WBG Pilot Line

Projektinformationen

WBGPilotLine

ID Finanzhilfevereinbarung: 101183211

DOI

10.3030/101183211

EK-Unterschriftsdatum 9 Juni 2025

Startdatum 1 Juni 2025

Enddatum 31 Mai 2030

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 98 860 424,75

EU-Beitrag

€ 49 430 212,38

Koordiniert durch

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
Italy

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (11)

Superior quality of n− GaN epilayer grown on ammonothermal substrate accessed by DLTS

Autoren: P. F.P.P. Rocha, K. Nadaud, G. Greco, T. Slimani Tlemcani, M. Bah, M. Bockowski, F. Bartoli, E. Frayssinet, Y. Cordier, F. Roccaforte, D. Alquier
Veröffentlicht in: Micro and Nanostructures, Ausgabe 218, 2026, ISSN 2773-0123
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MICRNA.2026.208797

Heteroepitaxial 3C-SiC for MEMS Applications

Autoren: Angela Garofalo, Annamaria Muoio, Luca Belsito, Sergio Sapienza, Matteo Ferri, Alberto Roncaglia, Francesco La Via
Veröffentlicht in: Micromachines, Ausgabe 17, 2026, ISSN 2072-666X
Herausgeber: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI17040502

Vacancy-type defects introduced by mechanical polishing in ammonothermal GaN studied by a monoenergetic positron beam

Autoren: Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Kacper Sierakowski, Makoto Oishi, Noriyuki Okada, Takuro Nagai, Michal Bockowski
Veröffentlicht in: Journal of Crystal Growth, Ausgabe 688, 2026, ISSN 0022-0248
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2026.128622

Wide reverse-bias response of a 100-µm 4H-SiC P-i-N detector: UV-TCT probing, α sources and D–T neutrons

Autoren: Alfio Samuele Mancuso, Ivan Lopez Paz, Matteo Hakeem Kushoro, Saverio De Luca, Erik Gallo, Marcio Jiménez, Neil Moffat, Annamaria Muoio, Giulio Pellegrini, Martín Pérez, Eleonora Quadrivi, Enrico Sangregorio, Antonio Trotta, Salvatore Tudisco, Silvia Vanellone, Francesco La Via
Veröffentlicht in: Measurement, Ausgabe 282, 2026, ISSN 0263-2241
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MEASUREMENT.2026.121924

Modeling of Non-Ideal Ni/Ga ₂ O ₃ Schottky Contacts by Two-Barrier Thermionic Emission Model

Autoren: G. Greco, S. Milazzo, S. E. Panasci, P. Fiorenza, L. Kirste, F. Giannazzo, F. Iucolano, F. Roccaforte
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, 2026, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2026.3674869

Microstructure-Driven Loss Mechanisms and Tensor-Based FEM Calibration

Autoren: Annamaria Muoio, Angela Garofalo, Francesco La Via
Veröffentlicht in: Micromachines, Ausgabe 17, 2026, ISSN 2072-666X
Herausgeber: MDPI AG
DOI: 10.3390/MI17070850

Transient Charge Collection in Ultra-Thin SiC Membranes for Single-Ion Detection

Autoren: Enrico Sangregorio, Alfio Samuele Mancuso, Saverio De Luca, Annamaria Muoio, Lucia Calcagno, Francesco La Via
Veröffentlicht in: Sensors, Ausgabe 26, 2026, ISSN 1424-8220
Herausgeber: MDPI AG
DOI: 10.3390/S26061809

Electrical Properties and Interfacial Strain in Thermally Oxidized 4H‐SiC MOS Structures Under Different Post‐Oxidation Annealing

Autoren: Fabrizio Roccaforte, Salvatore Ethan Panasci, Valerio Votadoro, Salvatore Di Franco, Marilena Vivona, Simone Milazzo, Marco Zignale, Filippo Giannazzo, Béla Pécz, Patrick Fiorenza
Veröffentlicht in: Advanced Electronic Materials, 2026, ISSN 2199-160X
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.70561

Comparison of reverse current mechanisms in GaN Schottky diodes grown on sapphire versus ammonothermal GaN substrates

Autoren: B Orfao, M Abou Daher, H Bouillaud, Y Roelens, P Prystawko, R Kucharski, M Bockowski, M Zaknoune
Veröffentlicht in: Journal of Physics D: Applied Physics, Ausgabe 59, 2026, ISSN 0022-3727
Herausgeber: IOP Publishing
DOI: 10.1088/1361-6463/AE506D

Characterization of the Electric Field in Silicon Carbide Detectors by Optical Beam Induced Current

Autoren: Saverio de Luca, Alfio S. Mancuso, Annamaria Muoio, Enrico Sangregorio, Francesco La Via
Veröffentlicht in: Materials Science Forum, Ausgabe 1191, 2026, ISSN 1662-9752
Herausgeber: Trans Tech Publications, Ltd.
DOI: 10.4028/P-LYF5SY

Modeling the Changes in the Current--Voltage Characteristics of Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diodes Under Electrical Stress

Autoren: Ambra Maria Vianello, Simone Leonardo Longato, Manuel Fregolent, Fabiana Rampazzo, Matteo Buffolo, Dawei Wang, Bingcheng Da, Houqiang Fu, Shisong Luo, Cheng Chang, Yuji Zhao, Isabella Rossetto, Carlo De Santi, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 73, 2026, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2026.3678239

Conference proceedings (1)

Two-Dimensional Materials and Wide Bandgap Semiconductors: Integration Challenges and Novel Device Applications (Invited)

Autoren: F. Giannazzo, S. E. Panasci, E. Schilirò, G. Greco, M. Vivona, R. Lo Nigro, P. Fiorenza, F. Roccaforte
Veröffentlicht in: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/IRPS61424.2026.11499179