Next Generation GaN Power Amplifiers

Información del proyecto

CoolHEMT

Identificador del acuerdo de subvención: 823260

DOI

10.3030/823260

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 27 Septiembre 2018

Fecha de inicio 1 Septiembre 2018

Fecha de finalización 28 Febrero 2021

Financiado con arreglo a

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Innovation In SMEs

Coste total

€ 2 354 562,50

Aportación de la UE

€ 1 648 193,75

Coordinado por

SWEGAN AB
Sweden

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Los enlaces a los documentos y las publicaciones de los proyectos del Séptimo Programa Marco, así como los enlaces a algunos tipos de resultados específicos, como conjuntos de datos y «software», se obtienen dinámicamente de OpenAIRE .

Resultado final

Documents, reports (2)

Final (Public) Report
Improved Documentation; Guidelines and Best Practices

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

External project website

Publicaciones

Peer reviewed articles (1)

Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors

Autores: Jun Lu, Jr-Tai Chen, Martin Dahlqvist, Riad Kabouche, Farid Medjdoub, Johanna Rosen, Olof Kordina, Lars Hultman
Publicado en: Applied Physics Letters, Edición 115/22, 2019, Página(s) 221601, ISSN 0003-6951
Editor: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5123374

Derechos de propiedad intelectual

Trademark (1)

QuanFINE

Número de solicitud/publicación: 017968878 017968878
Fecha: 2018-10-16
Solicitante(s): SWEGAN AB