FD-SOI Pilot Line for Applications with embedded non-volatile Memories, RF, 3D integration and PMIC, to ensure European Sovereignty

Información del proyecto

FAMES

Identificador del acuerdo de subvención: 101182279

DOI

10.3030/101182279

Fecha de la firma de la CE 3 Diciembre 2024

Fecha de inicio 1 Diciembre 2023

Fecha de finalización 31 Diciembre 2028

Financiado con arreglo a

• Digital, Industry and Space

Coste total

€ 433 622 083,00

Aportación de la UE

€ 216 811 041,50

Coordinado por

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

CORDIS proporciona enlaces a los documentos públicos y las publicaciones de los proyectos de los programas marco HORIZONTE.

Los enlaces a los documentos y las publicaciones de los proyectos del Séptimo Programa Marco, así como los enlaces a algunos tipos de resultados específicos, como conjuntos de datos y «software», se obtienen dinámicamente de OpenAIRE .

Resultado final

Documents, reports (3)

D1.4.3: Non-volatile memory and 3D integration Process Design-Kit add-on for MAD305 MPW test vehicle

Delivery of the Process Design-Kit add-on to set-up the MAD305 maskset

D11.1.1: LCA methods

Definition of the relevant LCA methodology

D13.2: Initial Dissemination and Communication Plan

The Communication and Dissemination plan will include dissemination goals, information to be disseminated, targeted stakeholders, timelines and KPIs.

Publicaciones

Peer reviewed articles (2)

Selective Epitaxial Growth of SiGe(:B) for Advanced p-Type Fd-SOI

Autores: Justine Lespiaux, Joël Kanyandekwe, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Alan Thouvard, Tim Biet
Publicado en: ECS Transactions, Edición Volume 114, Number 2, 2024, ISSN 1938-5862
Editor: IOP Publishing
DOI: 10.1149/11402.0271ECST

Selective Epitaxy of Tensile, Highly Doped SiP for Planar NMOS FD-SOI Devices

Autores: Joel Kanyandekwe, Jean-Michel Hartmann, Justine Lespiaux, Tanguy Marion, Lazhar Saidi, Valérie Lapras, Alice Bond, Fabien Bringuier, Jérôme Richy, Nicolas Gauthier, Alan Thouvard, Tim Biet, Ludovic Couture, Adrien Blot-Saby, Agathe Andre, Jérémy Marchand, Christophe Licitra, Remi Coquand, Alexis Royer, Tristan Dewolf, Haidar Al Dujaili, Andrea Lassenberger, Olivier Glorieux
Publicado en: ECS Transactions, Edición 114, 2024, ISSN 1938-5862
Editor: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/11402.0253ECST

Conference proceedings (6)

Process challenges of the STRASS technique to increase the electron mobility in advanced FDSOI nMOSFETs

Autores: Milesi, F., Rodriguez, P., Zouknakl, L.D.M. et al.
Publicado en: MRS Advances, Edición 10, 174-178, 2025
Editor: MRS Advances
DOI: 10.1557/S43580-025-01148-4

Calibration Insights of Phosphorus Diffusion Model for NMOS FDSOI : Pathway to Advanced Technology Nodes

Autores: A-S. Royet; R. Chouk; O. Cueto; J. Kanyandekwe; V. Lapras; M-A. Jaud
Publicado en: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733008

Analysis of the key parameters of box creep process for advanced FDSOI devices

Autores: Jarjayes, Sylvie; Brunet, Laurent; Rodriguez, Philippe
Publicado en: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), 2024, ISSN 2833-8596
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/EUROSIME60745.2024.10491442

DTCO of advanced FDSOI CMOS technology by process emulation

Autores: Aicha Boujnah; Olga Cueto; Marie-Anne Jaud; Sebastien Martinie; Franck Nallet; Claire Fenouillet-Beranger
Publicado en: 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2024
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD62626.2024.10733323

Silicidation of Next Generation of FD-SOI Devices: Effect of P Doping Level in epitaxial Si:P Films

Autores: H. Grampeix
Publicado en: 2024
Editor: MAM2024

Analysis of the key parameters of box creep process for advanced FDSOI devices

Autores: S. Jarjayes, Laurent Brunet, Philippe Rodriguez
Publicado en: 2024
Editor: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE)
DOI: 10.1109/EuroSimE60745.2024.10491442