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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Ion-irradiation-induced Si Nanodot Self-Assembly for Hybrid SET-CMOS Technology

Objectif

Billions of tiny computers that can sense and communicate from anywhere are coming online, creating the “Internet of Things” (IoT). As the IoT continues to expand, more and more devices need batteries and plugs. According to Gartner (www.gartner.com) there will be nearly 26 billion devices connected to the IoT by 2020. Therefore, together with improved batteries, advanced computation and communication must be delivered at extremely low-power consumption.
It is well-known that Single Electron Transistors (SET) are extremely low-energy dissipation devices. CMOS and SETs are complementary: SET is the champion of low-power consumption while CMOS advantages like high-speed, driving etc. compensate exactly for SET's intrinsic drawbacks. Unrivalled integration with high performance is expected for hybrid SET-CMOS architectures.Manufacturability is the roadblock for large-scale use of hybrid SET-CMOS architectures. To assure room temperature (RT) operation, single dots of diameters below 5 nm have to be fabri-cated, exactly located between source and drain with tunnel distances of a few nm. A reliable CMOS compatible process of co-fabrication of RT-SETs and FETs is not yet available.
IONS4SET will pave the way for fabrication of low-energy devices operating at RT using the discovery of a bottom-up self-assembly process. Lithography cannot deliver the feature sizes of 1…3 nm required for RT operation. IONS4SET will provide both, (i) controlled self-assembly of single ~ 2 nm Si dots and (ii) self-alignment of each nanodot with source and drain at tunneling distances of ~ 2 nm. The fabrication process of the Si nanodot involves (i) ion irradiation through a few tens of nm thin Si pillars with an embedded SiO2 layer and (ii) thermal activation of self-assembly. Dot self-assembly works for narrow pillars only, i.e. nanopillar fabrication is crucial for IONS4SET. Finally, a power saving hybrid SET/CMOS device with a vertical gate-all-around nanowire GAA-SET will be fabricated.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.

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Programme(s)

Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

RIA - Research and Innovation action

Voir tous les projets financés dans le cadre de ce programme de financement

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) H2020-ICT-2015

Voir tous les projets financés au titre de cet appel

Coordinateur

HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN-ROSSENDORF EV
Contribution nette de l'UE

La contribution financière nette de l’UE est la somme d’argent que le participant reçoit, déduite de la contribution de l’UE versée à son tiers lié. Elle prend en compte la répartition de la contribution financière de l’UE entre les bénéficiaires directs du projet et d’autres types de participants, tels que les participants tiers.

€ 858 125,00
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

€ 858 125,00

Participants (5)

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