Cel
The aims of DESSIS are to:
- enhance the set of tools currently available to the smart-power system designer by making device-level and mixed-mode circuit/device simulation feasible within the circuit design environment
- enhance currently available 3-D device simulation codes to account for all the physical mechanisms important for the operation of EPROM and flash EEPROM memory devices.
Circuit and device equations have been merged, so that power devices can be simulated within their circuit environment, with the appropriate dimensionality required by their geometrical structure. To date, the simulation code SIMUL handles multiple 1-dimensional, 2-dimensional and 3-dimensional devices within the same circuit, as well as SPICE-like device models for both passive and active components. SIMUL supports both direct current (DC) and time dependent circuit analyses with no restriction on circuit topology, thus making it possible to simulate the switching behaviour of complex power devices, accounting for the input driving, as well as the output load and clamping circuitry. SIMUL's physical model supports the heat flow equation in addition to the drift diffusion model of current transport; hence, the influence of device self heating is fully accounted for.
Physical level multidimensional device analysis tools suitable for power and floating gate device simulations have been developed. To this purpose, the hydrodynamic model of current transport in semiconductors and the heat flow equation have been implemented within the 3-dimensional simulator HFIELDS, thus allowing for a very general energy transport model which overcomes previous simplifying assumptions such as that of a local thermal equilibrium between lattice and carriers, or that of an isothermal lattice. The code currently supports the Fowler-Nordheim tunnelling mechanism across the gate oxide, while the implementation of the band to band tunnelling is scheduled in the near future. Finally, hot electron and hot hole injection into the gate of erasable programmable read only memory (EPROM) and electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells will be supported.
These goals are being pursued by:
- Merging circuit/device equations, so that power devices can be simulated within their circuit environment, with the appropriate dimensionality required by their geometrical structure. To date, the simulation code SIMUL handles multiple 1-D, 2-D and 3-D devices within the same circuit, as well as SPICE-like device models for both passive and active components. SIMUL supports both D.C. and time-dependent circuit analyses with no restriction on circuit topology, thus making it possible to simulate the switching behaviour of complex power devices, such as IGBTs or GTOs, accounting for the input driving, as well as the output load and clamping circuitry. SIMUL's physical model supports the heat-flow equation in addition to the drift-diffusion model of current transport: hence, the influence of device self-heating is fully accounted for.
- Developing physical-level multi-dimensional device analysis tools suitable for power- and floating-gate-device simulations. To this purpose, the hydrodynamic model of current transport in semiconductors and the heat-flow equation have been implemented within the 3-D simulator HFIELDS, thus allowing for a very general energy-transport model which overcomes previous simplifying assumptions such as that of a local thermal equilibrium between lattice and carriers, or that of an isothermal lattice. The code currently supports the Fowler-Nordheim tunnelling mechanism across the gate oxide, while the implementation of the band-to-band tunnelling is scheduled in the near future. Finally, hot-electron and hot-hole injection into the gate of EPROM and EEPROM cells will be supported.
- Developing a common User's Simulation Environment (USE) for user-friendly structure definition and mesh generation. The latter will conform to international standards and rely upon a general Standard Process Representation (SPR) and Standard Wafer Representation (SWP). Both SIMUL and HFIELDS will be supported by USE; thus, tool integration will fully be achieved within the DESSIS Project. Also, interface with process-modelling tools to be developed and/or enhanced within the PROMPT Project will be pursued, with the aim of generating a state-of-the-art TCAD simulation environment.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- nauki przyrodnicze matematyka matematyka czysta topologia
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Przepraszamy… podczas wykonywania operacji wystąpił nieoczekiwany błąd.
Wymagane uwierzytelnienie. Powodem może być wygaśnięcie sesji.
Dziękujemy za przesłanie opinii. Wkrótce otrzymasz wiadomość e-mail z potwierdzeniem zgłoszenia. W przypadku wybrania opcji otrzymywania powiadomień o statusie zgłoszenia, skontaktujemy się również gdy status ulegnie zmianie.
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Brak dostępnych danych
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Brak dostępnych danych
Koordynator
40136 Bologna
Włochy
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.