Skip to main content
Weiter zur Homepage der Europäischen Kommission (öffnet in neuem Fenster)
Deutsch Deutsch
CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
CORDIS
Inhalt archiviert am 2024-06-18

Silicon at the Atomic and Molecular scale

Projektbeschreibung


FET Proactive: Atomic and Molecular Scale Devices and Systems

SiAM aims at exploiting in future ICT devices and circuits the atomic nature of dopants used throughout microelectronics. The key idea is to use the very sharp, deep and reproducible potential created by a dopant in a semiconductor host crystal. Despite its small size (on the scale of the Bohr radius), the donor state of a single dopant can be addressed with conventional lithography techniques, and is therefore perfectly suitable for realistic devices exploiting the quantum nature of single atoms.The project relies on:- The extremely mature silicon technology in which, however, no quantum mechanical or atomic properties are at play when dopant atoms are used.- The very atomic nature of these dopants.
The consortium will investigate dopants:- At the device level, with the demonstration of atomic devices (single dopant) and molecular devices (coupled dopants). A crucial effort towards integration of deterministic implantation in CMOS technology will be made.- In the theoretical understanding, for exploiting the specific features of dopant-based devices, especially time-dependent processes.- At the system level, with circuits exploiting the atomic characteristics of dopant based devices.
The consortium brings together three methods for fabricating single-atom transistors: top-down silicon fabrication, bottom-up growth of nanowires and Scanning Tunneling Microscope (STM)-assisted fabrication. This is a unique combination of expertises only available in Europe. In addition, metrology and theory experts will exploit time-dependent phenomena in atomic devices for applications such as electron pumps.Another opportunity is to address directly the spin of a single dopant and make use of its extremely long coherence time to make a single atom quantum bit, crucial for applications in spintronics and quantum computation.
Target outcomes:- Dopant-based devices: (i) atomically-precise dopant junctions realized with STM-assisted hydrogen resist lithography, (ii) single-atom transistors and pumps made in a silicon foundry and (iii) single atom spin quantum bit made in bottom-up silicon nanowires.- Time-dependent theory: the apparent limitation of non-adiabaticity will be turned into an advantage \tby exploiting the dynamical delays due to non-adiabaticity for robust single-gate operation.- Integration of the dopant-based CMOS devices in a circuit will be realized. STM-assisted lithography will be performed on silicon-on-insulator wafers with special surface preparation and capping, in order to avoid the usual surface preparation at very high temperature. Finally, the development of nanovias will pave the way for reintegration of STM defined donor device chips into a CMOS flowchart.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: https://op.europa.eu/de/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

Sie müssen sich anmelden oder registrieren, um diese Funktion zu nutzen

Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

FP7-ICT-2013-10
Andere Projekte für diesen Aufruf anzeigen

Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

CP - Collaborative project (generic)

Koordinator

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
EU-Beitrag
€ 804 618,00
Adresse
RUE LEBLANC 25
75015 Paris
Frankreich

Auf der Karte ansehen

Region
Ile-de-France Ile-de-France Paris
Aktivitätstyp
Research Organisations
Links
Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

Keine Daten

Beteiligte (4)

Mein Booklet 0 0