Next Generation GaN Power Amplifiers

Informations projet

CoolHEMT

N° de convention de subvention: 823260

DOI

10.3030/823260

Projet clôturé

Date de signature de la CE 27 Septembre 2018

Date de début 1 Septembre 2018

Date de fin 28 Février 2021

Financé au titre de

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Innovation In SMEs

Coût total

€ 2 354 562,50

Contribution de l’UE

€ 1 648 193,75

Coordonné par

SWEGAN AB
Sweden

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Documents, reports (2)

Final (Public) Report
Improved Documentation; Guidelines and Best Practices

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

External project website

Publications

Peer reviewed articles (1)

Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors

Auteurs: Jun Lu, Jr-Tai Chen, Martin Dahlqvist, Riad Kabouche, Farid Medjdoub, Johanna Rosen, Olof Kordina, Lars Hultman
Publié dans: Applied Physics Letters, Numéro 115/22, 2019, Page(s) 221601, ISSN 0003-6951
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5123374

Droits de propriété intellectuelle

Trademark (1)

QuanFINE

Numéro de demande/publication: 017968878 017968878
Date: 2018-10-16
Demandeur(s): SWEGAN AB