Obiettivo
The SUBSOITEC project aimed to develop high-performance SOI (Silicon On Insulator)/CMOS technologies for future VLSI circuits, which, while competitive with standard bulk CMOS processes, are compatible with them and offer the inherent advantages of SOI technologies.
The SUBSOITEC project aimed to develop high-performance silicon on insulator (SOI) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technologies for future very large scale integration (VLSI) circuits, which, while competitive with standard bulk CMOS processes, are compatible with them and offer the inherent advantages of SOI technologies. The project evaluated a complete SOI/CMOS process with 0.7 micron design rules. The programme included development work on silicon implanted oxide (SIMOX) SOI substrates, on the 0.7 micron SOI technology, on device and physics modelling, on design, and on the test and characterization of complex VLSI demonstrators. The work performed in the area of materials fabrication and device evaluation yielded excellent results that compare favourably to work done outside this project. The SOI substrates are among the best available world wide, even for substrates with very thin top silicon thicknesses. The compatibility of SOI processes with standard bulk CMOS technology was considered as a major goal. The portability of bulk design to SOI was studied and implemented. The main difficulties (such as electrostatic discharge (ESD) protection devices and the absence of substrate contacts) are now solved. The ability to realize complex VLSI circuits on SOI with 0.7 micron design rules will be demonstrated, and evaluation of the industrial aspect will be achieved in a comparison of a design in a CMOS SOI with a CMOS bulk process with the same design rules, and by several SOI demonstrators including a 64 k static random access memory (SRAM) and 2 custom chips.
CMOS circuits with deep sub-micron geometries require very complex and expensive processes on bulk silicon. An acceptable challenger to bulk Si is SOI material which allows, in principle, a significant reduction of the number of process steps leading to an enhancement of the yield of complex VLSI chips and a reduction in cost. Two other advantages of CMOS on SOI are the reduction of parasitic capacitance (which increases circuit speed), and immunity towards radiation and heavy ion effects (needed for space applications), making this technology competitive with bulk BICMOS technology.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica composti inorganici
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica semiconduttività
- scienze naturali matematica matematica pura geometria
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalloidi
È necessario effettuare l’accesso o registrarsi per utilizzare questa funzione
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Dati non disponibili
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Dati non disponibili
Coordinatore
92402 Courbevoie
Francia
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.