Energy-efficient Neuromorphic 2D Devices and Circuits for Edge AI Computing

Informations projet

ENERGIZE

N° de convention de subvention: 101194458

DOI

10.3030/101194458

Date de signature de la CE 10 Octobre 2024

Date de début 1 Octobre 2024

Date de fin 30 Septembre 2027

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 1 499 791,25

Contribution de l’UE

€ 1 499 791,25

Coordonné par

GESELLSCHAFT FUR ANGEWANDTE MIKRO UND OPTOELEKTRONIK MIT BESCHRANKTERHAFTUNG AMO GMBH
Germany

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Peer reviewed articles (11)

Integration of Low‐Voltage Nanoscale MoS ₂ Memristors on CMOS Microchips

Auteurs: Jimin Lee, Sofía Cruces, Xiaohua Liu, Yang Chen, Vasilis A. Maroufidis, Janghyun Jo, Lukas Völkel, Dennis Braun, Michael Möller, Leon Brackmann, Holger Kalisch, Michael Heuken, Andrei Vescan, Rafal E. Dunin‐Borkowski, Joachim Mayer, Stefan Wiefels, Max C. Lemme
Publié dans: Advanced Functional Materials, 2026, ISSN 1616-3028
Éditeur: Wiley
DOI: 10.18154/RWTH-2026-02139

Role of Point Defects and Ion Intercalation in Two-Dimensional Multilayer Transition Metal Dichalcogenide Memristors

Auteurs: Mohit D. Ganeriwala; Alejandro Toral-López; Estela Calaforra-Ayuso; Francisco Pasadas; Francisco G. Ruiz; Enrique G. Marin; Andres Godoy
Publié dans: ACS Applied Nano Materials, 2024, ISSN 2574-0970
Éditeur: ACS
DOI: 10.1021/ACSANM.4C04769

Hopping-transport regimes and dimensionality transition: A unified Monte Carlo random-resistor-network approach

Auteurs: Alejandro Toral-Lopez, Gianluca Fiori, Damiano Marian
Publié dans: Physical Review Applied, Numéro 25, 2026, ISSN 2331-7019
Éditeur: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/BX6M-635Y

Intermediate Resistive State in Wafer‐Scale Vertical MoS ₂ Memristors Through Lateral Silver Filament Growth for Artificial Synapse Applications

Auteurs: Yuan Fa, Milan Buttberg, Ke Ran, Rana Walied Ahmad, Dennis Braun, Lukas Völkel, Jimin Lee, Sofía Cruces, Bart Macco, Bárbara Canto, Holger Lerch, Thorsten Wahlbrink, Holger Kalisch, Michael Heuken, Andrei Vescan, Joachim Mayer, Zhenxing Wang, Ilia Valov, Stephan Menzel, Max C. Lemme
Publié dans: Advanced Functional Materials, 2025, ISSN 1616-3028
Éditeur: Wiley
DOI: 10.18154/RWTH-2026-00418

Fast prototyping of memristors for ReRAMs and neuromorphic computing

Auteurs: Gianluca Marraccini, Sebastiano Strangio, Elisabetta Dimaggio, Riccardo Sargeni, Francesco Pieri, Yigit Sozen, Andres Castellanos-Gomez, Gianluca Fiori
Publié dans: Nanoscale, Numéro 18, 2025, ISSN 2040-3364
Éditeur: Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI: 10.1039/D5NR02690C

Unraveling the dynamics of conductive filaments in MoS2-based memristors by operando transmission electron microscopy

Auteurs: Ke Ran, Janghyun Jo, Sofía Cruces, Zhenxing Wang, Rafal E. Dunin-Borkowski, Joachim Mayer, Max C. Lemme
Publié dans: Nature Communications, Numéro 16, 2025, ISSN 2041-1723
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.18154/RWTH-2025-07574

Influence of humidity on the resistive switching of hexagonal boron nitride-based memristors

Auteurs: Völkel, Lukas; Ahmad, Rana Walied; Bestaeva, Alana; Braun, Dennis; Cruces, Sofia; Lee, Jimin; Pasko, Sergej; Krotkus, Simonas; Heuken, Michael; Menzel, Stephan; Lemme, Max C.
Publié dans: npj 2D Materials and Applications, 2025, ISSN 2397-7132
Éditeur: Springer Nature
DOI: 10.18154/RWTH-2025-04940

Reduced Variability in Threshold Switches Using Heterostructures of SiO _x and Vertically Aligned MoS ₂

Auteurs: Jimin Lee, Rana Walied Ahmad, Sofía Cruces, Dennis Braun, Lukas Völkel, Ke Ran, Joachim Mayer, Stephan Menzel, Alwin Daus, Max C. Lemme
Publié dans: Advanced Electronic Materials, 2026, ISSN 2199-160X
Éditeur: Wiley
DOI: 10.18154/RWTH-2026-03398

Effect of grain boundaries on metal atom migration and electronic transport in 2D TMD-based resistive switches

Auteurs: Mohit D. Ganeriwala, Daniel Luque-Jarava, Francisco Pasadas, Juan J. Palacios, Francisco G. Ruiz, Andres Godoy, Enrique G. Marin
Publié dans: Nanoscale, Numéro 17, 2025, ISSN 2040-3364
Éditeur: Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI: 10.1039/D4NR05321D

Threshold switching in vertically aligned MoS2/SiOx heterostructures based on silver ion migration

Auteurs: Jimin Lee, Rana Walied Ahmad, Sofía Cruces, Dennis Braun, Lukas Völkel, Ke Ran, Vasileios Maroufidis Andreadis, Joachim Mayer, Stephan Menzel, Alwin Daus, Max C. Lemme
Publié dans: npj 2D Materials and Applications, Numéro 9, 2025, ISSN 2397-7132
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.18154/RWTH-2025-08937

Volatile and Nonvolatile Resistive Switching in Lateral 2D Molybdenum Disulfide-Based Memristive Devices

Auteurs: Sofía Cruces; Mohit D. Ganeriwala; Jimin Lee; Ke Ran; Janghyun Jo; Lukas Völkel; Dennis Braun; Bárbara Canto; Enrique G. Marín; Holger Kalisch; Michael Heuken; Andrei Vescan; Rafal E. Dunin-Borkowski; Joachim Mayer; Andrés Godoy; Alwin Daus; Max C. Lemme
Publié dans: Nano Letters, 2025, ISSN 1530-6992
Éditeur: ACS
DOI: 10.18154/RWTH-2025-07222