Green Electronics with Diamond Power Devices

Leistungen

Executive summary on surface and interface characterizations of stacked layers (associated with Task 4.5).

Executive summary on surface and interface characterizations of stacked layers (associated with Task 4.5). Full report will be confidential.

Executive summary on the process conditions and crystalline quality of epitaxy of active layers (associated with Task 4.4).

Executive summary on the process conditions and crystalline quality of epitaxy of active layers (associated with Task 4.4). Full report will be confidential.

Report on understanding of early stages of epitaxial layer growth for p, nitrogen, n and p+ doped diamond layers (associated with Task 4.2).

Report on understanding of early stages of epitaxial layer growth for p nitrogen n and p doped diamond layers associated with Task 42

Executive summary on deep etching process parameters to access the buried electrical contact (associated with Task 5.3).

Executive summary on deep etching process parameters to access the buried electrical contact (associated with Task 5.3). Full report will be confidential.

Refined bulk and surface defect analyses on selected set of substrates
GreenDiamond Workshop I
GreenDiamond Workshop II
Report on the electrical performance of the DC and AC small signal characterization bench
Video for public interest
Executive summary on optimal baseplate and ceramic substrate for diamond MOS packaging (associated with Task 7.1)

Executive summary on optimal baseplate and ceramic substrate for diamond MOS packaging (associated with Task 7.1) Full report will be confidential.

Project Branding Logo and Website

Executive summary on laboratory test validations report (associated with Task 9.6 and Task 9.7).

Executive summary on laboratory test validations report (associated with Task 9.6 and Task 9.7). Full report will be confidiential.

Veröffentlichungen

Optimizing reactive ion etching to remove sub-surface polishing damage on diamond

Autoren: Marie-Laure Hicks, Alexander C. Pakpour-Tabrizi, Verena Zuerbig, Lutz Kirste, Christoph Nebel, Richard B. Jackman
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics, Ausgabe 125/24, 2019, Seite(n) 244502, ISSN 0021-8979
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5094751

The occupied electronic structure of ultrathin boron doped diamond

Autoren: A. C. Pakpour-Tabrizi, A. K. Schenk, A. J. U. Holt, S. K. Mahatha, F. Arnold, M. Bianchi, R. B. Jackman, J. E. Butler, A. Vikharev, J. A. Miwa, P. Hofmann, S. P. Cooil, J. W. Wells, F. Mazzola
Veröffentlicht in: Nanoscale Advances, Ausgabe 2/3, 2020, Seite(n) 1358-1364, ISSN 2516-0230
Herausgeber: Royal Society of Chemistry
DOI: 10.1039/c9na00593e

Control of the Alumina Microstructure to Reduce Gate Leaks in Diamond MOSFETs

Autoren: Marina Gutiérrez, Fernando Lloret, Toan Pham, Jesús Cañas, Daniel Reyes, David Eon, Julien Pernot, Daniel Araújo
Veröffentlicht in: Nanomaterials, Ausgabe 8/8, 2018, Seite(n) 584, ISSN 2079-4991
Herausgeber: MDPI
DOI: 10.3390/nano8080584

Comprehensive electrical analysis of metal/Al 2 O 3 /O-terminated diamond capacitance

Autoren: T. T. Pham, A. Maréchal, P. Muret, D. Eon, E. Gheeraert, N. Rouger, J. Pernot
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics, Ausgabe 123/16, 2018, Seite(n) 161523, ISSN 0021-8979
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4996114

H-Terminated Diamond Surface Band Bending Characterization by Angle-Resolved XPS

Autoren: Gonzalo Alba, David Eon, M. Pilar Villar, Rodrigo Alcántara, Gauthier Chicot, Jesús Cañas, Juliette Letellier, Julien Pernot, Daniel Araujo
Veröffentlicht in: Surfaces, Ausgabe 3/1, 2020, Seite(n) 61-71, ISSN 2571-9637
Herausgeber: MDPI
DOI: 10.3390/surfaces3010007

Dislocations imaging in low boron doped diamond epilayers using Field Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM)

Autoren: C. Barbay, S. Saada, C. Mer-Calfati, S. Temgoua, J. Barjon, J.C. Arnault
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 495, 2019, Seite(n) 143564, ISSN 0169-4332
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2019.143564

Surface States of (100) O-Terminated Diamond: Towards Other 1 × 1:O Reconstruction Models

Autoren: Gonzalo Alba, M. Pilar Villar, Rodrigo Alcántara, Javier Navas, Daniel Araujo
Veröffentlicht in: Nanomaterials, Ausgabe 10/6, 2020, Seite(n) 1193, ISSN 2079-4991
Herausgeber: MDPI
DOI: 10.3390/nano10061193

Polishing, preparation and patterning of diamond for device applications

Autoren: M.-L. Hicks, Alexander C. Pakpour-Tabrizi, Richard B. Jackman
Veröffentlicht in: Diamond and Related Materials, Ausgabe 97, 2019, Seite(n) 107424, ISSN 0925-9635
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.diamond.2019.05.010

Design of a normally-off diamond JFET for high power integrated applications

Autoren: N. Donato, D. Pagnano, E. Napoli, G. Longobardi, F. Udrea
Veröffentlicht in: Diamond and Related Materials, Ausgabe 78, 2017, Seite(n) 73-82, ISSN 0925-9635
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.diamond.2017.08.003

Diamond semiconductor performances in power electronics applications

Autoren: Gaëtan Perez, Aurélien Maréchal, Gauthier Chicot, Pierre Lefranc, Pierre-Olivier Jeannin, David Eon, Nicolas Rouger
Veröffentlicht in: Diamond and Related Materials, Ausgabe 110, 2020, Seite(n) 108154, ISSN 0925-9635
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.diamond.2020.108154

Fabrication of n‐Type Doped V‐Shaped Structures on (100) Diamond

Autoren: Christoph Schreyvogel, Solange Temgoua, Christian Giese, Volker Cimalla, Julien Barjon, Christoph. E. Nebel
Veröffentlicht in: physica status solidi (a), 2021, Seite(n) 2000502, ISSN 1862-6300
Herausgeber: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.202000502

Boron-Doping Proximity Effects on Dislocation Generation during Non-Planar MPCVD Homoepitaxial Diamond Growth

Autoren: Fernando Lloret, David Eon, Etienne Bustarret, Alexandre Fiori, Daniel Araujo
Veröffentlicht in: Nanomaterials, Ausgabe 8/7, 2018, Seite(n) 480, ISSN 2079-4991
Herausgeber: MDPI
DOI: 10.3390/nano8070480

Gate Oxide Electrical Stability of p-type Diamond MOS Capacitors

Autoren: O. Loto, M. Florentin, C. Masante, N. Donato, M.-L. Hicks, A. C. Pakpour-Tabrizi, R. B. Jackman, V. Zuerbig, P. Godignon, D. Eon, J. Pernot, F. Udrea, E. Gheeraert
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 65/8, 2018, Seite(n) 3361-3364, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/ted.2018.2847340

Lattice performance during initial steps of the Smart-Cut™ process in semiconducting diamond: A STEM study

Autoren: J.C. Piñero, J. de Vecchy, D. Fernández, G. Alba, J. Widiez, L. Di Cioccio, F. Lloret, D. Araujo, J. Pernot
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 528, 2020, Seite(n) 146998, ISSN 0169-4332
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.146998

Comprehensive nanoscopic analysis of tungsten carbide/Oxygenated-diamond contacts for Schottky barrier diodes

Autoren: G. Alba, D. Leinen, M.P. Villar, R. Alcántara, J.C. Piñero, A. Fiori, T. Teraji, D. Araujo
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 537, 2021, Seite(n) 147874, ISSN 0169-4332
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.147874

High resolution boron content profilometry at δ-doping epitaxial diamond interfaces by CTEM

Autoren: J.C. Piñero, F. Lloret, M.P. Alegre, M.P. Villar, A. Fiori, E. Bustarret, D. Araújo
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 461, 2018, Seite(n) 221-226, ISSN 0169-4332
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2018.07.097

Determination of alumina bandgap and dielectric functions of diamond MOS by STEM-VEELS

Autoren: J. Cañas, J.C. Piñero, F. Lloret, M. Gutierrez, T. Pham, J. Pernot, D. Araujo
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 461, 2018, Seite(n) 93-97, ISSN 0169-4332
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2018.06.163

Diamond/γ-alumina band offset determination by XPS

Autoren: J. Cañas, G. Alba, D. Leinen, F. Lloret, M. Gutierrez, D. Eon, J. Pernot, E. Gheeraert, D. Araujo
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 535, 2021, Seite(n) 146301, ISSN 0169-4332
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.146301

Analysis by HR-STEM of the Strain Generation in InP after SiNx Deposition and ICP Etching

Autoren: M. Gutiérrez, D. F. Reyes, D. Araujo, J. P. Landesman, E. Pargon
Veröffentlicht in: Journal of Electronic Materials, Ausgabe 49/9, 2020, Seite(n) 5226-5231, ISSN 0361-5235
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1007/s11664-020-08312-6

Thick homoepitaxial (110)-oriented phosphorus-doped n -type diamond

Autoren: Y. Balasubramaniam, P. Pobedinskas, S. D. Janssens, G. Sakr, F. Jomard, S. Turner, Y.-G. Lu, W. Dexters, A. Soltani, J. Verbeeck, J. Barjon, M. Nesládek, K. Haenen
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 109/6, 2016, Seite(n) 062105, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4960970

Twins and strain relaxation in zinc-blende GaAs nanowires grown on silicon

Autoren: J.C. Piñero, D. Araújo, C.E. Pastore, M. Gutierrez, C. Frigeri, A. Benali, J.F. Lelièvre, M. Gendry
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 395, 2017, Seite(n) 195-199, ISSN 0169-4332
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.07.144

Atomic composition of WC/ and Zr/O-terminated diamond Schottky interfaces close to ideality

Autoren: J.C. Piñero, D. Araújo, A. Fiori, A. Traoré, M.P. Villar, D. Eon, P. Muret, J. Pernot, T. Teraji
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 395, 2017, Seite(n) 200-207, ISSN 0169-4332
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.04.166

Influence of methane concentration on MPCVD overgrowth of 100-oriented etched diamond substrates

Autoren: Fernando Lloret, Daniel Araujo, David Eon, María del Pilar Villar, Juan-María Gonzalez-Leal, Etienne Bustarret
Veröffentlicht in: physica status solidi (a), Ausgabe 213/10, 2016, Seite(n) 2570-2574, ISSN 1862-6300
Herausgeber: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.201600182

Nanometric diamond delta doping with boron

Autoren: James E. Butler, Anatoly Vikharev, Alexei Gorbachev, Mikhail Lobaev, Anatoly Muchnikov, Dmitry Radischev, Vladimir Isaev, Valerii Chernov, Sergey Bogdanov, Mikail Drozdov, Evgeniy Demidov, Ekaterina Surovegina, Vladimir Shashkin, Albert Davydov, Haiyan Tan, Louisa Meshi, Alexander C. Pakpour-Tabrizi, Marie-Laure Hicks, Richard B. Jackman
Veröffentlicht in: physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters, Ausgabe 11/1, 2017, Seite(n) 1600329, ISSN 1862-6254
Herausgeber: Wiley - VCH Verlag GmbH & CO. KGaA
DOI: 10.1002/pssr.201600329

Stratigraphy of a diamond epitaxial three-dimensional overgrowth using doping superlattices

Autoren: F. Lloret, A. Fiori, D. Araujo, D. Eon, M. P. Villar, E. Bustarret
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 108/18, 2016, Seite(n) 181901, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4948373

TEM study of defects versus growth orientations in heavily boron-doped diamond

Autoren: F. Lloret, D. Araujo, M. P. Alegre, J. M. Gonzalez-Leal, M. P. Villar, D. Eon, E. Bustarret
Veröffentlicht in: physica status solidi (a), Ausgabe 212/11, 2015, Seite(n) 2468-2473, ISSN 1862-6300
Herausgeber: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.201532175

Si NWs Conversion to Si-SiC Core-Shell NWs by MBE

Autoren: Fernando Lloret, D. Araujo, M.P. Villar, L. Liu, Konstantinos Zekentes
Veröffentlicht in: Materials Science Forum, Ausgabe 821-823, 2015, Seite(n) 965-969, ISSN 1662-9752
Herausgeber: Trans Tech Publications
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.965

Atomic composition of WC/ and Zr/O-terminated diamond Schottky interfaces close to ideality

Autoren: J.C. Piñero, D. Araújo, A. Fiori, A. Traoré, M.P. Villar, D. Eon, P. Muret, J. Pernot, T. Teraji
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, 2016, ISSN 0169-4332
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.04.166

Potential barrier heights at metal on oxygen-terminated diamond interfaces

Autoren: P. Muret, A. Traoré, A. Maréchal, D. Eon, J. Pernot, J. C. Pinẽro, M. P. Villar, D. Araujo
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics, Ausgabe 118/20, 2015, Seite(n) 204505, ISSN 0021-8979
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4936317

Optimal drift region for diamond power devices

Autoren: Gauthier Chicot, David Eon, Nicolas Rouger
Veröffentlicht in: Diamond and Related Materials, Ausgabe 69, 2016, Seite(n) 68-73, ISSN 0925-9635
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.diamond.2016.07.006

Diamond Etching Beyond 10 μm with Near-Zero Micromasking

Autoren: Marie-Laure Hicks, Alexander C. Pakpour-Tabrizi, Richard B. Jackman
Veröffentlicht in: Scientific Reports, Ausgabe 9/1, 2019, ISSN 2045-2322
Herausgeber: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41598-019-51970-8

Impact of methane concentration on surface morphology and boron incorporation of heavily boron-doped single crystal diamond layers

Autoren: Rozita Rouzbahani, Shannon S. Nicley, Danny E.P. Vanpoucke, Fernando Lloret, Paulius Pobedinskas, Daniel Araujo, Ken Haenen
Veröffentlicht in: Carbon, Ausgabe 172, 2021, Seite(n) 463-473, ISSN 0008-6223
Herausgeber: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.carbon.2020.10.061

Oxygen termination of homoepitaxial diamond surface by ozone and chemical methods: An experimental and theoretical perspective

Autoren: Javier Navas, Daniel Araujo, José Carlos Piñero, Antonio Sánchez-Coronilla, Eduardo Blanco, Pilar Villar, Rodrigo Alcántara, Josep Montserrat, Matthieu Florentin, David Eon, Julien Pernot
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 433, 2018, Seite(n) 408-418, ISSN 0169-4332
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.10.065

Synchrotron Bragg diffraction imaging characterization of synthetic diamond crystals for optical and electronic power device applications

Autoren: Thu Nhi Tran Thi, J. Morse, D. Caliste, B. Fernandez, D. Eon, J. Härtwig, C. Barbay, C. Mer-Calfati, N. Tranchant, J. C. Arnault, T. A. Lafford, J. Baruchel
Veröffentlicht in: Journal of Applied Crystallography, Ausgabe 50/2, 2017, Seite(n) 561-569, ISSN 1600-5767
Herausgeber: International Union of Crystallography
DOI: 10.1107/s1600576717003831

2D hole gas mobility at diamond/insulator interface

Autoren: G. Daligou, J. Pernot
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 116/16, 2020, Seite(n) 162105, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0002768

MPCVD Diamond Lateral Growth Through Microterraces to Reduce Threading Dislocations Density

Autoren: Fernando Lloret, Marina Gutierrez, Daniel Araujo, David Eon, Etienne Bustarret
Veröffentlicht in: physica status solidi (a), Ausgabe 214/11, 2017, Seite(n) 1700242, ISSN 1862-6300
Herausgeber: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.201700242

Diamond power devices: state of the art, modelling, figures of merit and future perspective

Autoren: Nicolas Rouger; Florin Udrea; Giorgia Longobardi; Nazareno Donato; Julien Pernot; Julien Pernot
Veröffentlicht in: Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, ISSN 0022-3727
Herausgeber: Institute of Physics Publishing
DOI: 10.17863/cam.52722

Crystalline Defects Induced during MPCVD Lateral Homoepitaxial Diamond Growth

Autoren: Fernando Lloret, David Eon, Etienne Bustarret, Daniel Araujo
Veröffentlicht in: Nanomaterials, Ausgabe 8/10, 2018, Seite(n) 814, ISSN 2079-4991
Herausgeber: MDPI
DOI: 10.3390/nano8100814

High quality Al 2 O 3 /(100) oxygen-terminated diamond interface for MOSFETs fabrication

Autoren: T. T. Pham, M. Gutiérrez, C. Masante, N. Rouger, D. Eon, E. Gheeraert, D. Araùjo, J. Pernot
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 112/10, 2018, Seite(n) 102103, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5018403

Integrated temperature sensor with diamond Schottky diodes using a thermosensitive parameter

Autoren: Gaëtan Perez, Gauthier Chicot, Yvan Avenas, Pierre Lefranc, Pierre-Olivier Jeannin, David Eon, Nicolas Rouger
Veröffentlicht in: Diamond and Related Materials, Ausgabe 78, 2017, Seite(n) 83-87, ISSN 0925-9635
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.diamond.2017.08.008

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