Next Generation GaN Power Amplifiers

Projektinformationen

CoolHEMT

ID Finanzhilfevereinbarung: 823260

DOI

10.3030/823260

Projekt abgeschlossen

EK-Unterschriftsdatum 27 September 2018

Startdatum 1 September 2018

Enddatum 28 Februar 2021

Finanziert unter

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Innovation In SMEs

Gesamtkosten

€ 2 354 562,50

EU-Beitrag

€ 1 648 193,75

Koordiniert durch

SWEGAN AB
Sweden

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Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Leistungen

Documents, reports (2)

Final (Public) Report
Improved Documentation; Guidelines and Best Practices

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

External project website

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (1)

Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors

Autoren: Jun Lu, Jr-Tai Chen, Martin Dahlqvist, Riad Kabouche, Farid Medjdoub, Johanna Rosen, Olof Kordina, Lars Hultman
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 115/22, 2019, Seite(n) 221601, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5123374

Rechte des geistigen Eigentums

Trademark (1)

QuanFINE

Antrags-/Publikationsnummer: 017968878 017968878
Datum: 2018-10-16
Antragsteller: SWEGAN AB