4-Colours/2-Junctions of III-V semiconductors on Si to use in electronics devices and solar cells

Informations projet

4SUNS

N° de convention de subvention: 758885

DOI 10.3030/758885

Date de signature de la CE 27 Octobre 2017

Date de début 1 Février 2018

Date de fin 30 Septembre 2026

Financé au titre de

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Coût total € 1 499 719,00

Contribution de l’UE € 1 499 719,00

Coordonné par

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID
Spain

Publications

Non-peer reviewed articles (2)

Growth of silicon- and carbon-doped GaAs by chemical beam epitaxy using H2-diluted DTBSi and CBr4 precursors

Auteurs: Ben Saddik, K.; Braña, A. F.; López, N.; García, B. J.; Fernández-Garrido, S.; Electronics and Semiconductors Group (ElySe)
Publié dans: Journal of Crystal Growth, Numéro 2, 2021, ISSN 0022-0248
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126242

Growth of GaP1 − x − yAsyNx on Si substrates by chemical beam epitaxy

Auteurs: K. Ben Saddik; A.F. Braña; N. López; Wladek Walukiewicz; Wladek Walukiewicz; Basilio J. García; Basilio J. García
Publié dans: Journal of Applied Physics, Numéro 1, 2019, ISSN 0021-8979
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5111090

Droits de propriété intellectuelle

Patent (1)

SEMICONDUCTOR DEVICE

Numéro de demande/publication: 20 1930783
Date: 2019-09-06