WBG Pilot Line

Informations projet

WBGPilotLine

N° de convention de subvention: 101183211

DOI

10.3030/101183211

Date de signature de la CE 9 Juin 2025

Date de début 1 Juin 2025

Date de fin 31 Mai 2030

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 98 860 424,75

Contribution de l’UE

€ 49 430 212,38

Coordonné par

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
Italy

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Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Peer reviewed articles (11)

Superior quality of n− GaN epilayer grown on ammonothermal substrate accessed by DLTS

Auteurs: P. F.P.P. Rocha, K. Nadaud, G. Greco, T. Slimani Tlemcani, M. Bah, M. Bockowski, F. Bartoli, E. Frayssinet, Y. Cordier, F. Roccaforte, D. Alquier
Publié dans: Micro and Nanostructures, Numéro 218, 2026, ISSN 2773-0123
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICRNA.2026.208797

Heteroepitaxial 3C-SiC for MEMS Applications

Auteurs: Angela Garofalo, Annamaria Muoio, Luca Belsito, Sergio Sapienza, Matteo Ferri, Alberto Roncaglia, Francesco La Via
Publié dans: Micromachines, Numéro 17, 2026, ISSN 2072-666X
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI17040502

Vacancy-type defects introduced by mechanical polishing in ammonothermal GaN studied by a monoenergetic positron beam

Auteurs: Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Kacper Sierakowski, Makoto Oishi, Noriyuki Okada, Takuro Nagai, Michal Bockowski
Publié dans: Journal of Crystal Growth, Numéro 688, 2026, ISSN 0022-0248
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2026.128622

Wide reverse-bias response of a 100-µm 4H-SiC P-i-N detector: UV-TCT probing, α sources and D–T neutrons

Auteurs: Alfio Samuele Mancuso, Ivan Lopez Paz, Matteo Hakeem Kushoro, Saverio De Luca, Erik Gallo, Marcio Jiménez, Neil Moffat, Annamaria Muoio, Giulio Pellegrini, Martín Pérez, Eleonora Quadrivi, Enrico Sangregorio, Antonio Trotta, Salvatore Tudisco, Silvia Vanellone, Francesco La Via
Publié dans: Measurement, Numéro 282, 2026, ISSN 0263-2241
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MEASUREMENT.2026.121924

Modeling of Non-Ideal Ni/Ga ₂ O ₃ Schottky Contacts by Two-Barrier Thermionic Emission Model

Auteurs: G. Greco, S. Milazzo, S. E. Panasci, P. Fiorenza, L. Kirste, F. Giannazzo, F. Iucolano, F. Roccaforte
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, 2026, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2026.3674869

Microstructure-Driven Loss Mechanisms and Tensor-Based FEM Calibration

Auteurs: Annamaria Muoio, Angela Garofalo, Francesco La Via
Publié dans: Micromachines, Numéro 17, 2026, ISSN 2072-666X
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI17070850

Transient Charge Collection in Ultra-Thin SiC Membranes for Single-Ion Detection

Auteurs: Enrico Sangregorio, Alfio Samuele Mancuso, Saverio De Luca, Annamaria Muoio, Lucia Calcagno, Francesco La Via
Publié dans: Sensors, Numéro 26, 2026, ISSN 1424-8220
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/S26061809

Electrical Properties and Interfacial Strain in Thermally Oxidized 4H‐SiC MOS Structures Under Different Post‐Oxidation Annealing

Auteurs: Fabrizio Roccaforte, Salvatore Ethan Panasci, Valerio Votadoro, Salvatore Di Franco, Marilena Vivona, Simone Milazzo, Marco Zignale, Filippo Giannazzo, Béla Pécz, Patrick Fiorenza
Publié dans: Advanced Electronic Materials, 2026, ISSN 2199-160X
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.70561

Comparison of reverse current mechanisms in GaN Schottky diodes grown on sapphire versus ammonothermal GaN substrates

Auteurs: B Orfao, M Abou Daher, H Bouillaud, Y Roelens, P Prystawko, R Kucharski, M Bockowski, M Zaknoune
Publié dans: Journal of Physics D: Applied Physics, Numéro 59, 2026, ISSN 0022-3727
Éditeur: IOP Publishing
DOI: 10.1088/1361-6463/AE506D

Characterization of the Electric Field in Silicon Carbide Detectors by Optical Beam Induced Current

Auteurs: Saverio de Luca, Alfio S. Mancuso, Annamaria Muoio, Enrico Sangregorio, Francesco La Via
Publié dans: Materials Science Forum, Numéro 1191, 2026, ISSN 1662-9752
Éditeur: Trans Tech Publications, Ltd.
DOI: 10.4028/P-LYF5SY

Modeling the Changes in the Current--Voltage Characteristics of Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diodes Under Electrical Stress

Auteurs: Ambra Maria Vianello, Simone Leonardo Longato, Manuel Fregolent, Fabiana Rampazzo, Matteo Buffolo, Dawei Wang, Bingcheng Da, Houqiang Fu, Shisong Luo, Cheng Chang, Yuji Zhao, Isabella Rossetto, Carlo De Santi, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, Numéro 73, 2026, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2026.3678239

Conference proceedings (1)

Two-Dimensional Materials and Wide Bandgap Semiconductors: Integration Challenges and Novel Device Applications (Invited)

Auteurs: F. Giannazzo, S. E. Panasci, E. Schilirò, G. Greco, M. Vivona, R. Lo Nigro, P. Fiorenza, F. Roccaforte
Publié dans: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/IRPS61424.2026.11499179