4-Colours/2-Junctions of III-V semiconductors on Si to use in electronics devices and solar cells

Projektinformationen

4SUNS

ID Finanzhilfevereinbarung: 758885

DOI 10.3030/758885

EK-Unterschriftsdatum 27 Oktober 2017

Startdatum 1 Februar 2018

Enddatum 30 September 2026

Finanziert unter

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Gesamtkosten € 1 499 719,00

EU-Beitrag € 1 499 719,00

Koordiniert durch

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID
Spain

Veröffentlichungen

Non-peer reviewed articles (2)

Growth of silicon- and carbon-doped GaAs by chemical beam epitaxy using H2-diluted DTBSi and CBr4 precursors

Autoren: Ben Saddik, K.; Braña, A. F.; López, N.; García, B. J.; Fernández-Garrido, S.; Electronics and Semiconductors Group (ElySe)
Veröffentlicht in: Journal of Crystal Growth, Ausgabe 2, 2021, ISSN 0022-0248
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126242

Growth of GaP1 − x − yAsyNx on Si substrates by chemical beam epitaxy

Autoren: K. Ben Saddik; A.F. Braña; N. López; Wladek Walukiewicz; Wladek Walukiewicz; Basilio J. García; Basilio J. García
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics, Ausgabe 1, 2019, ISSN 0021-8979
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5111090

Rechte des geistigen Eigentums

Patent (1)

SEMICONDUCTOR DEVICE

Antrags-/Publikationsnummer: 20 1930783
Datum: 2019-09-06