Silicon Carbide Nanowires for Electronic and biosensing applications

Informations projet

SiCWIRE

N° de convention de subvention: 656479

DOI 10.3030/656479

Projet clôturé

Date de signature de la CE 2 Avril 2015

Date de début 1 Avril 2016

Date de fin 30 Septembre 2017

Financé au titre de

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Coût total € 138 807,00

Contribution de l’UE € 138 807,00

Coordonné par

INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
France

Publications

Conference proceedings (3)

Cross-section doping topography of 4H-SiC VJFETs by various techniques

Auteurs: K. Tsagaraki, M. Nafouti, H. Peyré, K. Vamvoukakis, N. Makris, M. Kayambaki, A. Stavrinidis, G. Konstantinidis, M. Panagopoulou, D. Alquier, K. Zekentes
Publié dans: 2018
Éditeur: TTP

Top-down 3C-SiC NWFETs

Auteurs: Jihoon Choi, Edwige Bano, Anne Henry, Giovanni Attolini, Konstantinos Zekentes
Publié dans: 40th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE-EXMATEC 2016), Jun 2016, Aveiro, Portugal, 2016
Éditeur: University of Aveiro

SiC Nanowire Field-Effect-Transistors

Auteurs: Konstantinos Zekentes, Edwige Bano
Publié dans: 2016
Éditeur: CNR Italy

Peer reviewed articles (1)

Channel width effect on the operation of 4H-SiC vertical JFETs

Auteurs: K. Vamvoukakis, D. Stefanakis, A. Stavrinidis, K. Vassilevski, G. Konstantinidis, M. Kayambaki, K. Zekentes
Publié dans: physica status solidi (a), Numéro 214/4, 2017, Page(s) 1600452, ISSN 1862-6300
Éditeur: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.201600452

Other (1)

Technology and performance of SiC- based Nanowire Field Effect Transistors (NWFETs)

Auteurs: Konstantinos Zekentes, Edwige Bano
Publié dans: 2017
Éditeur: CAS Romania