Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski pl
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-04-15

Advanced Interconnect for VLSI

Cel

The objective of this project was to develop high density interconnect compatible with one micron MOS and bipolar VLSI technologies. This technology was to feature four levels of low resistivity metal interconnect with high electromigration resistance andstable, low-resistance contacts to the underlying silicon circuit.
The objective of this project was to develop high density interconnect compatible with one micron metal oxide semiconductor (MOS) and bipolar very large scale integration (VLSI) technologies. This technology was to feature 4 levels of low resistivity metal interconnect with high electromigration resistance and stable, low resistance contacts to the underlying silicon circuit. The project achieved its overall objectives and demonstrated several advanced new techniques. The main milestones of the programme were:
demonstration of 3-layer metal at 5 micron pitch;
demonstration of 4-layer metal at 3 micron pitch.
The first main milestone was reached and several variants of the developed structures for nonnested vias and pillars were evaluated by means of the final test mask.
The fabrication of 100 per cent filled small vias with aluminium alloys was eventually demonstrated. Work on contact systems and tests on the reliability of polyamide and nitride produced very good results.
The project achieved its overall objectives and demonstrated several advanced new techniques.
The main milestones of the programme were:
-demonstration of 3layer metal at 5micron pitch (September1986)
-demonstration of 4-layer metal at 3micron pitch (March1987).
The first main milestone was reached on time and several variants of the developed structures for non-nested vias and pillars were evaluated by means of the final test mask towards the final milestone.
A major technical difficulty was encountered while setting up the final process. Although good progress had been made with optimised aluminium for step coverage, it was discovered that these conditions did not fill small holes such as contacts and vias. The work was therefore restructured and new sub-tasks added in order to reach the final milestone. The fabrication of 100% filled small vias with Al alloys was eventually demonstrated following close collaboration with advanced equipment manufacturers.Work on contact systems and tests on the reliability of polyimide and nitride also produced very good results.
Exploitation
All the partners make use of the developed interconnect results in their CMOS or bipolar processes. Plessey, notably, has transferred the 3layer metallisation scheme developed to its CMOS process.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Brak dostępnych danych

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

Brak dostępnych danych

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

Brak dostępnych danych

Koordynator

GEC Plessey Semiconductors plc
Wkład UE
Brak danych
Adres
Caswell
NN12 8EQ Towcester
Zjednoczone Królestwo

Zobacz na mapie

Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych

Uczestnicy (3)

Moja broszura 0 0