Silicon Carbide Nanowires for Electronic and biosensing applications

Información del proyecto

SiCWIRE

Identificador del acuerdo de subvención: 656479

DOI 10.3030/656479

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 2 Abril 2015

Fecha de inicio 1 Abril 2016

Fecha de finalización 30 Septiembre 2017

Financiado con arreglo a

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Coste total € 138 807,00

Aportación de la UE € 138 807,00

Coordinado por

INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
France

Publicaciones

Conference proceedings (3)

Cross-section doping topography of 4H-SiC VJFETs by various techniques

Autores: K. Tsagaraki, M. Nafouti, H. Peyré, K. Vamvoukakis, N. Makris, M. Kayambaki, A. Stavrinidis, G. Konstantinidis, M. Panagopoulou, D. Alquier, K. Zekentes
Publicado en: 2018
Editor: TTP

Top-down 3C-SiC NWFETs

Autores: Jihoon Choi, Edwige Bano, Anne Henry, Giovanni Attolini, Konstantinos Zekentes
Publicado en: 40th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE-EXMATEC 2016), Jun 2016, Aveiro, Portugal, 2016
Editor: University of Aveiro

SiC Nanowire Field-Effect-Transistors

Autores: Konstantinos Zekentes, Edwige Bano
Publicado en: 2016
Editor: CNR Italy

Peer reviewed articles (1)

Channel width effect on the operation of 4H-SiC vertical JFETs

Autores: K. Vamvoukakis, D. Stefanakis, A. Stavrinidis, K. Vassilevski, G. Konstantinidis, M. Kayambaki, K. Zekentes
Publicado en: physica status solidi (a), Edición 214/4, 2017, Página(s) 1600452, ISSN 1862-6300
Editor: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.201600452

Other (1)

Technology and performance of SiC- based Nanowire Field Effect Transistors (NWFETs)

Autores: Konstantinos Zekentes, Edwige Bano
Publicado en: 2017
Editor: CAS Romania