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CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
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Inhalt archiviert am 2024-06-18

Atomic functionalities on silicon devices

Projektbeschreibung


Nano-scale ICT devices and systems

In this project, we wish to take advantage of a fundamental figure-of-merit of the CMOS transistors, the doping modulation, to propose new functionalities arising from the control of a single charge and spin on individual dopants in silicon.
The ultimate electrical switch is an atomic point contact. It has been realized and operated several times in laboratories at low temperature under the form of Quantum Point Contacts (QPC), metallic break junctions, molecules placed in an air gap. However a silicon atomic switch has not been realized yet. The devices will be manufactured within a mature technology on state-of-the-art CMOS platforms.
Contrarily to bottom-up approaches, there is an unavoidable dispersion in the average number and location of dopants, using masking and implantation CMOS techniques. Nevertheless several approaches are now addressing this question for top-down devices, and this option will be considered. Therefore, we will study single atomic devices, either real (i.e. dopant) or artificial (i.e. quantum dots), with a manageable dispersion by considering three generic cases: devices without dopant, devices with a targeted concentration of one dopant and devices with many dopants.
Devices without dopant will be based on ultimate silicon SET. A targeted size of 10 nm is realistic, allowing operation at low temperature (but much above 4.2K). These devices are fully controlled and scalable.
Devices with one dopant or two dopants will be identified and selected from their electrical characteristics and then studied thoroughly. Relatively high operating temperatures up to room temperature are expected using donors with large ionization energy. These devices are the smallest possible switches using the silicon technology.
Because our ultimate SET present the decisive advantage of an immediate integration in the CMOS, the AFSID project will prove the validity of hybrid SET-CMOS approach by building a SET-FET hybrid device on chip.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.

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Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

FP7-ICT-2007-1
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Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

CP - Collaborative project (generic)

Koordinator

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
EU-Beitrag
€ 905 000,00
Adresse
RUE LEBLANC 25
75015 Paris
Frankreich

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Region
Ile-de-France Ile-de-France Paris
Aktivitätstyp
Research Organisations
Links
Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

Keine Daten

Beteiligte (5)

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