Opis projektu
Pionowe mikrokryształy epitaksjalne hodowane na podłożu krzemowym o niezwykłych właściwościach
Wszystko wskazuje na to, że krzem pozostanie podstawą wielu urządzeń mikroelektronicznych i mikrofotonicznych. Epitaksja jest techniką pozwalającą na łączenie różnych innych materiałów półprzewodnikowych z podłożem krzemowym, a jej rezultatem jest uzyskanie cienkiej warstwy materiału. Zespół finansowanego ze środków Unii Europejskiej projektu microSPIRE opracuje nową metodę osadzania — heteroepitaksję pionową (ang. vertical heteroepitaxy, VHE), która pozwoli na wykorzystanie wzorów nanoszonych na konwencjonalne podłoża krzemowe i osadzania techniką epitaksji. Umożliwi to samoorganizację macierzy pionowych wydłużonych mikrokryształów epitaksjalnych germanu i arsenku galu charakteryzujących się niezrównanymi właściwościami strukturalnymi i elektronicznymi. Podejście opracowane w ramach projektu microSPIRE zostanie wykorzystane w celu stworzenia innowacyjnych detektorów pojedynczych fotonów w spektrum podczerwieni i przetestowane pod kątem obrazowania piersi i optycznej oceny ryzyka wystąpienia nowotworu piersi.
Cel
µSPIRE aims at establishing a technological platform for homo- and hetero- structure based photonic and electronic devices using the self-assembling of epitaxial crystals on patterned Si substrates.
Emerging micro-electronic and photonic devices strongly require the integration on Si of a variety of semiconducting materials such as Ge, GaAs, GaN and SiC, in order to add novel functionalities to the Si platform. µSPIRE pursues this goal employing a novel deposition approach, which we termed vertical hetero-epitaxy (VHE). VHE exploits the patterning of conventional Si substrates, in combination with epitaxial deposition, to attain the self-assembly of arrays of Ge and GaAs epitaxial micro-crystals elongated in the vertical direction, featuring structural and electronic properties unparalleled by “conventional” epitaxial growth.
As a concrete demonstration of VHE potentialities, we will deliver a complete set of novel photon counting detectors: VHE micro-crystals will be used as the elementary microcells for single-photon detectors with performances far beyond those of current state-of-the-art devices, namely:
- High photon detection efficiency (> 80%), thanks to the use of several µm thick micro-crystals;
- High photon-number-resolving capability, thanks to the high density of micro-crystals;
- High fill-factor (> 90%), thanks to the almost complete surface coverage attained by VHE;
- Extended sensitivity from visible (350 – 900 nm) to NIR (800 – 1800 nm) and MIR (up to 10µm), thanks to the integration on Si of Ge and GaAs quantum wells.
As a first action towards real applications, the Si and Ge devices will be tested on phantoms closely mimicking breast tissue in order to assess the improvement in signal level with respect to state of the art detectors, and investigate the potential extension to a presently unexplored, but appealing, long-wavelength spectral range (1500nm+) of breast imaging and optical assessment of breast cancer risk.
Dziedzina nauki
- engineering and technologyelectrical engineering, electronic engineering, information engineeringelectronic engineeringcomputer hardwarequantum computers
- natural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivity
- natural sciencesmathematicspure mathematicsgeometry
- natural scienceschemical sciencesinorganic chemistrymetalloids
- natural sciencesphysical sciencestheoretical physicsparticle physicsphotons
Program(-y)
Zaproszenie do składania wniosków
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszeniaSzczegółowe działanie
H2020-FETOPEN-1-2016-2017
System finansowania
RIA - Research and Innovation actionKoordynator
20133 Milano
Włochy