4-Colours/2-Junctions of III-V semiconductors on Si to use in electronics devices and solar cells

Informations projet

4SUNS

N° de convention de subvention: 758885

DOI

10.3030/758885

Date de signature de la CE 27 Octobre 2017

Date de début 1 Février 2018

Date de fin 30 Septembre 2026

Financé au titre de

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Coût total

€ 1 499 719,00

Contribution de l’UE

€ 1 499 719,00

Coordonné par

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID
Spain

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Non-peer reviewed articles (2)

Growth of silicon- and carbon-doped GaAs by chemical beam epitaxy using H2-diluted DTBSi and CBr4 precursors

Auteurs: Ben Saddik, K.; Braña, A. F.; López, N.; García, B. J.; Fernández-Garrido, S.; Electronics and Semiconductors Group (ElySe)
Publié dans: Journal of Crystal Growth, Numéro 2, 2021, ISSN 0022-0248
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126242

Growth of GaP1 − x − yAsyNx on Si substrates by chemical beam epitaxy

Auteurs: K. Ben Saddik; A.F. Braña; N. López; Wladek Walukiewicz; Wladek Walukiewicz; Basilio J. García; Basilio J. García
Publié dans: Journal of Applied Physics, Numéro 1, 2019, ISSN 0021-8979
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5111090

Droits de propriété intellectuelle

Patent (1)

SEMICONDUCTOR DEVICE

Numéro de demande/publication: 20 1930783
Date: 2019-09-06
Demandeur(s): UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID