4-Colours/2-Junctions of III-V semiconductors on Si to use in electronics devices and solar cells

Informazioni relative al progetto

4SUNS

ID dell’accordo di sovvenzione: 758885

DOI 10.3030/758885

Data della firma CE 27 Ottobre 2017

Data di avvio 1 Febbraio 2018

Data di completamento 30 Settembre 2026

Finanziato da

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Costo totale € 1 499 719,00

Contributo UE € 1 499 719,00

Coordinato da

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID
Spain

Pubblicazioni

Non-peer reviewed articles (2)

Growth of silicon- and carbon-doped GaAs by chemical beam epitaxy using H2-diluted DTBSi and CBr4 precursors

Autori: Ben Saddik, K.; Braña, A. F.; López, N.; García, B. J.; Fernández-Garrido, S.; Electronics and Semiconductors Group (ElySe)
Pubblicato in: Journal of Crystal Growth, Numero 2, 2021, ISSN 0022-0248
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126242

Growth of GaP1 − x − yAsyNx on Si substrates by chemical beam epitaxy

Autori: K. Ben Saddik; A.F. Braña; N. López; Wladek Walukiewicz; Wladek Walukiewicz; Basilio J. García; Basilio J. García
Pubblicato in: Journal of Applied Physics, Numero 1, 2019, ISSN 0021-8979
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5111090

Diritti di proprietà intellettuale

Patent (1)

SEMICONDUCTOR DEVICE

Numero candidatura/pubblicazione: 20 1930783
Data: 2019-09-06