4-Colours/2-Junctions of III-V semiconductors on Si to use in electronics devices and solar cells

Informacje na temat projektu

4SUNS

Identyfikator umowy o grant: 758885

DOI 10.3030/758885

Data podpisania przez KE 27 Października 2017

Data rozpoczęcia 1 Lutego 2018

Data zakończenia 30 Września 2026

Finansowanie w ramach

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Koszt całkowity € 1 499 719,00

Wkład UE € 1 499 719,00

Koordynowany przez

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID
Spain

Publikacje

Non-peer reviewed articles (2)

Growth of silicon- and carbon-doped GaAs by chemical beam epitaxy using H2-diluted DTBSi and CBr4 precursors

Autorzy: Ben Saddik, K.; Braña, A. F.; López, N.; García, B. J.; Fernández-Garrido, S.; Electronics and Semiconductors Group (ElySe)
Opublikowane w: Journal of Crystal Growth, Numer 2, 2021, ISSN 0022-0248
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126242

Growth of GaP1 − x − yAsyNx on Si substrates by chemical beam epitaxy

Autorzy: K. Ben Saddik; A.F. Braña; N. López; Wladek Walukiewicz; Wladek Walukiewicz; Basilio J. García; Basilio J. García
Opublikowane w: Journal of Applied Physics, Numer 1, 2019, ISSN 0021-8979
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5111090

Prawa własności intelektualnej

Patent (1)

SEMICONDUCTOR DEVICE

Numer wniosku/publikacji: 20 1930783
Data: 2019-09-06