Energy-efficient Neuromorphic 2D Devices and Circuits for Edge AI Computing

Projektinformationen

ENERGIZE

ID Finanzhilfevereinbarung: 101194458

DOI

10.3030/101194458

EK-Unterschriftsdatum 10 Oktober 2024

Startdatum 1 Oktober 2024

Enddatum 30 September 2027

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 1 499 791,25

EU-Beitrag

€ 1 499 791,25

Koordiniert durch

GESELLSCHAFT FUR ANGEWANDTE MIKRO UND OPTOELEKTRONIK MIT BESCHRANKTERHAFTUNG AMO GMBH
Germany

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (11)

Integration of Low‐Voltage Nanoscale MoS ₂ Memristors on CMOS Microchips

Autoren: Jimin Lee, Sofía Cruces, Xiaohua Liu, Yang Chen, Vasilis A. Maroufidis, Janghyun Jo, Lukas Völkel, Dennis Braun, Michael Möller, Leon Brackmann, Holger Kalisch, Michael Heuken, Andrei Vescan, Rafal E. Dunin‐Borkowski, Joachim Mayer, Stefan Wiefels, Max C. Lemme
Veröffentlicht in: Advanced Functional Materials, 2026, ISSN 1616-3028
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.18154/RWTH-2026-02139

Role of Point Defects and Ion Intercalation in Two-Dimensional Multilayer Transition Metal Dichalcogenide Memristors

Autoren: Mohit D. Ganeriwala; Alejandro Toral-López; Estela Calaforra-Ayuso; Francisco Pasadas; Francisco G. Ruiz; Enrique G. Marin; Andres Godoy
Veröffentlicht in: ACS Applied Nano Materials, 2024, ISSN 2574-0970
Herausgeber: ACS
DOI: 10.1021/ACSANM.4C04769

Hopping-transport regimes and dimensionality transition: A unified Monte Carlo random-resistor-network approach

Autoren: Alejandro Toral-Lopez, Gianluca Fiori, Damiano Marian
Veröffentlicht in: Physical Review Applied, Ausgabe 25, 2026, ISSN 2331-7019
Herausgeber: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/BX6M-635Y

Intermediate Resistive State in Wafer‐Scale Vertical MoS ₂ Memristors Through Lateral Silver Filament Growth for Artificial Synapse Applications

Autoren: Yuan Fa, Milan Buttberg, Ke Ran, Rana Walied Ahmad, Dennis Braun, Lukas Völkel, Jimin Lee, Sofía Cruces, Bart Macco, Bárbara Canto, Holger Lerch, Thorsten Wahlbrink, Holger Kalisch, Michael Heuken, Andrei Vescan, Joachim Mayer, Zhenxing Wang, Ilia Valov, Stephan Menzel, Max C. Lemme
Veröffentlicht in: Advanced Functional Materials, 2025, ISSN 1616-3028
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.18154/RWTH-2026-00418

Fast prototyping of memristors for ReRAMs and neuromorphic computing

Autoren: Gianluca Marraccini, Sebastiano Strangio, Elisabetta Dimaggio, Riccardo Sargeni, Francesco Pieri, Yigit Sozen, Andres Castellanos-Gomez, Gianluca Fiori
Veröffentlicht in: Nanoscale, Ausgabe 18, 2025, ISSN 2040-3364
Herausgeber: Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI: 10.1039/D5NR02690C

Unraveling the dynamics of conductive filaments in MoS2-based memristors by operando transmission electron microscopy

Autoren: Ke Ran, Janghyun Jo, Sofía Cruces, Zhenxing Wang, Rafal E. Dunin-Borkowski, Joachim Mayer, Max C. Lemme
Veröffentlicht in: Nature Communications, Ausgabe 16, 2025, ISSN 2041-1723
Herausgeber: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.18154/RWTH-2025-07574

Influence of humidity on the resistive switching of hexagonal boron nitride-based memristors

Autoren: Völkel, Lukas; Ahmad, Rana Walied; Bestaeva, Alana; Braun, Dennis; Cruces, Sofia; Lee, Jimin; Pasko, Sergej; Krotkus, Simonas; Heuken, Michael; Menzel, Stephan; Lemme, Max C.
Veröffentlicht in: npj 2D Materials and Applications, 2025, ISSN 2397-7132
Herausgeber: Springer Nature
DOI: 10.18154/RWTH-2025-04940

Reduced Variability in Threshold Switches Using Heterostructures of SiO _x and Vertically Aligned MoS ₂

Autoren: Jimin Lee, Rana Walied Ahmad, Sofía Cruces, Dennis Braun, Lukas Völkel, Ke Ran, Joachim Mayer, Stephan Menzel, Alwin Daus, Max C. Lemme
Veröffentlicht in: Advanced Electronic Materials, 2026, ISSN 2199-160X
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.18154/RWTH-2026-03398

Effect of grain boundaries on metal atom migration and electronic transport in 2D TMD-based resistive switches

Autoren: Mohit D. Ganeriwala, Daniel Luque-Jarava, Francisco Pasadas, Juan J. Palacios, Francisco G. Ruiz, Andres Godoy, Enrique G. Marin
Veröffentlicht in: Nanoscale, Ausgabe 17, 2025, ISSN 2040-3364
Herausgeber: Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI: 10.1039/D4NR05321D

Threshold switching in vertically aligned MoS2/SiOx heterostructures based on silver ion migration

Autoren: Jimin Lee, Rana Walied Ahmad, Sofía Cruces, Dennis Braun, Lukas Völkel, Ke Ran, Vasileios Maroufidis Andreadis, Joachim Mayer, Stephan Menzel, Alwin Daus, Max C. Lemme
Veröffentlicht in: npj 2D Materials and Applications, Ausgabe 9, 2025, ISSN 2397-7132
Herausgeber: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.18154/RWTH-2025-08937

Volatile and Nonvolatile Resistive Switching in Lateral 2D Molybdenum Disulfide-Based Memristive Devices

Autoren: Sofía Cruces; Mohit D. Ganeriwala; Jimin Lee; Ke Ran; Janghyun Jo; Lukas Völkel; Dennis Braun; Bárbara Canto; Enrique G. Marín; Holger Kalisch; Michael Heuken; Andrei Vescan; Rafal E. Dunin-Borkowski; Joachim Mayer; Andrés Godoy; Alwin Daus; Max C. Lemme
Veröffentlicht in: Nano Letters, 2025, ISSN 1530-6992
Herausgeber: ACS
DOI: 10.18154/RWTH-2025-07222