WBG Pilot Line

Información del proyecto

WBGPilotLine

Identificador del acuerdo de subvención: 101183211

DOI

10.3030/101183211

Fecha de la firma de la CE 9 Junio 2025

Fecha de inicio 1 Junio 2025

Fecha de finalización 31 Mayo 2030

Financiado con arreglo a

• Digital, Industry and Space

Coste total

€ 98 860 424,75

Aportación de la UE

€ 49 430 212,38

Coordinado por

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
Italy

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Publicaciones

Peer reviewed articles (11)

Superior quality of n− GaN epilayer grown on ammonothermal substrate accessed by DLTS

Autores: P. F.P.P. Rocha, K. Nadaud, G. Greco, T. Slimani Tlemcani, M. Bah, M. Bockowski, F. Bartoli, E. Frayssinet, Y. Cordier, F. Roccaforte, D. Alquier
Publicado en: Micro and Nanostructures, Edición 218, 2026, ISSN 2773-0123
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICRNA.2026.208797

Heteroepitaxial 3C-SiC for MEMS Applications

Autores: Angela Garofalo, Annamaria Muoio, Luca Belsito, Sergio Sapienza, Matteo Ferri, Alberto Roncaglia, Francesco La Via
Publicado en: Micromachines, Edición 17, 2026, ISSN 2072-666X
Editor: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI17040502

Vacancy-type defects introduced by mechanical polishing in ammonothermal GaN studied by a monoenergetic positron beam

Autores: Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Kacper Sierakowski, Makoto Oishi, Noriyuki Okada, Takuro Nagai, Michal Bockowski
Publicado en: Journal of Crystal Growth, Edición 688, 2026, ISSN 0022-0248
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2026.128622

Wide reverse-bias response of a 100-µm 4H-SiC P-i-N detector: UV-TCT probing, α sources and D–T neutrons

Autores: Alfio Samuele Mancuso, Ivan Lopez Paz, Matteo Hakeem Kushoro, Saverio De Luca, Erik Gallo, Marcio Jiménez, Neil Moffat, Annamaria Muoio, Giulio Pellegrini, Martín Pérez, Eleonora Quadrivi, Enrico Sangregorio, Antonio Trotta, Salvatore Tudisco, Silvia Vanellone, Francesco La Via
Publicado en: Measurement, Edición 282, 2026, ISSN 0263-2241
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MEASUREMENT.2026.121924

Modeling of Non-Ideal Ni/Ga ₂ O ₃ Schottky Contacts by Two-Barrier Thermionic Emission Model

Autores: G. Greco, S. Milazzo, S. E. Panasci, P. Fiorenza, L. Kirste, F. Giannazzo, F. Iucolano, F. Roccaforte
Publicado en: IEEE Transactions on Electron Devices, 2026, ISSN 0018-9383
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2026.3674869

Microstructure-Driven Loss Mechanisms and Tensor-Based FEM Calibration

Autores: Annamaria Muoio, Angela Garofalo, Francesco La Via
Publicado en: Micromachines, Edición 17, 2026, ISSN 2072-666X
Editor: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI17070850

Transient Charge Collection in Ultra-Thin SiC Membranes for Single-Ion Detection

Autores: Enrico Sangregorio, Alfio Samuele Mancuso, Saverio De Luca, Annamaria Muoio, Lucia Calcagno, Francesco La Via
Publicado en: Sensors, Edición 26, 2026, ISSN 1424-8220
Editor: MDPI AG
DOI: 10.3390/S26061809

Electrical Properties and Interfacial Strain in Thermally Oxidized 4H‐SiC MOS Structures Under Different Post‐Oxidation Annealing

Autores: Fabrizio Roccaforte, Salvatore Ethan Panasci, Valerio Votadoro, Salvatore Di Franco, Marilena Vivona, Simone Milazzo, Marco Zignale, Filippo Giannazzo, Béla Pécz, Patrick Fiorenza
Publicado en: Advanced Electronic Materials, 2026, ISSN 2199-160X
Editor: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.70561

Comparison of reverse current mechanisms in GaN Schottky diodes grown on sapphire versus ammonothermal GaN substrates

Autores: B Orfao, M Abou Daher, H Bouillaud, Y Roelens, P Prystawko, R Kucharski, M Bockowski, M Zaknoune
Publicado en: Journal of Physics D: Applied Physics, Edición 59, 2026, ISSN 0022-3727
Editor: IOP Publishing
DOI: 10.1088/1361-6463/AE506D

Characterization of the Electric Field in Silicon Carbide Detectors by Optical Beam Induced Current

Autores: Saverio de Luca, Alfio S. Mancuso, Annamaria Muoio, Enrico Sangregorio, Francesco La Via
Publicado en: Materials Science Forum, Edición 1191, 2026, ISSN 1662-9752
Editor: Trans Tech Publications, Ltd.
DOI: 10.4028/P-LYF5SY

Modeling the Changes in the Current--Voltage Characteristics of Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diodes Under Electrical Stress

Autores: Ambra Maria Vianello, Simone Leonardo Longato, Manuel Fregolent, Fabiana Rampazzo, Matteo Buffolo, Dawei Wang, Bingcheng Da, Houqiang Fu, Shisong Luo, Cheng Chang, Yuji Zhao, Isabella Rossetto, Carlo De Santi, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini
Publicado en: IEEE Transactions on Electron Devices, Edición 73, 2026, ISSN 0018-9383
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2026.3678239

Conference proceedings (1)

Two-Dimensional Materials and Wide Bandgap Semiconductors: Integration Challenges and Novel Device Applications (Invited)

Autores: F. Giannazzo, S. E. Panasci, E. Schilirò, G. Greco, M. Vivona, R. Lo Nigro, P. Fiorenza, F. Roccaforte
Publicado en: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/IRPS61424.2026.11499179