Silicon Carbide Nanowires for Electronic and biosensing applications

Projektinformationen

SiCWIRE

ID Finanzhilfevereinbarung: 656479

DOI 10.3030/656479

Projekt abgeschlossen

EK-Unterschriftsdatum 2 April 2015

Startdatum 1 April 2016

Enddatum 30 September 2017

Finanziert unter

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Gesamtkosten € 138 807,00

EU-Beitrag € 138 807,00

Koordiniert durch

INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
France

Veröffentlichungen

Conference proceedings (3)

Cross-section doping topography of 4H-SiC VJFETs by various techniques

Autoren: K. Tsagaraki, M. Nafouti, H. Peyré, K. Vamvoukakis, N. Makris, M. Kayambaki, A. Stavrinidis, G. Konstantinidis, M. Panagopoulou, D. Alquier, K. Zekentes
Veröffentlicht in: 2018
Herausgeber: TTP

Top-down 3C-SiC NWFETs

Autoren: Jihoon Choi, Edwige Bano, Anne Henry, Giovanni Attolini, Konstantinos Zekentes
Veröffentlicht in: 40th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE-EXMATEC 2016), Jun 2016, Aveiro, Portugal, 2016
Herausgeber: University of Aveiro

SiC Nanowire Field-Effect-Transistors

Autoren: Konstantinos Zekentes, Edwige Bano
Veröffentlicht in: 2016
Herausgeber: CNR Italy

Peer reviewed articles (1)

Channel width effect on the operation of 4H-SiC vertical JFETs

Autoren: K. Vamvoukakis, D. Stefanakis, A. Stavrinidis, K. Vassilevski, G. Konstantinidis, M. Kayambaki, K. Zekentes
Veröffentlicht in: physica status solidi (a), Ausgabe 214/4, 2017, Seite(n) 1600452, ISSN 1862-6300
Herausgeber: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.201600452

Other (1)

Technology and performance of SiC- based Nanowire Field Effect Transistors (NWFETs)

Autoren: Konstantinos Zekentes, Edwige Bano
Veröffentlicht in: 2017
Herausgeber: CAS Romania