4-Colours/2-Junctions of III-V semiconductors on Si to use in electronics devices and solar cells

Información del proyecto

4SUNS

Identificador del acuerdo de subvención: 758885

DOI 10.3030/758885

Fecha de la firma de la CE 27 Octubre 2017

Fecha de inicio 1 Febrero 2018

Fecha de finalización 30 Septiembre 2026

Financiado con arreglo a

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Coste total € 1 499 719,00

Aportación de la UE € 1 499 719,00

Coordinado por

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID
Spain

Publicaciones

Non-peer reviewed articles (2)

Growth of silicon- and carbon-doped GaAs by chemical beam epitaxy using H2-diluted DTBSi and CBr4 precursors

Autores: Ben Saddik, K.; Braña, A. F.; López, N.; García, B. J.; Fernández-Garrido, S.; Electronics and Semiconductors Group (ElySe)
Publicado en: Journal of Crystal Growth, Edición 2, 2021, ISSN 0022-0248
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126242

Growth of GaP1 − x − yAsyNx on Si substrates by chemical beam epitaxy

Autores: K. Ben Saddik; A.F. Braña; N. López; Wladek Walukiewicz; Wladek Walukiewicz; Basilio J. García; Basilio J. García
Publicado en: Journal of Applied Physics, Edición 1, 2019, ISSN 0021-8979
Editor: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5111090

Derechos de propiedad intelectual

Patent (1)

SEMICONDUCTOR DEVICE

Número de solicitud/publicación: 20 1930783
Fecha: 2019-09-06