Silicon Carbide Nanowires for Electronic and biosensing applications

Informacje na temat projektu

SiCWIRE

Identyfikator umowy o grant: 656479

DOI 10.3030/656479

Projekt został zamknięty

Data podpisania przez KE 2 Kwietnia 2015

Data rozpoczęcia 1 Kwietnia 2016

Data zakończenia 30 Września 2017

Finansowanie w ramach

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Koszt całkowity € 138 807,00

Wkład UE € 138 807,00

Koordynowany przez

INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
France

Publikacje

Conference proceedings (3)

Cross-section doping topography of 4H-SiC VJFETs by various techniques

Autorzy: K. Tsagaraki, M. Nafouti, H. Peyré, K. Vamvoukakis, N. Makris, M. Kayambaki, A. Stavrinidis, G. Konstantinidis, M. Panagopoulou, D. Alquier, K. Zekentes
Opublikowane w: 2018
Wydawca: TTP

Top-down 3C-SiC NWFETs

Autorzy: Jihoon Choi, Edwige Bano, Anne Henry, Giovanni Attolini, Konstantinos Zekentes
Opublikowane w: 40th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE-EXMATEC 2016), Jun 2016, Aveiro, Portugal, 2016
Wydawca: University of Aveiro

SiC Nanowire Field-Effect-Transistors

Autorzy: Konstantinos Zekentes, Edwige Bano
Opublikowane w: 2016
Wydawca: CNR Italy

Peer reviewed articles (1)

Channel width effect on the operation of 4H-SiC vertical JFETs

Autorzy: K. Vamvoukakis, D. Stefanakis, A. Stavrinidis, K. Vassilevski, G. Konstantinidis, M. Kayambaki, K. Zekentes
Opublikowane w: physica status solidi (a), Numer 214/4, 2017, Strona(/y) 1600452, ISSN 1862-6300
Wydawca: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.201600452

Other (1)

Technology and performance of SiC- based Nanowire Field Effect Transistors (NWFETs)

Autorzy: Konstantinos Zekentes, Edwige Bano
Opublikowane w: 2017
Wydawca: CAS Romania