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CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
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Contenuto archiviato il 2024-05-14

Ultimate integration of silicon

Obiettivo

The aim is to evaluate how far the MOS concept can be scaled down by pushing today's existing state-of-the art CMOS technology. In addition to the classical architecture (lateral bulk MOSFET's), the performances of SOI devices will be evaluated. SOI technology is a good challenger in order to reduce or suppress some major parasitic effects observed in bulk Si MOSFETs and to increase the performance of the devices.

CMOS is the mainstream technology in microelectronics and will remain so early into the 21st century. The 1 Gbit technology generation with feature sizes of 0.18 µm is already under development. The scaling scenario put forth in widely accepted industry roadmaps calls for sub 100-nm MOSFET's within the next 10 years. The design, optimisation, and fabrication of devices with such dimensions pose formidable challenges owing to the technological and physical limits. The ultimate scaling down of the channel length of MOSFET's is probably in the range between 50 to 20 nm. Various technological hurdles must be overcome. Foremost among these are lithography and patterning. All parts of the MOSFET - gate stack, channel and source-drain architectures, metallic contacts - present new problems. Parasitic effects (e.g. short-channel effects, series resistance, reduction in current drive due to high doping) will be exacerbated. Below 50 nm, hitherto unimportant physical effects, such as quantum effects, will begin to emerge.

The present working group consortium proposes a study of the problems related to the fabrication, understanding and optimisation of deep sub-0.1 µm MOSFET's (NMOS and PMOS with channel length in the range of 100 to sub-50 nm).

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

Dati non disponibili

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

ACM - Preparatory, accompanying and support measures

Coordinatore

Institut National Polytechnique de Grenoble
Contributo UE
Nessun dato
Indirizzo
Avenue Felix Viallet 46
38031 Grenoble 1
Francia

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Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato
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