Projektbeschreibung
Nanoelectronics Technology
SQWIRE develops industry compatible CMOS technology based on novel Si nanowire transistor structures.
The aim of the SQWIRE project is to develop a disruptive, industry-compatible CMOS technology based on novel silicon nanowire transistor structures. As has been demonstrated both theoretically and experimentally, nanowire MOS transistors can be fabricated at wafer level using silicon-on-insulator (SOI) substrates and these novel devices have shown electrical properties that are comparable or even superior to those of regular transistors. Two such novel devices are the Gated Resistor (a junctionless transistor simulated, prototype fabricated and patented) and the variable-barrier tunnel transistor (VBT, simulated and patented). To obtain industrial validation, fabrication routes will be developed for these devices on novel 300 mm SOI wafers with silicon film thicknesses of only 10 nm. These routes will be underpinned by process development targeting atom-scale control of the silicon film thickness across the wafer. Device performance will be characterised at die-level and evaluated in a statistically meaningful manner at wafer level. The extracted parameters will serve as the basis for the development of a compact model of the Gated Resistor devices, which can be used for further circuit design and the validation of advanced numerical simulations. The fabrication process for the first device (Gated Resistor) is less complex and more flexible than that of regular transistors. It has the potential of increasing yield and reducing the price of integrated circuits. Furthermore, the Gated Resistor offers the promise of superior scaling to sub-22 nm dimensions compared to regular transistors. In addition, the process can easily be implemented in semiconductor materials other than silicon. The second device (Variable Barrier Transistor) is capable of providing subthreshold slopes sharper than any conventional transistor. This permits one to reduce the supply voltage of integrated circuits, and hence their energy consumption.
The aim of the SQWIRE project is to develop a disruptive, industry-compatible CMOS technology based on novel silicon nanowire transistor structures. The co-ordinator has demonstrated both theoretically and experimentally that nanowire MOS transistors can be fabricated at wafer level using silicon-on-insulator (SOI) substrates. These novel devices have shown electrical properties that are comparable or even superior to those of regular transistors.Two such novel devices are the Gated Resistor (a junctionless transistor simulated, prototype fabricated and patented) and the variable-barrier tunnel transistor (VBT, simulated and patented). To obtain industrial validation, fabrication routes will be developed for these devices on novel 300 mm SOI wafers with silicon film thicknesses of only 10 nm. These routes will be underpinned by process development targeting atom-scale control of the silicon film thickness across the wafer.Device performance will be characterised at die-level and evaluated in a statistically meaningful manner at wafer level. The extracted parameters will serve as the basis for the development of a compact model of the Gated Resistor devices, which can be used for further circuit design and the validation of advanced numerical simulations.The fabrication process for the first device (Gated Resistor) is less complex and more flexible than that of regular transistors. It has the potential of increasing yield and reducing the price of integrated circuits. Furthermore, the Gated Resistor offers the promise of superior scaling to sub-22 nm dimensions compared to regular transistors. In addition, the process can easily be implemented in semiconductor materials other than silicon. The second device (Variable Barrier Transistor) is capable of providing subthreshold slopes sharper than any conventional transistor. This permits one to reduce the supply voltage of integrated circuits, and hence their energy consumption.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Halbleiterbauelement
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Metalloide
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
FP7-ICT-2009-5
Andere Projekte für diesen Aufruf anzeigen
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Koordinator
T12 YN60 Cork
Irland
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.