WBG Pilot Line

Informacje na temat projektu

WBGPilotLine

Identyfikator umowy o grant: 101183211

DOI

10.3030/101183211

Data podpisania przez KE 9 Czerwca 2025

Data rozpoczęcia 1 Czerwca 2025

Data zakończenia 31 Maja 2030

Finansowanie w ramach

• Digital, Industry and Space

Koszt całkowity

€ 98 860 424,75

Wkład UE

€ 49 430 212,38

Koordynowany przez

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
Italy

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Publikacje

Peer reviewed articles (11)

Superior quality of n− GaN epilayer grown on ammonothermal substrate accessed by DLTS

Autorzy: P. F.P.P. Rocha, K. Nadaud, G. Greco, T. Slimani Tlemcani, M. Bah, M. Bockowski, F. Bartoli, E. Frayssinet, Y. Cordier, F. Roccaforte, D. Alquier
Opublikowane w: Micro and Nanostructures, Numer 218, 2026, ISSN 2773-0123
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICRNA.2026.208797

Heteroepitaxial 3C-SiC for MEMS Applications

Autorzy: Angela Garofalo, Annamaria Muoio, Luca Belsito, Sergio Sapienza, Matteo Ferri, Alberto Roncaglia, Francesco La Via
Opublikowane w: Micromachines, Numer 17, 2026, ISSN 2072-666X
Wydawca: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI17040502

Vacancy-type defects introduced by mechanical polishing in ammonothermal GaN studied by a monoenergetic positron beam

Autorzy: Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Kacper Sierakowski, Makoto Oishi, Noriyuki Okada, Takuro Nagai, Michal Bockowski
Opublikowane w: Journal of Crystal Growth, Numer 688, 2026, ISSN 0022-0248
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2026.128622

Wide reverse-bias response of a 100-µm 4H-SiC P-i-N detector: UV-TCT probing, α sources and D–T neutrons

Autorzy: Alfio Samuele Mancuso, Ivan Lopez Paz, Matteo Hakeem Kushoro, Saverio De Luca, Erik Gallo, Marcio Jiménez, Neil Moffat, Annamaria Muoio, Giulio Pellegrini, Martín Pérez, Eleonora Quadrivi, Enrico Sangregorio, Antonio Trotta, Salvatore Tudisco, Silvia Vanellone, Francesco La Via
Opublikowane w: Measurement, Numer 282, 2026, ISSN 0263-2241
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MEASUREMENT.2026.121924

Modeling of Non-Ideal Ni/Ga ₂ O ₃ Schottky Contacts by Two-Barrier Thermionic Emission Model

Autorzy: G. Greco, S. Milazzo, S. E. Panasci, P. Fiorenza, L. Kirste, F. Giannazzo, F. Iucolano, F. Roccaforte
Opublikowane w: IEEE Transactions on Electron Devices, 2026, ISSN 0018-9383
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2026.3674869

Microstructure-Driven Loss Mechanisms and Tensor-Based FEM Calibration

Autorzy: Annamaria Muoio, Angela Garofalo, Francesco La Via
Opublikowane w: Micromachines, Numer 17, 2026, ISSN 2072-666X
Wydawca: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI17070850

Transient Charge Collection in Ultra-Thin SiC Membranes for Single-Ion Detection

Autorzy: Enrico Sangregorio, Alfio Samuele Mancuso, Saverio De Luca, Annamaria Muoio, Lucia Calcagno, Francesco La Via
Opublikowane w: Sensors, Numer 26, 2026, ISSN 1424-8220
Wydawca: MDPI AG
DOI: 10.3390/S26061809

Electrical Properties and Interfacial Strain in Thermally Oxidized 4H‐SiC MOS Structures Under Different Post‐Oxidation Annealing

Autorzy: Fabrizio Roccaforte, Salvatore Ethan Panasci, Valerio Votadoro, Salvatore Di Franco, Marilena Vivona, Simone Milazzo, Marco Zignale, Filippo Giannazzo, Béla Pécz, Patrick Fiorenza
Opublikowane w: Advanced Electronic Materials, 2026, ISSN 2199-160X
Wydawca: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.70561

Comparison of reverse current mechanisms in GaN Schottky diodes grown on sapphire versus ammonothermal GaN substrates

Autorzy: B Orfao, M Abou Daher, H Bouillaud, Y Roelens, P Prystawko, R Kucharski, M Bockowski, M Zaknoune
Opublikowane w: Journal of Physics D: Applied Physics, Numer 59, 2026, ISSN 0022-3727
Wydawca: IOP Publishing
DOI: 10.1088/1361-6463/AE506D

Characterization of the Electric Field in Silicon Carbide Detectors by Optical Beam Induced Current

Autorzy: Saverio de Luca, Alfio S. Mancuso, Annamaria Muoio, Enrico Sangregorio, Francesco La Via
Opublikowane w: Materials Science Forum, Numer 1191, 2026, ISSN 1662-9752
Wydawca: Trans Tech Publications, Ltd.
DOI: 10.4028/P-LYF5SY

Modeling the Changes in the Current--Voltage Characteristics of Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diodes Under Electrical Stress

Autorzy: Ambra Maria Vianello, Simone Leonardo Longato, Manuel Fregolent, Fabiana Rampazzo, Matteo Buffolo, Dawei Wang, Bingcheng Da, Houqiang Fu, Shisong Luo, Cheng Chang, Yuji Zhao, Isabella Rossetto, Carlo De Santi, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini
Opublikowane w: IEEE Transactions on Electron Devices, Numer 73, 2026, ISSN 0018-9383
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2026.3678239

Conference proceedings (1)

Two-Dimensional Materials and Wide Bandgap Semiconductors: Integration Challenges and Novel Device Applications (Invited)

Autorzy: F. Giannazzo, S. E. Panasci, E. Schilirò, G. Greco, M. Vivona, R. Lo Nigro, P. Fiorenza, F. Roccaforte
Opublikowane w: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/IRPS61424.2026.11499179