Silicon Carbide Nanowires for Electronic and biosensing applications

Informazioni relative al progetto

SiCWIRE

ID dell’accordo di sovvenzione: 656479

DOI 10.3030/656479

Progetto chiuso

Data della firma CE 2 Aprile 2015

Data di avvio 1 Aprile 2016

Data di completamento 30 Settembre 2017

Finanziato da

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Costo totale € 138 807,00

Contributo UE € 138 807,00

Coordinato da

INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
France

Pubblicazioni

Conference proceedings (3)

Cross-section doping topography of 4H-SiC VJFETs by various techniques

Autori: K. Tsagaraki, M. Nafouti, H. Peyré, K. Vamvoukakis, N. Makris, M. Kayambaki, A. Stavrinidis, G. Konstantinidis, M. Panagopoulou, D. Alquier, K. Zekentes
Pubblicato in: 2018
Editore: TTP

Top-down 3C-SiC NWFETs

Autori: Jihoon Choi, Edwige Bano, Anne Henry, Giovanni Attolini, Konstantinos Zekentes
Pubblicato in: 40th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE-EXMATEC 2016), Jun 2016, Aveiro, Portugal, 2016
Editore: University of Aveiro

SiC Nanowire Field-Effect-Transistors

Autori: Konstantinos Zekentes, Edwige Bano
Pubblicato in: 2016
Editore: CNR Italy

Peer reviewed articles (1)

Channel width effect on the operation of 4H-SiC vertical JFETs

Autori: K. Vamvoukakis, D. Stefanakis, A. Stavrinidis, K. Vassilevski, G. Konstantinidis, M. Kayambaki, K. Zekentes
Pubblicato in: physica status solidi (a), Numero 214/4, 2017, Pagina/e 1600452, ISSN 1862-6300
Editore: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.201600452

Other (1)

Technology and performance of SiC- based Nanowire Field Effect Transistors (NWFETs)

Autori: Konstantinos Zekentes, Edwige Bano
Pubblicato in: 2017
Editore: CAS Romania