Ziel
The aims of DESSIS are to:
- enhance the set of tools currently available to the smart-power system designer by making device-level and mixed-mode circuit/device simulation feasible within the circuit design environment
- enhance currently available 3-D device simulation codes to account for all the physical mechanisms important for the operation of EPROM and flash EEPROM memory devices.
Circuit and device equations have been merged, so that power devices can be simulated within their circuit environment, with the appropriate dimensionality required by their geometrical structure. To date, the simulation code SIMUL handles multiple 1-dimensional, 2-dimensional and 3-dimensional devices within the same circuit, as well as SPICE-like device models for both passive and active components. SIMUL supports both direct current (DC) and time dependent circuit analyses with no restriction on circuit topology, thus making it possible to simulate the switching behaviour of complex power devices, accounting for the input driving, as well as the output load and clamping circuitry. SIMUL's physical model supports the heat flow equation in addition to the drift diffusion model of current transport; hence, the influence of device self heating is fully accounted for.
Physical level multidimensional device analysis tools suitable for power and floating gate device simulations have been developed. To this purpose, the hydrodynamic model of current transport in semiconductors and the heat flow equation have been implemented within the 3-dimensional simulator HFIELDS, thus allowing for a very general energy transport model which overcomes previous simplifying assumptions such as that of a local thermal equilibrium between lattice and carriers, or that of an isothermal lattice. The code currently supports the Fowler-Nordheim tunnelling mechanism across the gate oxide, while the implementation of the band to band tunnelling is scheduled in the near future. Finally, hot electron and hot hole injection into the gate of erasable programmable read only memory (EPROM) and electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells will be supported.
These goals are being pursued by:
- Merging circuit/device equations, so that power devices can be simulated within their circuit environment, with the appropriate dimensionality required by their geometrical structure. To date, the simulation code SIMUL handles multiple 1-D, 2-D and 3-D devices within the same circuit, as well as SPICE-like device models for both passive and active components. SIMUL supports both D.C. and time-dependent circuit analyses with no restriction on circuit topology, thus making it possible to simulate the switching behaviour of complex power devices, such as IGBTs or GTOs, accounting for the input driving, as well as the output load and clamping circuitry. SIMUL's physical model supports the heat-flow equation in addition to the drift-diffusion model of current transport: hence, the influence of device self-heating is fully accounted for.
- Developing physical-level multi-dimensional device analysis tools suitable for power- and floating-gate-device simulations. To this purpose, the hydrodynamic model of current transport in semiconductors and the heat-flow equation have been implemented within the 3-D simulator HFIELDS, thus allowing for a very general energy-transport model which overcomes previous simplifying assumptions such as that of a local thermal equilibrium between lattice and carriers, or that of an isothermal lattice. The code currently supports the Fowler-Nordheim tunnelling mechanism across the gate oxide, while the implementation of the band-to-band tunnelling is scheduled in the near future. Finally, hot-electron and hot-hole injection into the gate of EPROM and EEPROM cells will be supported.
- Developing a common User's Simulation Environment (USE) for user-friendly structure definition and mesh generation. The latter will conform to international standards and rely upon a general Standard Process Representation (SPR) and Standard Wafer Representation (SWP). Both SIMUL and HFIELDS will be supported by USE; thus, tool integration will fully be achieved within the DESSIS Project. Also, interface with process-modelling tools to be developed and/or enhanced within the PROMPT Project will be pursued, with the aim of generating a state-of-the-art TCAD simulation environment.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
- Naturwissenschaften Mathematik reine Mathematik Topologie
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Halbleiterbauelement
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Daten nicht verfügbar
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Daten nicht verfügbar
Koordinator
40136 Bologna
Italien
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.