FD-SOI Pilot Line for Applications with embedded non-volatile Memories, RF, 3D integration and PMIC, to ensure European Sovereignty

Informacje na temat projektu

FAMES

Identyfikator umowy o grant: 101182279

DOI

10.3030/101182279

Data podpisania przez KE 3 Grudnia 2024

Data rozpoczęcia 1 Grudnia 2023

Data zakończenia 31 Grudnia 2028

Finansowanie w ramach

• Digital, Industry and Space

Koszt całkowity

€ 433 622 083,00

Wkład UE

€ 216 811 041,50

Koordynowany przez

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Rezultaty

Documents, reports (3)

D1.4.3: Non-volatile memory and 3D integration Process Design-Kit add-on for MAD305 MPW test vehicle

Delivery of the Process Design-Kit add-on to set-up the MAD305 maskset

D11.1.1: LCA methods

Definition of the relevant LCA methodology

D13.2: Initial Dissemination and Communication Plan

The Communication and Dissemination plan will include dissemination goals, information to be disseminated, targeted stakeholders, timelines and KPIs.

Publikacje

Conference proceedings (9)

Comparative study of ALD MoS₂ on high-k dielectrics for the fabrication of nanowire FETs

Autorzy: M. Rodriguez-Fano, J.M. Pedini, S. Cadot, H. Grampeix, T. Magis, F. Laulagnet, R. Souil, S. Barraud
Opublikowane w: 2024 IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC), 2024
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ESSERC62670.2024.10719452

Breakthrough Processes for Si CMOS Devices with BEOL Compatibility for 3D Sequential Integrated more than Moore Analog Applications

Autorzy: D. Bosch, A. Viey, T. Mota Frutuoso, P. Lheritier, C. Licitra, N. Zerhouni, A. Albouy, L. Brunet, A. Magalhaes-Lucas, L. M. B. da Silva, H. Boutry, M. Husien Fahmy Taha Abdelrahman, F. Cristiano, R. G
Opublikowane w: 2024 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/VLSITECHNOLOGYANDCIR46783.2024.10631398

Process challenges of the STRASS technique to increase the electron mobility in advanced FDSOI nMOSFETs

Autorzy: Milesi, F., Rodriguez, P., Zouknakl, L.D.M. et al.
Opublikowane w: MRS Advances, Numer 10, 174-178, 2025
Wydawca: MRS Advances
DOI: 10.1557/S43580-025-01148-4

Calibration Insights of Phosphorus Diffusion Model for NMOS FDSOI : Pathway to Advanced Technology Nodes

Autorzy: A-S. Royet; R. Chouk; O. Cueto; J. Kanyandekwe; V. Lapras; M-A. Jaud
Opublikowane w: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733008

Analysis of the key parameters of box creep process for advanced FDSOI devices

Autorzy: Jarjayes, Sylvie; Brunet, Laurent; Rodriguez, Philippe
Opublikowane w: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), 2024, ISSN 2833-8596
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/EUROSIME60745.2024.10491442

DTCO of advanced FDSOI CMOS technology by process emulation

Autorzy: Aicha Boujnah; Olga Cueto; Marie-Anne Jaud; Sebastien Martinie; Franck Nallet; Claire Fenouillet-Beranger
Opublikowane w: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733323

First Radio-Frequency Circuits Fabricated in Top-Tier of a Full 3D Sequential Integration Process at mmW for 5G Applications

Autorzy: J. Lugo-Alvarez, J.B. David, A. Siligaris, V. Puyal, G. Moritz, T. Mota-Frutuoso, V. Lapras, C. Fenouillet-Beranger, L. Brunet, P. Vincent, D. Lattard, X. Garros, F. Andrieu, P. Batude
Opublikowane w: 2024 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/VLSITECHNOLOGYANDCIR46783.2024.10631483

Silicidation of Next Generation of FD-SOI Devices: Effect of P Doping Level in epitaxial Si:P Films

Autorzy: H. Grampeix
Opublikowane w: 2024
Wydawca: MAM2024

Analysis of the key parameters of box creep process for advanced FDSOI devices

Autorzy: S. Jarjayes, Laurent Brunet, Philippe Rodriguez
Opublikowane w: 2024
Wydawca: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE)
DOI: 10.1109/EuroSimE60745.2024.10491442

Peer reviewed articles (2)

Selective Epitaxial Growth of SiGe(:B) for Advanced p-Type Fd-SOI

Autorzy: Justine Lespiaux, Joël Kanyandekwe, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Alan Thouvard, Tim Biet
Opublikowane w: ECS Transactions, Numer Volume 114, Number 2, 2024, ISSN 1938-5862
Wydawca: IOP Publishing
DOI: 10.1149/11402.0271ECST

Selective Epitaxy of Tensile, Highly Doped SiP for Planar NMOS FD-SOI Devices

Autorzy: Joel Kanyandekwe, Jean-Michel Hartmann, Justine Lespiaux, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Nicolas Gauthier, Alan Thouvard, Tim Biet, Ludovic Couture, Adrien Blot-Saby, Agathe Andre, Jérémy Marchand, Christophe Licitra, Remi Coquand, Alexis Royer, Tristan Dewolf, Haidar Al Dujaili, Andrea Lassenberger, Olivier Glorieux
Opublikowane w: ECS Transactions, Numer 114, 2024, ISSN 1938-5862
Wydawca: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/11402.0253ECST