WBG Pilot Line

Informazioni relative al progetto

WBGPilotLine

ID dell’accordo di sovvenzione: 101183211

DOI

10.3030/101183211

Data della firma CE 9 Giugno 2025

Data di avvio 1 Giugno 2025

Data di completamento 31 Maggio 2030

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 98 860 424,75

Contributo UE

€ 49 430 212,38

Coordinato da

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
Italy

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (11)

Superior quality of n− GaN epilayer grown on ammonothermal substrate accessed by DLTS

Autori: P. F.P.P. Rocha, K. Nadaud, G. Greco, T. Slimani Tlemcani, M. Bah, M. Bockowski, F. Bartoli, E. Frayssinet, Y. Cordier, F. Roccaforte, D. Alquier
Pubblicato in: Micro and Nanostructures, Numero 218, 2026, ISSN 2773-0123
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICRNA.2026.208797

Heteroepitaxial 3C-SiC for MEMS Applications

Autori: Angela Garofalo, Annamaria Muoio, Luca Belsito, Sergio Sapienza, Matteo Ferri, Alberto Roncaglia, Francesco La Via
Pubblicato in: Micromachines, Numero 17, 2026, ISSN 2072-666X
Editore: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI17040502

Vacancy-type defects introduced by mechanical polishing in ammonothermal GaN studied by a monoenergetic positron beam

Autori: Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Kacper Sierakowski, Makoto Oishi, Noriyuki Okada, Takuro Nagai, Michal Bockowski
Pubblicato in: Journal of Crystal Growth, Numero 688, 2026, ISSN 0022-0248
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2026.128622

Wide reverse-bias response of a 100-µm 4H-SiC P-i-N detector: UV-TCT probing, α sources and D–T neutrons

Autori: Alfio Samuele Mancuso, Ivan Lopez Paz, Matteo Hakeem Kushoro, Saverio De Luca, Erik Gallo, Marcio Jiménez, Neil Moffat, Annamaria Muoio, Giulio Pellegrini, Martín Pérez, Eleonora Quadrivi, Enrico Sangregorio, Antonio Trotta, Salvatore Tudisco, Silvia Vanellone, Francesco La Via
Pubblicato in: Measurement, Numero 282, 2026, ISSN 0263-2241
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MEASUREMENT.2026.121924

Modeling of Non-Ideal Ni/Ga ₂ O ₃ Schottky Contacts by Two-Barrier Thermionic Emission Model

Autori: G. Greco, S. Milazzo, S. E. Panasci, P. Fiorenza, L. Kirste, F. Giannazzo, F. Iucolano, F. Roccaforte
Pubblicato in: IEEE Transactions on Electron Devices, 2026, ISSN 0018-9383
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2026.3674869

Microstructure-Driven Loss Mechanisms and Tensor-Based FEM Calibration

Autori: Annamaria Muoio, Angela Garofalo, Francesco La Via
Pubblicato in: Micromachines, Numero 17, 2026, ISSN 2072-666X
Editore: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI17070850

Transient Charge Collection in Ultra-Thin SiC Membranes for Single-Ion Detection

Autori: Enrico Sangregorio, Alfio Samuele Mancuso, Saverio De Luca, Annamaria Muoio, Lucia Calcagno, Francesco La Via
Pubblicato in: Sensors, Numero 26, 2026, ISSN 1424-8220
Editore: MDPI AG
DOI: 10.3390/S26061809

Electrical Properties and Interfacial Strain in Thermally Oxidized 4H‐SiC MOS Structures Under Different Post‐Oxidation Annealing

Autori: Fabrizio Roccaforte, Salvatore Ethan Panasci, Valerio Votadoro, Salvatore Di Franco, Marilena Vivona, Simone Milazzo, Marco Zignale, Filippo Giannazzo, Béla Pécz, Patrick Fiorenza
Pubblicato in: Advanced Electronic Materials, 2026, ISSN 2199-160X
Editore: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.70561

Comparison of reverse current mechanisms in GaN Schottky diodes grown on sapphire versus ammonothermal GaN substrates

Autori: B Orfao, M Abou Daher, H Bouillaud, Y Roelens, P Prystawko, R Kucharski, M Bockowski, M Zaknoune
Pubblicato in: Journal of Physics D: Applied Physics, Numero 59, 2026, ISSN 0022-3727
Editore: IOP Publishing
DOI: 10.1088/1361-6463/AE506D

Characterization of the Electric Field in Silicon Carbide Detectors by Optical Beam Induced Current

Autori: Saverio de Luca, Alfio S. Mancuso, Annamaria Muoio, Enrico Sangregorio, Francesco La Via
Pubblicato in: Materials Science Forum, Numero 1191, 2026, ISSN 1662-9752
Editore: Trans Tech Publications, Ltd.
DOI: 10.4028/P-LYF5SY

Modeling the Changes in the Current--Voltage Characteristics of Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diodes Under Electrical Stress

Autori: Ambra Maria Vianello, Simone Leonardo Longato, Manuel Fregolent, Fabiana Rampazzo, Matteo Buffolo, Dawei Wang, Bingcheng Da, Houqiang Fu, Shisong Luo, Cheng Chang, Yuji Zhao, Isabella Rossetto, Carlo De Santi, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini
Pubblicato in: IEEE Transactions on Electron Devices, Numero 73, 2026, ISSN 0018-9383
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2026.3678239

Conference proceedings (1)

Two-Dimensional Materials and Wide Bandgap Semiconductors: Integration Challenges and Novel Device Applications (Invited)

Autori: F. Giannazzo, S. E. Panasci, E. Schilirò, G. Greco, M. Vivona, R. Lo Nigro, P. Fiorenza, F. Roccaforte
Pubblicato in: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/IRPS61424.2026.11499179