Energy-efficient Neuromorphic 2D Devices and Circuits for Edge AI Computing

Informacje na temat projektu

ENERGIZE

Identyfikator umowy o grant: 101194458

DOI

10.3030/101194458

Data podpisania przez KE 10 Października 2024

Data rozpoczęcia 1 Października 2024

Data zakończenia 30 Września 2027

Finansowanie w ramach

• Digital, Industry and Space

Koszt całkowity

€ 1 499 791,25

Wkład UE

€ 1 499 791,25

Koordynowany przez

GESELLSCHAFT FUR ANGEWANDTE MIKRO UND OPTOELEKTRONIK MIT BESCHRANKTERHAFTUNG AMO GMBH
Germany

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Publikacje

Peer reviewed articles (11)

Integration of Low‐Voltage Nanoscale MoS ₂ Memristors on CMOS Microchips

Autorzy: Jimin Lee, Sofía Cruces, Xiaohua Liu, Yang Chen, Vasilis A. Maroufidis, Janghyun Jo, Lukas Völkel, Dennis Braun, Michael Möller, Leon Brackmann, Holger Kalisch, Michael Heuken, Andrei Vescan, Rafal E. Dunin‐Borkowski, Joachim Mayer, Stefan Wiefels, Max C. Lemme
Opublikowane w: Advanced Functional Materials, 2026, ISSN 1616-3028
Wydawca: Wiley
DOI: 10.18154/RWTH-2026-02139

Role of Point Defects and Ion Intercalation in Two-Dimensional Multilayer Transition Metal Dichalcogenide Memristors

Autorzy: Mohit D. Ganeriwala; Alejandro Toral-López; Estela Calaforra-Ayuso; Francisco Pasadas; Francisco G. Ruiz; Enrique G. Marin; Andres Godoy
Opublikowane w: ACS Applied Nano Materials, 2024, ISSN 2574-0970
Wydawca: ACS
DOI: 10.1021/ACSANM.4C04769

Hopping-transport regimes and dimensionality transition: A unified Monte Carlo random-resistor-network approach

Autorzy: Alejandro Toral-Lopez, Gianluca Fiori, Damiano Marian
Opublikowane w: Physical Review Applied, Numer 25, 2026, ISSN 2331-7019
Wydawca: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/BX6M-635Y

Intermediate Resistive State in Wafer‐Scale Vertical MoS ₂ Memristors Through Lateral Silver Filament Growth for Artificial Synapse Applications

Autorzy: Yuan Fa, Milan Buttberg, Ke Ran, Rana Walied Ahmad, Dennis Braun, Lukas Völkel, Jimin Lee, Sofía Cruces, Bart Macco, Bárbara Canto, Holger Lerch, Thorsten Wahlbrink, Holger Kalisch, Michael Heuken, Andrei Vescan, Joachim Mayer, Zhenxing Wang, Ilia Valov, Stephan Menzel, Max C. Lemme
Opublikowane w: Advanced Functional Materials, 2025, ISSN 1616-3028
Wydawca: Wiley
DOI: 10.18154/RWTH-2026-00418

Fast prototyping of memristors for ReRAMs and neuromorphic computing

Autorzy: Gianluca Marraccini, Sebastiano Strangio, Elisabetta Dimaggio, Riccardo Sargeni, Francesco Pieri, Yigit Sozen, Andres Castellanos-Gomez, Gianluca Fiori
Opublikowane w: Nanoscale, Numer 18, 2025, ISSN 2040-3364
Wydawca: Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI: 10.1039/D5NR02690C

Unraveling the dynamics of conductive filaments in MoS2-based memristors by operando transmission electron microscopy

Autorzy: Ke Ran, Janghyun Jo, Sofía Cruces, Zhenxing Wang, Rafal E. Dunin-Borkowski, Joachim Mayer, Max C. Lemme
Opublikowane w: Nature Communications, Numer 16, 2025, ISSN 2041-1723
Wydawca: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.18154/RWTH-2025-07574

Influence of humidity on the resistive switching of hexagonal boron nitride-based memristors

Autorzy: Völkel, Lukas; Ahmad, Rana Walied; Bestaeva, Alana; Braun, Dennis; Cruces, Sofia; Lee, Jimin; Pasko, Sergej; Krotkus, Simonas; Heuken, Michael; Menzel, Stephan; Lemme, Max C.
Opublikowane w: npj 2D Materials and Applications, 2025, ISSN 2397-7132
Wydawca: Springer Nature
DOI: 10.18154/RWTH-2025-04940

Reduced Variability in Threshold Switches Using Heterostructures of SiO _x and Vertically Aligned MoS ₂

Autorzy: Jimin Lee, Rana Walied Ahmad, Sofía Cruces, Dennis Braun, Lukas Völkel, Ke Ran, Joachim Mayer, Stephan Menzel, Alwin Daus, Max C. Lemme
Opublikowane w: Advanced Electronic Materials, 2026, ISSN 2199-160X
Wydawca: Wiley
DOI: 10.18154/RWTH-2026-03398

Effect of grain boundaries on metal atom migration and electronic transport in 2D TMD-based resistive switches

Autorzy: Mohit D. Ganeriwala, Daniel Luque-Jarava, Francisco Pasadas, Juan J. Palacios, Francisco G. Ruiz, Andres Godoy, Enrique G. Marin
Opublikowane w: Nanoscale, Numer 17, 2025, ISSN 2040-3364
Wydawca: Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI: 10.1039/D4NR05321D

Threshold switching in vertically aligned MoS2/SiOx heterostructures based on silver ion migration

Autorzy: Jimin Lee, Rana Walied Ahmad, Sofía Cruces, Dennis Braun, Lukas Völkel, Ke Ran, Vasileios Maroufidis Andreadis, Joachim Mayer, Stephan Menzel, Alwin Daus, Max C. Lemme
Opublikowane w: npj 2D Materials and Applications, Numer 9, 2025, ISSN 2397-7132
Wydawca: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.18154/RWTH-2025-08937

Volatile and Nonvolatile Resistive Switching in Lateral 2D Molybdenum Disulfide-Based Memristive Devices

Autorzy: Sofía Cruces; Mohit D. Ganeriwala; Jimin Lee; Ke Ran; Janghyun Jo; Lukas Völkel; Dennis Braun; Bárbara Canto; Enrique G. Marín; Holger Kalisch; Michael Heuken; Andrei Vescan; Rafal E. Dunin-Borkowski; Joachim Mayer; Andrés Godoy; Alwin Daus; Max C. Lemme
Opublikowane w: Nano Letters, 2025, ISSN 1530-6992
Wydawca: ACS
DOI: 10.18154/RWTH-2025-07222