy of Tensile, Highly Doped SiP for Planar NMOS FD-SOI Devices

Autoren: Joel Kanyandekwe, Jean-Michel Hartmann, Justine Lespiaux, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Nicolas Gauthier, Alan Thouvard, Tim Biet, Ludovic Couture, Adrien Blot-Saby, Agathe Andre, Jérémy Marchand, Christophe Licitra, Remi Coquand, Alexis Royer, Tristan Dewolf, Haidar Al Dujaili, Andrea Lassenberger, Olivier Glorieux
Veröffentlicht in: ECS Transactions, Ausgabe 114, 2024, ISSN 1938-5862
Herausgeber: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/11402.0253ecst

Konferenzprotokolle (5)

Process challenges of the STRASS technique to increase the electron mobility in advanced FDSOI nMOSFETs

Autoren: Milesi, F., Rodriguez, P., Zouknakl, L.D.M. et al.
Veröffentlicht in: 2025
Herausgeber: MRS Advances
DOI: 10.1557/s43580-025-01148-4

Calibration Insights of Phosphorus Diffusion Model for NMOS FDSOI : Pathway to Advanced Technology Nodes

Autoren: A-S. Royet; R. Chouk; O. Cueto; J. Kanyandekwe; V. Lapras; M-A. Jaud
Veröffentlicht in: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733008

DTCO of advanced FDSOI CMOS technology by process emulation

Autoren: Aicha Boujnah; Olga Cueto; Marie-Anne Jaud; Sebastien Martinie; Franck Nallet; Claire Fenouillet-Beranger
Veröffentlicht in: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733323

Silicidation of Next Generation of FD-SOI Devices: Effect of P Doping Level in epitaxial Si:P Films

Autoren: H. Grampeix
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: MAM2024

Analysis of the key parameters of box creep process for advanced FDSOI devices

Autoren: S. Jarjayes, Laurent Brunet, Philippe Rodriguez
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE)
DOI: 10.1109/EuroSimE60745.2024.10491442